QID4515001
Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272
www.pwrx.com
双IGBTMOD
HVIGBT模块
150安培/ 4500伏
S NUTS
(3TYP)
F
A
D
F
7 8
J（下2TYP ）
C
N
H
1
2
3
5 6
Bé
M
H
4
V（ 4TYP ）
G（ 3TYP ）
T（旋盖
深）
R（ DEEP ）
K
(3TYP)
L
(2TYP)
U（ 5TYP ）
P
Q
4
1
5
6
2
描述：
POWEREX IGBTMOD 模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管的
与每个半桥配置
有一个晶体管反接
连超快速恢复
续流二极管。所有组件
和互连被隔离
从散热基板，
提供简化的系统组装
和热管理。
产品特点：
低V
CE （ SAT ）
爬电距离和电气间隙
符合IEC 60077-1
高隔离电压
坚固SWSOA和RRSOA
紧凑的工业标准
包
应用范围：
8
7
3
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
5.51
2.87
1.89
4.88±0.01
2.24±0.01
1.18
0.43
1.07
0.20
1.65
MILLIMETERS
140.0
73.0
48.0
124.0±0.25
57.0±0.25
30.0
11.0
27.15
5.0
42.0
尺寸
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
英寸
0.69±0.01
0.38
0.20
0.22
1.44
0.16
M6公制
0.63最小。
0.11 x 0.02
0.28直径。
MILLIMETERS
17.5±0.25
9.75
5.0
5.5
36.5
4.0
M6
16.0最小。
2.8 x 0.5
7.0 DIA 。
牵引
中压变频器
高压电源
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双IGBTMOD HVIGBT模块
150安培/ 4500伏
绝对最大额定值，
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
评级
结温
储存温度
集电极 - 发射极电压（V
GE
= 0V)
栅极 - 发射极电压（V
CE
= 0V)
集电极电流， DC （T
C
= 91°C)
峰值集电极电流（脉冲）
二极管的正向电流**
二极管正向浪涌电流** （脉冲）
I
2
吨二极管（T = 10毫秒）
最大集电极耗散（T
C
= 25 ° C， IGBT部分，T
J（下最大）
≤
150°C)
安装扭矩， M6端子螺丝
安装扭矩， M6安装螺丝
模块重量（典型）
隔离电压（带电部分至底座， AC 60Hz的1分。 ）
局部放电
(V1 = 4800 V
RMS
, V2 = 3500 V
RMS
中，f = 60Hz的（符合IEC 1287 ） ）
最大短路脉冲宽度，
(V
CC
≤ 3200V, V
GE
= ± 15V ，R
G（ OFF）
≥ 60, T
j
= 125°C)
t
PSC
10
s
符号
T
j
T
英镑
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
F
I
FM
I
2
t
P
C
—
—
—
V
ISO
Q
pd
QID4515001
-40至150
-40至125
4500
±20
150
300*
150
300*
10
1440
44
44
900
9.0
10
单位
°C
°C
伏
伏
安培
安培
安培
安培
kA
2
美国证券交易委员会
瓦
在磅
在磅
克
千伏
pC
电气特性，
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
特征
集电极截止电流
栅极漏电流
栅极 - 发射极阈值电压
集电极 - 发射极饱和电压
总栅极电荷
发射极 - 集电极电压**
符号
I
CES
I
GES
V
GE （日）
V
CE （ SAT ）
Q
G
V
EC
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
I
C
= 150A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 25°C
I
C
= 150A ，V
GE
= 15V ，T
j
= 125°C
V
CC
= 2250V ，我
C
= 150A ，V
GE
= 15V
I
E
= 150A ，V
GE
= 0V
分钟。
—
—
4.5
—
—
—
—
典型值。
—
—
6.0
3.5
4.0
1.4
4.7
马克斯。
2.7
0.5
7.5
3.9***
—
—
5.6
单位
mA
A
伏
伏
伏
C
伏
*脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
J（下最大）
投资评级。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
***脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温升高是可以忽略的。
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双IGBTMOD HVIGBT模块
150安培/ 4500伏
电气特性，
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
特征
输入电容
输出电容
反向传输电容
电阻
负载
开关
时
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
符号
C
IES
C
OES
C
水库
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
t
rr
Q
rr
E
REC
L
SCE
R
CE
V
CC
= 2250V ，我
C
= 150A,
V
GE
= ±15V,
R
G
= 60, L
S
= 180nH
感性负载
T
j
≤ 125 ° C，I
C
= 150A ，V
GE
= ±15V,
R
G
= 60, V
CC
= 2250V,
