QRD1113 / 1114重新FL ective物体传感器
2006年9月
QRD1113/1114
再FL ective物体传感器
特点
■
光电晶体管输出
包装尺寸
■
无接触面传感
■
聚焦传感表面扩散
■
紧凑的封装
■
传感器日光滤波器
tm
描述
该QRD1113 / 14再FL ective传感器由红外线但排放的
婷二极管和一个NPN硅光电复合并排安装
一边在一个黑色的塑料外壳。在上轴辐射但排放的
器和检测器的轴上响应都是perpendic-
ular到QRD1113 / 14的面。该光电复合
响应辐射从二极管发出仅当重新佛罗里达州EC-
略去物体或表面是在视检测器的网络连接场。
包装尺寸
0.083 (2.11)
光纤
CENTERLINE
0.240 (6.10)
0.120 (3.05)
引脚1指示
0.173 (4.39)
0.183 (4.65)
0.500 (12.7)
民
0.020 (0.51)
SQ 。 （ 4X）
2
3
0.100 (2.54)
1
4
概要
2
3
0.083 (2.11)
PIN 1个集热器
PIN 2辐射源
3脚阳极
PIN 4阴极
注意事项：
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
3.引脚2和4一般0.050"比引脚1和3短。
4.尺寸在外壳表面进行控制。
1
4
2005仙童半导体公司
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QRD1113 / 1114修订版1.0.1
QRD1113 / 1114重新FL ective物体传感器
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（烙铁）
(2,3)
焊接温度（焊接
辐射源
连续正向电流
反向电压
功耗
(1)
传感器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
功耗
(1)
V
首席执行官
V
ECO
P
D
100
30
V
V
mW
I
F
V
R
P
D
50
5
100
mA
V
mW
流）
(2,3)
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
等级
-40至+85
-40至+100
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
°C
电/光特性
(T
A
= 25°C)
符号参数
INPUT （发射器）
V
F
I
R
λ
PE
BV
首席执行官
BV
ECO
I
D
再加
I
C（ ON）
I
C（ ON）
V
CE （ SAT ）
I
CX
t
r
t
f
QRD1113集电极电流
QRD1114集电极电流
集电极发射极饱和
电压
相声
上升时间
下降时间
I
F
= 20mA时， V
CE
= 5V ， D = 0.050"
(6,8)
I
F
= 20mA时， V
CE
= 5V ， D = 0.050"
(6,8)
I
F
= 40毫安，我
C
= 100μA ， D =
.050"
(6,8)
0.300
1
—
—
—
—
—
—
—
.200
10
50
—
—
0.4
10
—
—
mA
mA
V
A
s
s
正向电压
反向漏电流
峰值发射波长
集电极 - 发射极击穿
发射极 - 集电极击穿
暗电流
I
F
= 20mA下
V
R
= 5V
I
F
= 20mA下
I
C
= 1毫安
I
E
= 0.1毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 0毫安
—
—
—
30
5
—
—
—
940
—
—
—
1.7
100
—
—
—
100
V
A
nm
V
V
nA
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
OUTPUT （ SENSOR）
I
F
= 20mA时， V
CE
= 5V ，E
E
= 0
(7)
V
CE
= 5V ，R
L
= 100
, I
C（ ON）
= 5毫安
注意事项：
1.减免功耗线性1.33毫瓦/°C， 25°C以上。
2. RMA通量建议。
3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。
4.烙铁头1/16“ （1.6毫米），最小的住房。
5.只要线索都没有在任何压力或弹簧张力。
6. D是从传感器表面到重FL ective表面的距离。
7.串扰（我
CK
）是与所指示的当前测量的输入二极管和没有重新佛罗里达州ective的集电极电流
表面。
8.使用柯达中性白测试卡， 90 ％的测量扩散再FL阿拉斯作为再FL阿拉斯表面。
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典型性能曲线
图。 1正向电压 -
正向电流
1.60
1.40
图。 2归集电极电流 -
正向电流
10.0
图。 3归集电极电流 -
温度
1.0
I
C
- 集电极电流（毫安）
I
C
- 集电极电流（毫安）
V
F
- 正向电压（毫伏）
1.20
1.00
0.20
0.60
1.00
0.8
0.6
0.10
0.4
0.01
V
CE
= 5 V
D = 0.05"
.001
0.2
0.40
0.20
0.1
1.0
10
100
I
F
= 10毫安
V
CE
= 5 V
0
0
10
20
30
40
50
-50
-25
0
25
50
75
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（mA ）
T
A
- 环境温度（ ° C）
图。 4归集电极暗电流与
温度
10
2
V
CE
= 10 V
归一化 - 集电极电流（毫安）
图。 5归集电极电流 -
距离
1.0
.9
.8
.7
.6
.5
.4
.3
.2
.1
0
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
I
F
= 20毫安
V
CE
= 5 V
I
D
- 集电极暗电流
10
1
10
1.0
10
-1
10
-2
10
-3
-50
-25
0
25
50
75
100
反射面距离（密耳）
T
A
- 环境温度（ ° C）
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ACEX
ActiveArray
深不见底
构建它现在
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CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
快
FASTr
FPS
FRFET
FACT静音系列
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
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QFET
QS
QT光电
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SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
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SuperSOT-6
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UHC
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UltraFET
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一是生产
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满负荷生产
过时的
不在生产中
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