QS6J1
晶体管
小开关（ -20V ，
1.5A)
QS6J1
特点
1）两个P沟道MOSFET晶体管在单个TSMT6
封装。
2 ） P沟道MOSFET Treueh具有低导通电阻
用快速切换。
3 ） N沟道MOSFET Treueh反应低电压驱动
(2.5V).
外形尺寸
（单位：毫米）
TSMT6
1PIN MARK
(1)
2.8
1.6
(6)
0.4
(3)
0.16
(4)
应用
开关
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号：
J01
结构
硅P沟道MOSFET
等效电路
(6)
2
(5)
2
(4)
包装规格
包
TYPE
QS6J1
(1)
TAPING
TR
3000
1
(2)
1
(3)
（1） Tr1的栅极
（2） Tr2的源
（3） Tr2的栅
（ 4 ） Tr2的漏
（ 5 ） Tr1的源代码
（ 6 ） Tr1的漏
CODE
基本订购单位（件）
1
ESD保护二极管
2
体二极管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
总功耗
通道温度
储存温度范围
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
P
D
总胆固醇
TSTG
范围
20
+
12
+
1.5
+
6
0.75
6
1.25
150
55
to
+150
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
C
C
1
1
2
1
Pw
＆ LT ;
为10μs ，占空比
＆ LT ;
1%
2
安装在陶瓷基板
热阻
参数
渠道环境
符号
RTH （ CH -A ）
范围
100
单位
°C
/ W /总
0.85
2.9
(2)
(5)
1/3
QS6J1
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
参数
符号最小值。
I
GSS
栅源漏
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
20
零栅极电压漏极电流
I
DSS
V
GS （ TH）
0.7
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
R
DS （ ON）
阻力
1.0
Y
fs
正向转移导纳
C
国际空间站
输入电容
C
OSS
输出电容
反向传输电容
C
RSS
导通延迟时间
t
D（上）
上升时间
t
r
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
下降时间
t
f
总栅极电荷
Q
g
栅极 - 源
收费
Q
gs
栅极 - 漏极
收费
Q
gd
*脉冲
典型值。
155
170
310
270
40
35
10
12
45
20
3.0
0.8
0.85
马克斯。
±10
1
2.0
215
235
430
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=±12V,
V
DS
=0V
I
D
= -1mA ，
V
GS
=0V
V
DS
= 20V,
V
GS
=0V
V
DS
= 10V,
I
D
= -1mA
I
D
= 1.5A,
V
GS
= 4.5V
I
D
= 1.5A,
V
GS
= 4V
I
D
= 0.75A,
V
GS
= 2.5V
V
DS
= 10V,
I
D
= 0.75A
V
DS
= 10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 0.75A
V
DD
15
V
V
GS
= 4.5V
R
L
=20
R
G
=10
V
DD
15V
R
L
=10
V
GS
= 4.5V
R
G
=10
I
D
= 1.5A
体二极管
（源极 - 漏极）
参数
正向电压
符号
V
SD
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
S
= 0.75A,
V
GS
=0V
电气特性曲线
1000
栅源电压：
V
GS
(V)
Ta=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
C
国际空间站
1000
切换时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
= 4.5A
R
G
=10
脉冲
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
0.5
1
1.5
2
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 1.5A
R
G
=10
脉冲
100
t
D（关闭）
t
D（上）
t
r
10
C
OSS
C
RSS
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
2.5
3
3.5
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图1典型的电容与
漏源电压
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
图2开关特性
图3动态输入特性
漏电流：
I
D
(A)
400
I
D
= 1.5A
I
D
= 0.75A
1
0.1
Ta=125°C
Ta=75°C
Ta=25°C
TA
25°C
源电流：
I
S
(A)
V
DS
= 10V
脉冲
500
Ta=25°C
脉冲
10
Ta=25°C
V
GS
=0V
脉冲
300
1
200
0.1
0.01
100
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
0
0
2
4
6
8
10
12
栅源电压：
V
GS
(V)
栅源电压：
V
GS
(V)
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
图4典型的传输特性
图5静态漏源导通状态
电阻与栅源
电压
图6源电流和
源 - 漏电压
2/3
附录
笔记
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该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
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凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
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（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
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订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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