L
S
= 180nH ，感性负载
二极管的反向恢复时间**
二极管的反向恢复电荷**
二极管的反向恢复精力
杂散电感（ C1- E2）的
引线电阻终端芯片
V
CC
= 2250V ，我
E
= 150A,
V
GE
= ± 15V ，R
G（ ON）的
= 60,
L
S
= 180nH ，感性负载
—
—
—
—
—
—
81*
55
60
0.8
1.8
—
—
—
—
s
C
兆焦耳/ P
nH
m
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V
测试条件
分钟。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值。
18
1.33
0.4
—
—
—
—
600
450
马克斯。
—
—
—
1.5
0.5
3.5
1.2
—
—
单位
nF
nF
nF
s
s
s
s
兆焦耳/ P
兆焦耳/ P
导通开关能量
关断开关能量
热性能和机械性能，
T
j
= 25 ° C除非另有规定编
特征
热阻，结到外壳***
热阻，结到外壳***
接触热阻，案件翅
漏电起痕指数
在空气间隙距离（终端到基地）
除了表面爬电距离
（终端到基地）
在空气间隙距离
（终端到终端）
除了表面爬电距离
（终端到终端）
*脉冲宽度和重复速率应使得器件的结温升高是可以忽略的。
**表示在反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管（ FWDI ） 。
***T
C
测量点仅仅是芯片之下。
符号
R
日（J -C ）
Q
R
日（J -C ）
D
R
TH（ C-F ）
CTI
d
一（叔二）
d
秒（吨-b）的
d
一（叔t）的
d
秒（叔 - t）的
测试条件
每个IGBT
每FWDI
每个模块，
导热硅脂的应用，
λ
油脂
= 1W / mK的
分钟。
—
—
—
600
35.0
64
19
54
典型值。
—
—
0.018
—
—
—
—
—
马克斯。
0.087
0.174
—
—
—
—
—
—
单位
° C / W
° C / W
° C / W
mm
mm
mm
mm
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Powerex公司，公司， 173馆里，扬伍德，宾夕法尼亚州15697 （ 724 ） 925-7272 www.pwrx.com
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双IGBTMOD HVIGBT模块
150安培/ 4500伏
发射极 - 集电极电压V
EC
（伏）
6
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （ SAT ）
（伏）
6
V
GE
= 15V
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
5
4
3
2
1
0
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
集电极 - 发射极
饱和电压特性
（典型值）
续流二极管
正向特性
（典型值）
瞬态热
阻抗特性
（IGBT）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
-3
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.087 K / W
5
4
3
2
1
0
0
50
100
150
200
250
0
50
100
150
200
250
10
-2
TIME ， （S ）
10
-1
10
0
集电极电流，I
C
（安培）
发射极电流，I
E
（安培）
归一化瞬态热阻抗，Z
日（J -C ）
Z
th
= R
th
（标准值）
瞬态热
阻抗特性
（ FWDI ）
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
-3
1250
关断开关能量E
on
（兆焦耳/ P）
半桥导通开关
能量特性
（典型值）
750
关断开关能量E
关闭
（兆焦耳/ P）
半桥关断开关
能量特性
（典型值）
V
CC
= 2250V
V
GE
= ±15V
R
G
= 60
L
S
= 180nH
T
j
= 125°C
感性负载整合
超过10％的范围
单脉冲
T
C
= 25°C
每单元基准= R
日（J -C ）
= 0.174 K / W
1000
750
V
CC
= 2250V
V
GE
= ±15V
R
G
= 60
L
S
= 180nH
T
j
= 125°C
感性负载整合
超过10％的范围
625
500
375
250
125
0
500
250
10
-2
TIME ， （S ）
10
-1
10
0
0
0
50
100
150
200
0
50
100
150
200
集电极电流，I
C
（安培）
集电极电流，I
C
（安培）
续流二极管
反向恢复特性
（典型值）
75.0
反向恢复能量E
REC
（兆焦耳/ P）
集电极电流，I
C
（伏）
关断开关
安全工作区（ RBSOA ）
（典型值）
反向恢复电流，I
rr
（安培）
二极管的反向恢复
安全工作区
（典型值）
350
300
250
200
150
100
50
0
V
CC
≤ 3000V
的di / dt ≤ 500A / S
T
j
= 125°C
350
300
250
200
150
100
50
0
V
CC
≤ 3000V
V
GE
= ±15V
R
G
≥ 60
L
S
= 100nH的
T
j
= 125°C
0
1000
2000
3000
4000
5000
62.5
50.0
37.5
25.0
12.5
0
V
CC
= 2250V
V
GE
= ±15V
R
G
= 60
L
S
= 180nH
T
j
= 25°C
感性负载整合
超过10％的范围
IGBT的驱动条件
0
50
100
150
200
0
1000
2000
3000
4000
5000
发射极电流，I
E
（安培）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
集电极 - 发射极电压，V
CE
（伏）
4
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