QS6M4
晶体管
小开关
QS6M4
特点
1） QS6M4结合了P沟道沟槽MOSFET用
N沟道MOSFET的沟道中的单个TSMT6包。
2 ） P沟道沟槽MOSFET和N沟道沟槽MOSFET
具有低导通状态电阻与快速切换。
3 ） P沟道沟槽MOSFET的neucted低电压驱动
(2.5V).
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
1PIN MARK
(1)
2.8
1.6
(6)
0.4
(3)
0.16
(4)
应用
负荷开关，逆变器
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号：
M04
结构
硅P沟道MOS场效应管
硅N沟道MOS FET
等效电路
(6)
(5)
1
(4)
0.85
2.9
(2)
(5)
包装规格
包
TYPE
QS6M4
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
2
2
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 4 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 5 ） Tr2的（ PCH）门
（ 6 ） Tr1的（ N沟道）漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
范围
N沟道
P沟道
30
20
12
12
±1.5
±1.5
±6.0
±6.0
0.8
0.75
6.0
6.0
1.25
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
符号
RTH （ CH -A ）
范围
100
单位
°C
/ W
1/5
QS6M4
晶体管
P沟道
电气特性曲线
1000
栅源电压：
V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
国际空间站
1000
电容：C （PF ）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 4.5V
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 1.5A
R
G
=10
脉冲
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
C
OSS
C
RSS
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
2.5
3.0
3.5
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
400
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
I
D
= 1.5A
I
D
= 0.75A
源电流：
I
S
(A)
V
DS
= 10V
脉冲
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
500
Ta=25°C
脉冲
10
漏电流：
I
D
(A)
Ta=25°C
V
GS
=0V
脉冲
1
300
200
0.1
0.01
100
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
0
0
2
4
6
8
10
12
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
10000
V
GS
= 4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
10000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 2.5V
脉冲
1000
1000
1000
100
100
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
5/5
QS6M4
晶体管
2.5V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
QS6M4
结构
硅P沟道MOSFET
硅N沟道MOSFET
尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
1.0MAX
0.85
0.7
2.9
1.9
0.95 0.95
特点
1） QS6M4结合了P沟道MOSFET和一个N沟道
MOSFET的在单个TSMT6包。
2）低通态电阻具有快速切换。
3 ）低电压驱动（ 2.5V ） 。
(6)
(5)
(4)
1.6
2.8
0~0.1
(1)
(2)
(3)
1PIN MARK
0.4
0.16
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： M04
应用
负荷开关，逆变器
包装规格
包
TYPE
QS6M4
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
等效电路
(6)
(5)
1
(4)
0.3~0.6
2
2
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
安装在陶瓷基板
1
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
1
I
S
I
SP
1
P
D
2
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
范围
N沟道
P沟道
30
20
±12
±12
±1.5
±1.5
±6.0
±6.0
0.8
0.75
6.0
6.0
1.25
0.9
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
°C
°C
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 4 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 5 ） Tr2的（ PCH）门
（ 6 ） Tr1的（ N沟道）漏
热阻
参数
渠道环境
安装在陶瓷基板
符号
RTH （ CH -A ）
范围
100
139
单位
°C
/ W /总
°C
/ W /元
REV.B
1/5
QS6M4
晶体管
P沟道
电气特性曲线
1000
栅源电压：
V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
1000
电容：C （PF ）
t
f
100
C
国际空间站
100
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 4.5V
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 1.5A
R
G
=10
脉冲
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
C
OSS
C
RSS
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
2.5
3.0
3.5
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
1
400
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
I
D
= 1.5A
I
D
= 0.75A
源电流：
I
S
(A)
V
DS
= 10V
脉冲
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
500
10
Ta=25°C
脉冲
漏电流：
I
D
(A)
Ta=25°C
V
GS
=0V
脉冲
1
300
200
0.1
0.01
100
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
10000
V
GS
= 4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
10000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 2.5V
脉冲
1000
1000
1000
100
100
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
REV.B
5/5
QS6M4
晶体管
小开关
QS6M4
特点
1） QS6M4结合了P沟道沟槽MOSFET用
N沟道MOSFET的沟道中的单个TSMT6包。
2 ） P沟道沟槽MOSFET和N沟道沟槽MOSFET
具有低导通状态电阻与快速切换。
3 ） P沟道沟槽MOSFET的neucted低电压驱动
(2.5V).
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
1PIN MARK
(1)
2.8
1.6
(6)
0.4
(3)
0.16
(4)
应用
负荷开关，逆变器
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号：
M04
结构
硅P沟道MOS场效应管
硅N沟道MOS FET
等效电路
(6)
(5)
1
(4)
0.85
2.9
(2)
(5)
包装规格
包
TYPE
QS6M4
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
3000
2
2
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（ 1 ） Tr1的（ N沟道）来源
（ 2 ） Tr1的（ N沟道）门
（ 3 ） Tr2的（ PCH）漏
（ 4 ） Tr2的（ PCH）来源
（ 5 ） Tr2的（ PCH）门
（ 6 ） Tr1的（ N沟道）漏
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
连续
脉冲
连续
脉冲
范围
N沟道
P沟道
30
20
12
12
±1.5
±1.5
±6.0
±6.0
0.8
0.75
6.0
6.0
1.25
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
热阻
(Ta=25°C)
参数
渠道环境
符号
RTH （ CH -A ）
范围
100
单位
°C
/ W
1/5
QS6M4
晶体管
P沟道
电气特性曲线
1000
栅源电压：
V
GS
(V)
切换时间： T（ NS ）
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
国际空间站
1000
电容：C （PF ）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 4.5V
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 1.5A
R
G
=10
脉冲
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
C
OSS
C
RSS
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
2.5
3.0
3.5
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型电容
与漏源电压
图2开关特性
图3动态输入特性
400
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
I
D
= 1.5A
I
D
= 0.75A
源电流：
I
S
(A)
V
DS
= 10V
脉冲
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
500
Ta=25°C
脉冲
10
漏电流：
I
D
(A)
Ta=25°C
V
GS
=0V
脉冲
1
300
200
0.1
0.01
100
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
0
0
2
4
6
8
10
12
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源
通态电阻VS.
栅源电压
图6源电流和
源 - 漏电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
10000
V
GS
= 4V
脉冲
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
10000
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
V
GS
= 2.5V
脉冲
1000
1000
1000
100
100
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图7静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ Ι ）
图8静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙ ）
图9静态漏源
导通状态电阻
与漏电流（ ΙΙΙ ）
5/5
QQ：2880707522 复制
