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QS5820T
保证低偏移CMOS 20输出时钟驱动器/缓冲器
商业级温度范围
保证低偏移
20 CMOS输出
时钟驱动器/缓冲器
产品特点:
20输出,低偏移时钟信号缓冲器
高驱动FCT型输出
低噪音低摆幅输出TTL
输入迟滞为更好的噪声容限
监视器输出
保证低偏移
- 0.5ns的输出偏移
- 0.7ns脉冲偏斜
- 1ns的一部分,对部分歪斜
可提供40引脚QVSOP
QS5820T
描述:
该QS5820T时钟驱动器/缓冲器电路可以用于时钟distri-
bution方案,其中低歪曲率,高速,占地面积小的
主要关注点。该QS5820T提供四家银行的五个非反相
输出。在IDT专有的QCMOS工艺设计,设备
提供低传输延迟缓冲带片上歪斜的0.5ns的
同样的过渡,同时银行的信号。该QS5820T提供了重要的歪斜
以上八类设备,其中总部件到部件歪斜(叔优势
SK (t)的
)
>1ns的是不能接受的。此外,板的面积消耗的
QVSOP包几乎是三分之一,典型的SOIC封装
可供八进制的设备。此时钟缓冲器产品是专为使用
高性能工作站,多板计算和telecommuni-
阳离子体系。该QS5820T是在40引脚封装QVSOP可用
年龄它提供了世界上最小的逻辑足迹。
功能框图
奥斯特
5
IN A
OA
1
一个-O
5
OE B
5
IN B
OB
1
-O B
5
MONB
OEC
5
INC。
OC
1
-OC
5
OED
5
IND
OD
1
-OD
5
MO ND
商业级温度范围
1
c
2000
集成设备技术有限公司
2000年12月
DSC-5822/-
QS5820T
保证低偏移CMOS 20输出时钟驱动器/缓冲器
商业级温度范围
引脚配置
V
DD
OA
1
OA
2
OA
3
GND
OA
4
OA
5
GND
OEA
IN A
V
DD
OC
1
OC
2
OC
3
GND
OC
4
OC
5
GND
OE
INC。
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
SO 40-1
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
40
39
38
37
36
35
34
33
32
V
DD
OB
1
OB
2
OB
3
GN
OB
4
OB
5
MO B
OEB
IN B
V
DD
OD
1
OD
2
OD
3
GN
OD
4
OD
5
MO ND
OED
IND
绝对最大额定值
符号
V
TERM(2)
V
TERM(3)
V
TERM(3)
V
AC
I
OUT
P
最大
T
英镑
等级
电源电压对地
DC开关电压V
S
直流输入电压V
IN
交流输入电压(脉冲宽度
≤20ns)
DC输入二极管电流与V
IN
& LT ; 0
直流输出电流最大灌电流/针
最大功率耗散
存储温度范围
马克斯。
-0.5到+7
-0.5到+7
-0.5到+7
–3
–20
120
1.2
(1)
单位
V
V
V
V
mA
mA
W
°C
-65到+150
注意事项:
1.强调超过绝对最大上市
额定值可能会导致器件的永久性损坏。这是一个
值仅为该器件在这些功能操作或
上面的任何其他条件的业务部门所标明
本规范是不是暗示。暴露在绝对最大
额定条件下长时间可能会影响其可靠性。
2. V
DD
终端。
除了V 3.所有终端
DD
.
电容
(T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时, V
IN
= 0V, V
OUT
= 0V)
引脚
所有引脚
典型值。
5
马克斯。
8
单位
pF
注意:
1.电容的特点,但未经测试。
引脚说明
引脚名称
OEA , OEB , OEC , OED
INA , INB , INC。 , IND
OAN , OBn的合成,限时OCn , ODN
MONB , MOND
TYPE
I
I
O
O
描述
输出使能输入
时钟输入
时钟输出
非禁用监视器输出
QVSOP
顶视图
推荐工作
条件
符号
V
DD
V
IN
V
OUT
T
A
描述
电源电压
输入电压
施加电压到输出
工作环境温度
分钟。
4.75
0
0
0
马克斯。
5.25
5.5
5.5
+70
单位
V
V
V
°C
2
QS5820T
保证低偏移CMOS 20输出时钟驱动器/缓冲器
商业级温度范围
直流电气在整个工作范围特性
符号
V
IH
V
IL
V
IC
V
OH
V
OL
I
IN
I
OZ
I
OS
参数
输入高电压
输入低电压
钳位二极管电压
(3)
输出高电压
输出低电压
输入漏电流
输出漏电流
短路电流
(2,3)
条件
为保证输入逻辑高电平
为保证输入逻辑低电平
V
DD
=最小值,我
IN
=
18mA
V
DD
=最小值,我
OH
=
24mA
V
DD
=最小值,我
OL
= 64毫安
V
DD
=最大,V
IN
= V
DD
或GND
V
DD
=最大值,输出高阻
V
DD
=最大,V
OUT
= GND
分钟。
2
2.4
60
典型值。
0.7
马克斯。
0.8
1.2
0.55
±1
±1
单位
V
V
V
V
V
A
A
mA
注意事项:
1.典型值是在V
DD
= 5.0V ,T
A
= 25°C.
