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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第83页 > QM50TB-2H
三菱晶体管模块
QM50TB-2H
中功率切换使用
绝缘型
QM50TB-2H
I
C
集电极电流..........................
50A
V
CEX
集电极 - 发射极电压.........
1000V
h
FE
直流电流增益...............................
75
绝缘型
UL认可
黄牌号E80276 （N ）
文件编号E80271
应用
变频器，伺服驱动器，直流电机控制器，数控设备，焊接机
外形绘图&电路图
尺寸（mm）
102±
0.5
6 14 6 14 6 17
7–M4
4–φ5.5
BUP
BVP
EVP
BVN
EVN
U
V
BWP
EWP
BWN
EWN
N
N
W
P
BUP EuP指令
BVP执行副总裁
BwPEwP
P
30
16.5
P
EUP
包子
EUN
74±0.25
30
24.5
8.5
17
2
22
20
20
80±
0.25
22
11
标签＃ 110 ，T = 0.5
8.1
30
+1.5
–0.5
29.5
LABEL
7
27
N
10
43
U
V
W
N
12
注意：所有的晶体管单元是3级达林顿。
91
±0.5
P
BUN恩BVN EVN BWN EWN
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM50TB-2H
中功率切换使用
绝缘型
绝对最大额定值
符号
V
CEX （ SUS）
V
CEX
V
CBO
V
EBO
I
C
–I
C
P
C
I
B
–I
CSM
T
j
T
英镑
V
ISO
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极反向电流
集电极耗散
基极电流
浪涌集电极反向电流
（正向二极管电流）
结温
储存温度
隔离电压
（ TJ = 25 ℃，除非另有说明）
条件
I
C
= 1A ，V
EB
=2V
V
EB
=2V
发射极开路
集电极开路
DC
DC （正向二极管电流）
T
C
=25°C
DC
60赫兹的一个周期内的峰值（半波）
评级
1000
1000
1000
7
50
50
400
3
500
–40~+150
–40~+125
收取一部分的情况下， AC 1分钟
主接线螺丝M4
2500
0.98~1.47
10~15
1.47~1.96
15~20
660
单位
V
V
V
V
A
A
W
A
A
°C
°C
V
N·m的
Kgcm
N·m的
Kgcm
g
—
安装力矩
安装螺钉M5
—
重量
典型的价值
电气特性
符号
I
CEX
I
CBO
I
EBO
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
–V
首席执行官
h
FE
t
on
t
s
t
f
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
热阻
（结点到外壳）
接触热阻
（案例鳍）
开关时间
参数
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极 - 发射极反向电压
直流电流增益
（ TJ = 25 ℃，除非另有说明）
范围
测试条件
V
CE
=1000V, V
EB
=2V
V
CB
= 1000V ，发射极开路
V
EB
=7V
I
C
= 50A ，我
B
=1A
–I
C
= 50A （二极管的正向电压）
I
C
= 50A ，V
CE
=2.8V/5V
分钟。
—
—
—
—
—
—
75/100
—
V
CC
= 600V ，我
C
= 50A ，我
B1
=–I
B2
=1A
—
—
晶体管部分（每1/6模块）
二极管的部分（每1/6模块）
导电脂（每1/6模块）应用
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
马克斯。
1.0
1.0
200
2.5
3.5
1.8
—
2.5
15
3.0
0.31
1.2
0.2
单位
mA
mA
mA
V
V
V
—
s
s
s
°C/
W
°C/
W
°C/
W
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM50TB-2H
中功率切换使用
绝缘型
性能曲线
共发射极输出
特性（典型值）
100
T
j
=25°C
集电极电流I
C
(A)
80
I
B
=2.0A
I
B
=1.0A
I
B
=0.5A
60
I
B
=0.3A
40
I
B
=0.1A
直流电流增益
FE
2
V
CE
=5.0V
10
3
7
5
4
3
2
10
2
7
5
4
3
2
10
0
直流电流增益主场迎战
集电极电流（典型值）
V
CE
=2.8V
20
T
j
=25°C
T
j
=125°C
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
0
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
V
CE
(V)
集电极 - 发射极电压
集电极电流I
C
(A)
饱和电压V
CE （SAT）
, V
BE （SAT）
(V)
共发射极输入
特性（典型值）
10
1
7
5
4
3
2
10
0
7
5
4
3
2
10
–1
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
V
BE
(V)
V
CE
=2.8V
T
j
=25°C
饱和电压
特性（典型值）
10
1
7
5
4
3
2
基极电流I
B
(A)
V
BE （ SAT ）
10
0
V
CE （ SAT ）
7
5
4
3
I
B
=1.0A
2
T
j
=25°C
10
–1
10
0
T
j
=125°C
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
3.6
基射极电压
集电极电流I
C
(A)
集电极 - 发射极饱和
电压（典型值）
集电极 - 发射极饱和
电压
V
CE
（SAT）
(V)
5.0
t
on
, t
s
, t
f
(s)
I
C
