QS5U23
晶体管
小开关（ -20V ， -1.5A ）
QS5U23
特点
1） QS5U23 conbines P沟道MOSFET与
肖特基势垒二极管在单一TSMT5包。
2 ） P沟道MOSSFET具有低导通电阻
用快速切换。
3 ） P沟道MOSFET反应低电压驱动（ 2.5V ）
4）独立地连接的肖特基势垒二极管
具有低的正向电压。
应用
负载开关，DC / DC转换
(5)
(4)
外形尺寸
（单位：毫米）
2.9
+
0.1
1.9
+
0.2
0.95 0.95
(5)
(4)
2.8
+
0.2
1.6
+0.2
0.1
00.1
(1)
(2)
(3)
+0.1
+0.1
0.16
0.06
0.4
0.05
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： U23
结构
硅P沟道MOSFET
肖特基势垒二极管
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
QS5U23
TAPING
TR
3000
(1)
2
(1)ANODE
(2)SOURCE
(3)GATE
(4)DRAIN
(5)CATHODE
1
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
等效电路
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
< MOSFET >
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
通道温度
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
范围
20
±12
±
1.5
±
6.0
0.75
3.0
150
V
V
A
A
A
A
°C
Pw
＆ LT ;
为10μs ，占空比
＆ LT ;
1%
=
=
Pw
＆ LT ;
10
s,
占空比
＆ LT ;
1%
=
=
单位
I
S
I
SP
总胆固醇
<迪>
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
正向电流浪涌峰值
结温
< MOSFET和DI >
总功耗
strage温度范围
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
Tj
30
20
0.5
2.0
125
V
V
A
A
°C
60HZ / 1CYC
P
D
TSTG
1.0
40125
W /总安装
陶瓷板
°C
0.30.6
1.0MAX
0.85
+
0.1
0.7
+
0.1
1/4
QS5U23
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
< MOSFET >
参数
符号
分钟。
20
0.7
1.0
典型值。
160
180
260
325
60
40
10
10
35
10
4.2
1.0
1.1
马克斯。
±10
1
2.0
200
240
340
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
±12V/
V
DS
=0V
I
D
=
1mA/
V
GS
=0V
V
DS
=20V/
V
GS
=0V
V
DS
=
10V/
I
D
=
1mA
I
D
=
1.5A,
V
GS
=4.5V
I
D
=
1.5A,
V
GS
=4V
I
D
=
0.75A,
V
GS
=2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
0.75A
V
DS
=
10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=
0.75A
V
DD
15
V
GS
=4.5V
R
L
=20
R
GS
=10
V
DD
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
*脉冲
Y
fs
*脉冲
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*脉冲
t
r
*脉冲
t
D（关闭）
*脉冲
t
f
*脉冲
Qg
QGS
QGD
静态漏源
导通状态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1
5V
V
GS
=4.5V
I
D
=
1.5A
< MOSFET >Body二极管（源极 - 漏极）
正向电压
<迪>
FOWARD电压降
反向漏
V
F
I
R
VSD
1.2
V
I
S
=
0.75A/
V
GS
=0V
0.36
0.47
100
V
V
A
I
F
=0.1A
I
F
=0.5A
V
R
=20V
2/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
QS5U23
晶体管
小开关（ -20V ， -1.5A ）
QS5U23
特点
1） QS5U23 conbines P沟道MOSFET与
肖特基势垒二极管在单一TSMT5包。
2 ） P沟道MOSSFET具有低导通电阻
用快速切换。
3 ） P沟道MOSFET反应低电压驱动（ 2.5V ）
4）独立地连接的肖特基势垒二极管
具有低的正向电压。
应用
负载开关，DC / DC转换
(5)
(4)
外形尺寸
（单位：毫米）
2.9
+
0.1
1.9
+
0.2
0.95 0.95
(5)
(4)
2.8
+
0.2
1.6
+0.2
0.1
00.1
(1)
(2)
(3)
+0.1
+0.1
0.16
0.06
0.4
0.05
每根导线具有相同的尺寸
缩写符号： U23
结构
硅P沟道MOSFET
肖特基势垒二极管
包装规格
包
TYPE
CODE
基本订购单位
（件）
QS5U23
TAPING
TR
3000
(1)
2
(1)ANODE
(2)SOURCE
(3)GATE
(4)DRAIN
(5)CATHODE
1
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
等效电路
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
< MOSFET >
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
通道温度
连续
脉冲
连续
脉冲
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
范围
20
±12
±
1.5
±
6.0
0.75
3.0
150
V
V
A
A
A
A
°C
Pw
＆ LT ;
为10μs ，占空比
＆ LT ;
1%
=
=
Pw
＆ LT ;
10
s,
占空比
＆ LT ;
1%
=
=
单位
I
S
I
SP
总胆固醇
<迪>
反向重复峰值电压
反向电压
正向电流
正向电流浪涌峰值
结温
< MOSFET和DI >
总功耗
strage温度范围
V
RM
V
R
I
F
I
FSM
Tj
30
20
0.5
2.0
125
V
V
A
A
°C
60HZ / 1CYC
P
D
TSTG
1.0
40125
W /总安装
陶瓷板
°C
0.30.6
1.0MAX
0.85
+
0.1
0.7
+
0.1
1/4
QS5U23
晶体管
电气特性
(Ta=25°C)
< MOSFET >
参数
符号
分钟。
20
0.7
1.0
典型值。
160
180
260
325
60
40
10
10
35
10
4.2
1.0
1.1
马克斯。
±10
1
2.0
200
240
340
单位
A
V
A
V
m
m
m
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
条件
V
GS
=
±12V/
V
DS
=0V
I
D
=
1mA/
V
GS
=0V
V
DS
=20V/
V
GS
=0V
V
DS
=
10V/
I
D
=
1mA
I
D
=
1.5A,
V
GS
=4.5V
I
D
=
1.5A,
V
GS
=4V
I
D
=
0.75A,
V
GS
=2.5V
V
DS
=
10V,
I
D
=
0.75A
V
DS
=
10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
=
0.75A
V
DD
15
V
GS
=4.5V
R
L
=20
R
GS
=10
V
DD
栅源漏
I
GSS
漏源击穿电压
V
（ BR ） DSS
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
*脉冲
Y
fs
*脉冲
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*脉冲
t
r
*脉冲
t
D（关闭）
*脉冲
t
f
*脉冲
Qg
QGS
QGD
静态漏源
导通状态电阻
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
1
5V
V
GS
=4.5V
I
D
=
1.5A
< MOSFET >Body二极管（源极 - 漏极）
正向电压
<迪>
FOWARD电压降
反向漏
V
F
I
R
VSD
1.2
V
I
S
=
0.75A/
V
GS
=0V
0.36
0.47
100
V
V
A
I
F
=0.1A
I
F
=0.5A
V
R
=20V
2/4
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品中使用硅作为基本材料。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.0
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 ， LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改，恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中，因此，请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时，请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据，包括但不限于：应用电路图信息，在此描述
仅作为这样的装置的示意图，而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保，任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利，并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权，或产生的事件的性质，或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备，比使用此类设备本身的买受人的权利等，转售或
以其他方式处置的同时，任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品的设备或设备要求非常高的水平
可靠性和使用，将直接危及人的生命发生故障（如医疗器械，
交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器等
安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
关于出口管制令日本
产品本文描述的品控对象附件出口贸易管制的1 （ 16项）
订单在日本。
在从日本出口，请确认它是否适用于"objective"标准或"informed" （由通产省第）
对"catch大规模杀伤性武器不扩散的所有控件的基础。
Appendix1-Rev1.1
QQ：2880707522 复制
