PHOTOTRANSISTOR
反光物体传感器
QRB1133
包装尺寸
QRB1134
0.420 (10.67)
24.0 (609.60)
MIN ＃ 26 AWG
(A)
0.328 (8.33)
0.150 (3.81)
喃
E
(K)
0.226 (5.74)
0.373 (9.47)
0.703 (17.86)
(E)
(C)
S
0.020 (0.51)
4X
0.300 (7.62)
0.150 (3.81)
民
0.603 (15.32)
反光
表面
0.210 (5.33)
功能
（C ）集电极
（ E）辐射源
（K ）阴极
（A ）阳极
导线颜色
白
蓝
绿色
橙
概要
注意事项：
1，外形尺寸为所有的图纸都是以英寸（毫米） 。
在所有非标称尺寸2.公差± 0.010 （ 0.25 ）
除非另有规定ED 。
A
K
C
E
描述
该QRB1133 / 1134包括一个红外发光二极管和一个NPN硅光电晶体管并排安装在一个converg-
荷兰国际集团光轴在一个黑色的塑料外壳。光电晶体管响应辐射从发光二极管仅在反射
对象的视场之内穿过。最佳响应的面积近似直径的圆0.200 “ 。
特点
光电晶体管输出
高灵敏度
低成本塑料外壳
＃ 26 AWG ， 24英寸的PVC电线端接
红外透明塑料盖防尘保护
2001年仙童半导体公司
DS300351
7/02/01
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反光物体传感器
QRB1133
绝对最大额定值
参数
工作温度
储存温度
焊接温度（铁）
(2,3,4)
焊接温度（流动）
(2,3)
辐射源
连续正向电流
反向电压
功耗
(1)
传感器
集电极 - 发射极电压
发射极 - 集电极电压
集电极电流
功耗
(1)
V
首席执行官
V
ECO
I
C
P
D
30
50
20
100
V
V
mA
mW
I
F
V
R
P
D
50
5
100
mA
V
mW
(T
A
= 25 ° C除非另有规定编）
符号
T
OPR
T
英镑
T
SOL -I
T
SOL -F
等级
-40至+85
-40至+85
240 ，持续5秒
260 ，持续10秒
单位
°C
°C
°C
°C
QRB1134
笔记
1.减免功耗线性1.67毫瓦/°C， 25°C以上。
2. RMA助焊剂，推荐。
3.甲醇或异丙醇的醇被推荐作为清洗剂。
4.烙铁
1/16”
（ 1.6毫米）从最低住房。
5. D是从装配面到重新FL ective表面的距离。
6.使用柯达中立测试卡有90％的扩散重新佛罗里达州阿拉斯表面测量。
7.相声与电流下测得的输入二极管，也没有再FL阿拉斯表面的光电流。
电/光特性
参数
测试条件
(T
A
= 25°C)
符号
民
典型值
最大
单位
辐射源
正向电压
反向电流
峰值发射波长
传感器
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 集电极击穿电压
集电极 - 发射极暗电流
再加
通态集电极电流
QRB1133
QRB1134
集电极 - 发射极
饱和电压
上升时间
下降时间
相声
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I
F
= 40毫安
V
R
= 2.0 V
I
F
= 20毫安
I
C
= 1毫安
I
E
- 0.1毫安
V
CE
= 10 V，I
F
= 0毫安
I
F
= 40 mA时， V
CE
= 5 V
D = .150”
(5,6)
V
F
I
R
!
PE
BV
首席执行官
BV
ECO
I
首席执行官
—
—
—
30
5
—
—
—
940
—
—
—
1.7
100
—
—
—
100
V
A
nm
V
V
nA
I
C（ ON）
0.20
0.60
—
—
—
8
8
—
—
mA
I
F
= 20 mA时，我
C
- 0.5毫安
V
CE
= 5 V ，R
L
= 100
＆ QUOT ;
I
C（ ON）
= 5毫安
I
F
= 40 mA时， V
CE
= 5 V
(7)
V
CE （SAT）
t
r
t
f
I
CX
—
—
—
—
0.4
—
—
1.00
7/02/01
V
s
A
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在生命支持任何组件2.关键部件
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合理预期造成生命的失败
支持设备或系统，或影响其安全性或
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