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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第63页 > QS5U28
QS5U28
晶体管
小开关（ -20V ，
2.0A)
QS5U28
特点
1） QS5U28 conbines P沟道MOSFET Treueh用
肖特基势垒二极管在单一TSMT5包。
2 ） P沟道MOSFET Treueh具有低导通状态resisternce
用快速切换。
3 ） P沟道MOSFET Treueh是neucted低电压驱动
(2.5V).
4）独立地连接的肖特基势垒二极管
具有低的正向电压。
应用
负载开关，DC / DC转换
结构
硅P沟道MOS场效应晶体管
肖特基势垒二极管
外形尺寸
（单位：毫米）
2.8
TSMT5
0.4
(1)
1.6
0~0.1
(1)Gate
(2)Source
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
(3)
(4)
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
(5)
0.3~0.6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： U28
等效电路
(5)
(4)
2
包装规格
包
TYPE
QS5U28
TAPING
TR
3000
(1)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
1
(2)
(3)
(1)Gate
(2)Source
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
CODE
基本订购单位（件）
保护二极管已buitt在栅极之间
源，以防止静电当产品
正在使用中。用保护电路的额定电压超过时。
1.0MAX
0.16
0.85
0.7
1/4
QS5U28
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
＆ LT ;
MOSFET
＆ GT ;
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
通道温度
电源dispation
参数
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
正向电流浪涌峰值
结温
电源dispation
连续
脉冲
连续
脉冲
＆ LT ;
Di
＆ GT ;
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
总胆固醇
P
D
符号
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
Tj
范围
20
±12
±2.0
±8.0
1.0
8.0
150
0.9
范围
25
20
1.0
3.0
150
单位
V
V
A
A
1
A
A
1
°C
W /元
3
单位
V
V
A
A
2
°C
W /元
3
单位
P
D
符号
0.7
范围
＆ LT ;
MOSFET和迪
＆ GT ;
参数
总功率Dispation
strage温度范围
P
D
TSTG
1.25
55
to
+150
W / TOTAL
3
°C
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
60Hz
1cyc.
3
安装在陶瓷板上。
电气特性
(Ta=25°C)
＆ LT ;
MOSFET
＆ GT ;
参数
符号
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通starte
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
TUM -延迟时间
上升时间
TUM -断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
V
SD
分钟。
20
0.7
1.6
分钟。
典型值。
90
97
175
450
70
52
10
16
32
15
4.8
1.0
1.3
典型值。
马克斯。
±10
1
2.0
125
135
245
马克斯。
1.2
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
=
20V,
V
GS
= 0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
2A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
2A,
V
GS
=
4.0V
I
D
=
1A,
V
GS
=
2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1A
V
DS
=
10V
V
GS
= 0V
f=1MHz
V
DD
15
V
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1A
R
L
15
R
G
= 10
V
DD
15
V
V
GS
=
4.5V
I
D
=
2A
R
L
7.5
R
G
= 10
条件
I
S
=
1.0V
, V
GS
= 0V
＆ LT ;
MOSFET
＆ GT ;
体二极管（源极 - 漏极）
参数
正向电压
脉冲
单位
V
＆ LT ;
Di
＆ GT ;
参数
正向电压
反向漏
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
马克斯。
0.45
200
单位
V
A
条件
I
S
=
1.0V
V
R
= 20V
2/4
QS5U28
晶体管
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
V
DS
= 10V
脉冲
1000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1000
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
= 4V
脉冲
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100
100
0.01
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
栅源电压：
V
GS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（ Ι ）
图3静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（ ΙΙ ）
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
= 2.5V
脉冲
I
D
=
1A
I
D
=
2A
Ta=25°C
脉冲
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
1000
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
500
1000
Ta=25°C
脉冲
400
300
100
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100
V
GS
=2.5V
4.0V
4.5V
200
100
10
0.01
0
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
栅源电压：
V
GS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ ΙΙΙ ）
图5静态漏源导通状态
电阻与栅源
电压
图6静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
REVERCE漏电流：
I
DR
(A)
10
V
GS
=0V
脉冲
1000
Ta=25°C
f=1MH
Z
V
GS
=0V
C
国际空间站
1000
切换时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
=
15V
V
GS
=
4.5V
R
G
=10
脉冲
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
t
D（关闭）
100
C
OSS
C
RSS
0.1
10
t
D（上）
t
r
0.01
0
0.2
0.4
0.6 0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
图7反向漏电流 -
源 - 漏电压
图8典型的电容与
漏源电压
图9的开关特性
3/4
QS5U28
晶体管
栅源电压：
V
GS
(V)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
Ta=25°C
V
DD
=
15V
I
D
=
2A
R
G
=10
脉冲
5
6
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图10动态输入特性
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
t
D（上）
t
on
90%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
90%
t
r
10%
V
DS
V
GS
10%
50%
90%
50%
10%
图11开关时间测量电路
图12开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G（常量）
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
Q
gs
Q
gd
Q
g
收费
图13栅极电荷测量电路
图14栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QS5U28
晶体管
小开关（ -20V ，
2.0A)
QS5U28
特点
1） QS5U28 conbines P沟道MOSFET Treueh用
肖特基势垒二极管在单一TSMT5包。
2 ） P沟道MOSFET Treueh具有低导通状态resisternce
用快速切换。
3 ） P沟道MOSFET Treueh是neucted低电压驱动
(2.5V).