2.不超过一个输出应当被用来测试该高功率状态。持续时间
≤1
第二个。
3.设计保证,但未经测试。
电源特性
符号
I
CC
I
CC
I
CCD
参数
静态电源电流
每输入高电平电源电流
每个输出动态电源电流
(2)
测试条件
(1)
V
DD
=最大,V
IN
= GND或V
DD
V
DD
=最大,V
IN
= 3.4V ,女
I
= 0MHz处
V
DD
=最大,V
IN
= GND或V
DD
输出使能, 50%占空比
典型值。
(3)
0.4
0.5
0.1
马克斯。
3
2.5
0.2
单位
mA
mA
毫安/ MHz的
注意事项:
1.对于显示为最小值的条件。或最大,在使用直流规范中规定的相应值。
2.保证,但未经测试。
3.典型值仅作为参考。条件是V
DD
= 5.0V和T
A
= 25°C.
4. I
C
= I
CC
+ (I
CC
)(D
H
)(N
T
) + I
CCD
(f
O
)(N
O
)
其中:
D
H
=输入占空比
N
T
=的TTL高电平输入的D号
H
f
O
=输出频率
N
O
输出数=在f
O
3
QS5820T
保证低偏移CMOS 20输出时钟驱动器/缓冲器
商业级温度范围
SKEW特征在操作范围内
QS5820AT
符号
t
SK(01)
t
SK(02)
t
SK (p)的
t
SK (t)的
描述
(1)
两个输出间偏斜,相同的过渡,同一家银行
两个输出间偏斜,相同的过渡,不同的银行
占空比失真(脉冲偏斜)在一个单一的输出相反的转换(T
PHL
- t
PLH
)
部分到部分歪斜,相同的过渡
(2)
分钟。
马克斯。
0.5
0.6
1
1.5
QS5820BT
分钟。
马克斯。
0.5
0.6
0.7
1
单位
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.斜参数在整个温度范围内保证,但未经生产测试。歪斜的参数只适用于传输延迟。
2. t
SK (t)的
仅适用于相同的过渡装置,同V
DD
,同样的温度,同样的速度等级,并且同样装载。
开关特性在工作范围
C
负载
= 50pF的,R
负载
= 500Ω ,除非另有说明。
QS5820AT
符号
t
PLH
t
PHL
t
R
t
F
t
PZL
t
PZH
t
PLZ
t
PHZ
描述
(1)
传播延迟
(1,2)
输出上升时间, 0.8V至2V
输出下降时间, 2V至0.8V
输出使能时间
输出禁止时间
分钟。
1.5
1.5
1.5
马克斯。
5.8
1.5
1.5
8
7
分钟。
1.5
1.5
1.5
QS5820BT
马克斯。
5
1.5
1.5
7
6
单位
ns
ns
ns
ns
ns
注意事项:
1.保证最低金额,但未经测试。
2.敏表示传播延迟范围。和Max 。规格结果从过程和环境变量。这些传播
延迟的限制并不意味着歪斜。
4
QS5820T
保证低偏移CMOS 20输出时钟驱动器/缓冲器
商业级温度范围
订购信息
QS
XXX
XX
设备类型
Q2
四分之一大小非常钐所有封装( SO40-1 )
5820AT
5820BT
保证低偏移的CM OS 20输出时钟
驱动器/缓冲器
公司总部
2975斯坦德路
圣克拉拉, CA 95054
销售:
800-345-7015或408-727-6116
传真: 408-492-8674
www.idt.com *
*为了寻找售楼处靠近你,请点击销售按钮在我们的主页上找到或拨打800 #以上的,按2 。
IDT标志是集成设备技术,Inc.的注册商标。
Turboclock是集成设备技术,Inc.的注册商标。
5
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