=30A
I
C
=50A
切换时间VS.集热器
电流（典型值）
2
10
1
7
5
4
3
2
4.0
I
C
=20A
t
s
V
CC
=600V
I
B1
=–I
B2
=1A
3.0
t
f
t
on
2.0
开关时间
1.0
T
j
=25°C
T
j
=125°C
0
2 3 4 5 7 10
–1
2 3 4 5 7 10
0
10
0
7
5
4
3
2
10
0
T
j
=25°C
T
j
=125°C
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
I
C
(A)
基极电流I
B
(A)
集电极电流
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM50TB-2H
中功率切换使用
绝缘型
切换时间VS. BASE
电流（典型值）
3
反向偏置安全工作区
160
集电极电流I
C
(A)
2
T
j
=125°C
t
s
, t
f
(s)
t
s
140
120
100
80
60
40
20
0
0
200
400
600
800
1000
I
B2
=–3A
I
B2
=–1A
开关时间
10
1
7
5
4
3
2
t
f
V
CC
=600V
10
0
I
B1
=1A
7
I
C
=50A
T
j
=25°C
5
4
T
j
=125°C
3
10
–1
2 3 4 5 7 10
0
2 3 4 5 7 10
1
BASE反向电流-I
B2
(A)
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
正向偏置安全工作区
10
3
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
2 3 4 5 7 10
3
100
T
C
=25°C
非重复性
50
S
1m
S
作者F. B. S. A. O.降额系数
集电极电流I
C
(A)
90
降额系数（ ％ ）
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
20
40
60
集热器
耗散
第二
击穿
区域
DC
80 100 120 140 160
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
外壳温度
T
C
(°C)
集电极反向电流-I
C
(A)
瞬态热阻抗
特性（晶体管）
0
2 3 45 710
1
2 3 4 5 7
10
0.5
0.4
Z
日（J -C ）
（ ° C / W）
10
2
7
5
4
3
2
10
1
7
5
4
3
2
反向集电极电流VS.
集电极 - 发射极反向
电压（二极管正向
特性） （典型值）
0.3
0.2
0.1
0
10
–3
2 3 4 5 710
–2
2 3 4 5 710
–1
2 3 4 5 7 10
0
10
0
0.4
0.8
1.2
1.6
T
j
=25°C
T
j
=125°C
2.0
2.4
时间（s）
集电极 - 发射极反向电压
–V
首席执行官
(V)
Feb.1999
三菱晶体管模块
QM50TB-2H
中功率切换使用
绝缘型
额定浪涌集电极反向电流
（二极管正向浪涌电流）
浪涌集电极反向电流
–I
CSM
(A)
500
反向恢复特性
的续流二极管（典型值）
10
2
7
5
3
2
I
rr
（A ） ，Q
rr
(c)
10
1
7
5
3
2
I
rr
10
2
T
j
=25°C
T
j
=125°C
V
CC
=600V
I
B1
=–I
B2
=1A
10
1
t
rr
(s)
正向电流I
F
(A)
Feb.1999
400
300
200
100
0
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
Q
rr
10
0
10
0
7
5
3
2
t
rr
–1
10
10
–1
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5 7 10
2
2 3 4 5 7 10
3
10
导通时间（周期为60Hz ）
瞬态热阻抗
特性（二极管）
10
0
2 3 4 5 7 10
1
2 3 4 5
2.0
1.8
1.6
Z
日（J -C ）
（ ° C / W）
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
–3
2 3 4 5 710
–2
2 3 4 5 710
–1
2 3 4 5 7 10
0
时间（s）
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Q67000-S067
QBH225
QR/P6-24P-C-01
QM40-26PA-SP
Q67000-A8225
QS5806THB
QTLP650D-2
QM150DY-24K
QM150DY24K
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    QM50TB-2H
    -
    -
    -
    -
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QM50TB-2H
500
主营模块可控硅
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QM50TB-2H
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MODULE
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205
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联系人：张
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MITSUBISHI
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联系人：销售部
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MOUDL
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