4）独立地连接的肖特基势垒二极管
具有低的正向电压。
应用
负载开关，DC / DC转换
结构
硅P沟道MOS场效应晶体管
肖特基势垒二极管
外形尺寸
（单位：毫米）
2.8
TSMT5
0.4
(1)
1.6
0~0.1
(1)Gate
(2)Source
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
(3)
(4)
0.95 0.95
1.9
2.9
(2)
(5)
0.3~0.6
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： U28
等效电路
(5)
(4)
2
包装规格
包
TYPE
QS5U28
TAPING
TR
3000
(1)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
1
(2)
(3)
(1)Gate
(2)Source
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
CODE
基本订购单位（件）
保护二极管已buitt在栅极之间
源，以防止静电当产品
正在使用中。用保护电路的额定电压超过时。
1.0MAX
0.16
0.85
0.7
1/4
QS5U28
晶体管
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
＆ LT ;
MOSFET
＆ GT ;
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
通道温度
电源dispation
参数
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
正向电流浪涌峰值
结温
电源dispation
连续
脉冲
连续
脉冲
＆ LT ;
Di
＆ GT ;
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
I
S
I
SP
总胆固醇
P
D
符号
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
Tj
范围
20
±12
±2.0
±8.0
1.0
8.0
150
0.9
范围
25
20
1.0
3.0
150
单位
V
V
A
A
1
A
A
1
°C
W /元
3
单位
V
V
A
A
2
°C
W /元
3
单位
P
D
符号
0.7
范围
＆ LT ;
MOSFET和迪
＆ GT ;
参数
总功率Dispation
strage温度范围
P
D
TSTG
1.25
55
to
+150
W / TOTAL
3
°C
1
PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％
2
60Hz
1cyc.
3
安装在陶瓷板上。
电气特性
(Ta=25°C)
＆ LT ;
MOSFET
＆ GT ;
参数
符号
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
I
DSS
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
静态漏源导通starte
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
TUM -延迟时间
上升时间
TUM -断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源
收费
栅极 - 漏极
收费
R
DS （ ON）
Y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
g
Q
gs
Q
gd
符号
V
SD
分钟。
20
0.7
1.6
分钟。
典型值。
90
97
175
450
70
52
10
16
32
15
4.8
1.0
1.3
典型值。
马克斯。
±10
1
2.0
125
135
245
马克斯。
1.2
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
±12V,
V
DS
= 0V
I
D
=
1mA,
V
GS
= 0V
V
DS
=
20V,
V
GS
= 0V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1mA
I
D
=
2A,
V
GS
=
4.5V
I
D
=
2A,
V
GS
=
4.0V
I
D
=
1A,
V
GS
=
2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
1A
V
DS
=
10V
V
GS
= 0V
f=1MHz
V
DD
15
V
V
GS
=
4.5V
I
D
=
1A
R
L
15
R
G
= 10
V
DD
15
V
V
GS
=
4.5V
I
D
=
2A
R
L
7.5
R
G
= 10
条件
I
S
=
1.0V
, V
GS
= 0V
＆ LT ;
MOSFET
＆ GT ;
体二极管（源极 - 漏极）
参数
正向电压
脉冲
单位
V
＆ LT ;
Di
＆ GT ;
参数
正向电压
反向漏
符号
V
F
I
R
分钟。
典型值。
马克斯。
0.45
200
单位
V
A
条件
I
S
=
1.0V
V
R
= 20V
2/4
QS5U28
晶体管
电气特性曲线
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
10
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
V
DS
= 10V
脉冲
1000
V
GS
= 4.5V
脉冲
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
1000
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
V
GS
= 4V
脉冲
漏电流：
I
D
(A)
1
0.1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100
100
0.01
0.001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
栅源电压：
V
GS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
漏电流：
I
D
(A)
图1典型的传输特性
图2静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（ Ι ）
图3静态漏源导通状态
电阻与漏极电流（ ΙΙ ）
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
V
GS
= 2.5V
脉冲
I
D
=
1A
I
D
=
2A
Ta=25°C
脉冲
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
1000
静态漏源
通态电阻：
R
DS （ ON）
(m)
500
1000
Ta=25°C
脉冲
400
300
100
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
100
V
GS
=2.5V
4.0V
4.5V
200
100
10
0.01
0
0.1
1
10
0
2
4
6
8
10
12
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：
I
D
(A)
栅源电压：
V
GS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ ΙΙΙ ）
图5静态漏源导通状态
电阻与栅源
电压
图6静态漏源导通状态
电阻与漏极电流
REVERCE漏电流：
I
DR
(A)
10
V
GS
=0V
脉冲
1000
Ta=25°C
f=1MH
Z
V
GS
=0V
C
国际空间站
1000
切换时间： T（ NS ）
电容：C （PF ）
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
=
15V
V
GS
=
4.5V
R
G
=10
脉冲
1
Ta=125°C
75°C
25°C
25°C
t
D（关闭）
100
C
OSS
C
RSS
0.1
10
t
D（上）
t
r
0.01
0
0.2
0.4
0.6 0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
源极 - 漏极电压：
V
SD
(V)
漏源电压：
V
DS
(V)
漏电流：
I
D
(A)
图7反向漏电流 -
源 - 漏电压
图8典型的电容与
漏源电压
图9的开关特性
3/4
QS5U28
晶体管
栅源电压：
V
GS
(V)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
Ta=25°C
V
DD
=
15V
I
D
=
2A
R
G
=10
脉冲
5
6
总栅极电荷：的Qg （ NC ）
图10动态输入特性
测量电路
脉冲宽度
V
GS
I
D
R
L
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
t
D（上）
t
on
90%
t
r
t
D（关闭）
t
关闭
90%
t
r
10%
V
DS
V
GS
10%
50%
90%
50%
10%
图11开关时间测量电路
图12开关波形
V
G
V
GS
I
D
R
L
I
G（常量）
D.U.T.
R
G
V
DD
V
DS
V
GS
Q
gs
Q
gd
Q
g
收费
图13栅极电荷测量电路
图14栅极电荷波形
4/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
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利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
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