【QS5U33晶体管4V驱动P沟道+ SBD MOSFETQS5U33结构硅P沟道MOSFET肖特基二】,IC型号QS5U33,QS5U33 PDF资料,QS5U33经销商,ic,电子元器件-51电子网

QS5U33

晶体管

4V驱动P沟道+ SBD MOSFET

QS5U33

结构

硅P沟道MOSFET

肖特基二极管

尺寸

（单位：毫米）

TSMT5

1.0MAX

2.9

1.9

0.95 0.95

0.85

0.7

特点

1） QS5U33结合了P沟道MOSFET与

肖特基势垒二极管中TSMT5包。

2）低导通状态电阻与快速切换。

3 ）低电压驱动（ 4V ）。

4 ）内置肖特基势垒二极管具有低正向电压。

应用

负载开关，DC / DC转换

(5)

(4)

1.6

2.8

0~0.1

(1)

(2)

(3)

0.4

0.16

每根导线具有相同的尺寸

缩写符号： U33

包装规格

包

TYPE

QS5U33

CODE

基本订购单位（件）

TAPING

3000

等效电路

(5)

(4)

(1)

ESD保护二极管

体二极管

(2)

(3)

(1)Gate

(2)Source

(3)Anode

(4)Cathode

(5)Drain

保护二极管已buitt在栅极之间

源，以防止静电当产品

正在使用中。用保护电路的额定电压超过时。

0.3~0.6

1/4

QS5U33

晶体管

绝对最大额定值

(Ta=25°C)

＆ LT ;

MOSFET

＆ GT ;

参数

漏源电压

栅源电压

漏电流

源出电流

（体二极管）

通道温度

功耗

参数

反向重复峰值电压

反向电压

正向电流

正向电流浪涌峰值

结温

电源dispation

连续

脉冲

连续

脉冲

符号

DSS

GSS

总胆固醇

符号

FSM

＆ LT ;

＆ GT ;

范围

±20

±2.0

±8.0

0.75

8.0

150

0.9

范围

1.0

3.0

150

0.7

范围

1.25

+150

单位

°C

W /元

单位

°C

W /元

单位

W / TOTAL

°C

＆ LT ;

MOSFET和迪

＆ GT ;

参数

总功耗

strage温度范围

符号

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

60Hz

1cyc.

安装在陶瓷板上。

电气特性

(Ta=25°C)

＆ LT ;

MOSFET

＆ GT ;

参数

符号

栅源漏

GSS

漏源击穿电压

（ BR ） DSS

零栅极电压漏极电流

DSS

栅极阈值电压

GS （ TH）

静态漏源导通starte

阻力

正向转移导纳

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

总栅极电荷

栅极 - 源

收费

栅极 - 漏极

收费

脉冲

DS （ ON）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

分钟。

1.0

1.4

典型值。

145

160

310

3.4

1.0

1.3

马克斯。

±10

2.5

135

205

225

单位

条件

±20V,

= 0V

1mA,

= 0V

30V,

= 0V

10V,

1mA

2A,

10V

1A,

4.5V

1A,

4.0V

10V,

10V

= 0V

f=1MHz

10V

7.5

＆ LT ;

MOSFET

＆ GT ;

体二极管（源极 - 漏极）

参数

正向电压

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

1.2

单位

条件

0.75V

, V

= 0V

＆ LT ;

＆ GT ;

参数

正向电压

反向电流

符号

分钟。

典型值。

马克斯。

0.45

200

单位

条件

= 1.0V

= 20V

2/4

QS5U33

晶体管

电气特性曲线

=10V

脉冲

1000

静态漏源导通电阻

（上） [毫欧]

1000

=4.5V

脉冲

静态漏源导通电阻

（上） [毫欧]

=10V

脉冲

漏电流：

(A)

0.1

Ta=125°C

75°C

25°C

100

0.01

0.001

Ta=125°C

75°C

25°C

Ta=125°C

75°C

25°C

0.0001

0.5

1.0

1.5

2.0

2.5

3.0

3.5

4.0

0.1

栅源电压

: V

[V]

漏电流

: I

[A]

漏电流

: I

[A]

图1典型的传输特性

图2静态漏源导通状态

阻力

VS.DRAIN CURRENT

图3静态漏源导通状态

阻力

VS.DRAIN CURRENT

1000

静态漏源导通电阻

（上） [毫欧]

静态漏源导通电阻

（上） [毫欧]

=4.0V

脉冲

400

反向漏电流

: I

[A]

TA = 25℃

脉冲

350

300

250

200

150

100

=0V

脉冲

100

Ta=125°C

75°C

25°C

Ta=125°C

75°C

25°C

0.1

漏电流

: I

[A]

0.01

0.5

1.0

1.5

图4静态漏源导通状态

性vs.Drain电流

栅源电压

: V

[V]

源极 - 漏极电压

: V

[V]

图5静态漏源导通状态

性vs.Gate源电压

图6反向漏电流

与源极 - 漏极电流

1000

TA = 25℃

f=1MHZ

=0V

1000

栅源电压： -V

[V]

开关时间

[ NS ]

电容

[ pF的]

TA = 25℃

=15V

=10V

=10

脉冲

TA = 25℃

=15V

=1A

=10

脉冲

国际空间站

100

D（关闭）

OSS

RSS

D（上）

0.01

0.1

100

0.01

0.1

漏源电压

: V

[V]

漏电流

: I

[A]

总栅极电荷

QG [ NC ]

图7典型Capactitance

vs.Drain源电压

图8的开关特性

图9动态输入特性

3/4

QS5U33

晶体管

1000

100

正向电流

[马]

100

反向电流

[A]

Ta=125°C

75°C

25°C

20°C

125°C

75°C

0.1

25°C

0.01

0.001

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

正向电压

[V]

0.0001

20°C

反向电压

[V]

图10前向温度特性

图11反向温度特性

4/4

附录

笔记

本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输

指无ROHM CO 。， LTD事先许可。

本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为

本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请

该规范将单独提供。

此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子

在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境

并决定在集合中的电路常数。

任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述

仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM

股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权

第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任

凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接

在使用这样的装置的。

一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或

以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业

利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利

罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。

本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。

本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用

（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气

电器及电子玩具）。

如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平

可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗

仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器

和其他安全设备），请务必提前与我们的销售代表咨询。

这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会

失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许

供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当

为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM

可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失

一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。

感谢您的访问，以ROHM的产品信息。

更详细的产品信息和目录都可以，请联系您最近的销售办事处。

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Appendix1-Rev2.0