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QRD1313重新FL ective物体传感器
2005年3月
QRD1313
再FL ective物体传感器
特点
PHOTODARLINGTON输出
包装尺寸
聚焦传感表面扩散
低成本的塑料外壳
设计用于纸张路径和其它非接触面
传感
描述
该QRD1313重新FL ective传感器由红外线发光的
二极管和NPN硅光电复合并排安装
在一个黑色的塑料外壳。光轴上的辐射发射器的
和检测器的轴上响应都是垂直
到QRD1313的脸。该光电复合回应
从所述二极管发射的辐射只有当重新FL ective对象或
表面是在视检测器的网络连接场。
包装尺寸
0.083 (2.11)
光纤
CENTERLINE
0.240 (6.10)
0.120 (3.05)
引脚1指示
0.173 (4.39)
0.183 (4.65)
0.500 (12.7)
0.020 (0.51)
SQ 。 ( 4X)
2
3
0.100 (2.54)
1
4
概要
2
3
0.083 (2.11)
PIN 1个集热器
PIN 2辐射源
3脚阳极
PIN 4阴极
注意事项:
1,外形尺寸为所有的图纸都是以英寸(毫米) 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 ( 0.25 )
除非另有规定ED 。
3.引脚2和4一般.050 “比引脚1和3短。
4.尺寸在外壳表面进行控制。
1
4
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
QRD1313版本1.0.1
QRD1313重新FL ective物体传感器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编)
参数
工作温度
储存温度
焊接温度
焊接温度
辐射源
连续正向电流
反向电压
功耗
(1)
传感器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
功耗
(1)
V
首席执行官
V
ECO
P
D
15
5
100
V
V
mW
I
F
V
R
P
D
50
5
100
mA
V
mW
(铁)
(2,3,4)
(流)
(2,3)
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
等级
-40至+85
-40至+100
240 ,持续5秒
260 ,持续10秒
单位
°C
°C
°C
°C
注意事项:
1.减免功耗线性1.33毫瓦/°C, 25°C以上。
2. RMA通量建议。
3.烙铁头1/16“ (1.6毫米),最小的住房。
4.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力。
5. D是从传感器表面到重FL ective表面的距离。
6.串扰(我
CK
)是与所指示的当前测量的输入二极管和没有重新佛罗里达州ective的集电极电流
表面。
7.使用柯达中性白测试卡, 90 %的测量扩散再FL阿拉斯作为再FL阿拉斯表面。
电/光特性
(T
A
=25°C)
参数
INPUT (发射器)
正向电压
反向漏电流
OUTPUT ( SENSOR)
发射极到集电极击穿
集电极到发射极击穿
集电极到发射极漏
再加
通态集电极电流
(5,7)
相声
(8)
饱和电压
(5,7)
I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 5V , D = .050 “
I
F
能力= 20 mA ,V
CE
= 5.0V , EE = 0
I
F
= 20 mA时,我
C
= 2毫安, D = .050 “
I
C( ON)
I
CK
V
CE ( SAT )
10.0
10
1.10
mA
A
V
I
E
= 100 μA , EE = 0
I
C
= 100 μA , EE = 0
V
CE
= 5 V , EE = 0
BV
ECO
BV
首席执行官
I
首席执行官
5
15
250
V
V
nA
I
F
= 20毫安
V
R
= 2 V
V
F
I
R
1.7
100
V
A
测试条件
符号
典型值
最大
单位
2
QRD1313版本1.0.1
www.fairchildsemi.com
QRD1313重新FL ective物体传感器
典型性能曲线
图。 1正向电压与正向电流
1.60
图。 2归集电极电流与正向电流
1.6
1.40
1.4
I
C
- 集电极电流(毫安)
V
F
- 正向电压( V)
1.2
1.20
1.0
1.00
0.8
0.80
0.6
0.60
0.4
Vceo=5V
D=0.05"
0.40
0.2
0.20
0.1
1.0
10
100
0.0
0
10
20
30
40
50
I
F
- 正向电流(mA )
I
F
- 正向电流(mA )
图。 3归集电极电流与温度的关系
1.00
图。 4归集电极暗电流与温度的关系
I
首席执行官
- 归一化暗电流
I
C
- 集电极电流(毫安)
0.8
10
4
V
CE
= 20 V
0.6
10
5
0.4
V
CE
= 30 V
V
CE
= 10 V
10
2
0.2
I
F
= 10米,
V
CE
= 5 V
10
0
-50
-25
0
25
50
75
V
CE
= 10 V
I
F
= 0毫安
T
A
= 25°C
1
0
25
50
75
100
T
A
- 环境温度( ° C)
T
A
- 环境温度( ° C)
图。 5归集电极电流与距离
1.0
I
F
= 20米,
V
CE
= 5 V
归一化集电极电流(毫安)
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
距离密尔
3
QRD1313版本1.0.1
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QRD1313重新FL ective物体传感器
商标
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并非意在将所有这样的商标的详尽清单。
ACEX
ActiveArray
FASTr
深不见底 FPS
CoolFET
FRFET
CROSSVOLT
GlobalOptoisolator
DOME
GTO
EcoSPARK HiSeC
E
2
CMOS
I
2
C
Ensigna
我罗
FACT
ImpliedDisconnect
FACT静音系列
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
一刀切。周围的世界。 OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
电源特许经营
吃豆
可编程有源下垂
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
放弃
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产品中,为了提高可靠性,功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
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生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用:
2.关键部件是在生命的任何组件
1.生命支持设备或系统的设备或
支持设备或系统,其故障执行能
其中, ( a)打算通过外科手术移植到系统中
可以合理预期造成的生命的失败
人体,或(b )支持或维持生命,或(c ),其
支持设备或系统,或影响其安全性或
不履行时,按照正确使用
与标示中的使用说明,可以
有效性。
合理预期会导致显著伤害
用户。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
形成或
在设计
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据,和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候,恕不另行通知,以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知,以便随时改进设计。
初步
一是生产
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
修订版I15
4
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