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N
SFH6315
SFH6316
SFH6343
高速光电耦合器
包装尺寸以英寸(毫米)
SFH6315/6
NC
1
A
2
8
V
CC
7
基地V
B
6
C
5
E
特点
表面贴装
工业标准SOIC- 8封装
兼容红外气相再溢流和
波峰焊工艺
隔离电压, 2500 V
RMS
非常高的共模瞬变抗扰度:
15000 V/
在νs的
CM
= 1500 V保证( SFH6343 )
高速: 1 Mb / s的
TTL兼容
保证交流和直流性能超过
温度: 0
°
C至70
°
C
集电极开路输出
引脚兼容于HP光电耦合器
SFH6315—HCPL0500
SFH6316—HCPL0501
SFH6343—HCPL0453
应用
线路接收器
逻辑接地隔离
模拟信号接地隔离
更换脉冲变压器
EW
.120±.002
(3.05±.05)
.240
(6.10)
销1
.192±.005
(4.88±.13)
.004 (.10)
.008 (.20)
.050 ( 1.27 )典型值。
.021 (.53)
.020±.004
(.15±.10)
2 plc的。
K
3
NC
4
SFH6343
C .154±.002
L
(3.91±.05)
.016
(.41)
NC
1
A
2
K
3
NC
4
8
V
CC
7
NC
6
C
5
E
.015±.002
(.38±.05)
40°
.058±.005
(1.49±.13)
.125±.005
(3.18±.13)
领导
共面性
±.0015
(.04)
马克斯。
.008 (.20)
5 °最大。
R.010
( 0.25 )最高。
公差:
±
0.005 (除非另有说明)
描述
该SFH6315 / 16 /43,高速光电耦合器,每个
由GaAlAs的红外发光二极管的,光学
再加上一个集成的光电检测器和高
高速晶体管。光电检测器是分离的结
从晶体管,以减少米勒电容效应。
集电极开路输出功能可以让电路设计 -
ERS时使用的接口调整负载条件
不同的逻辑系统,如TTL , CMOS等。
因为SFH6343对法拉第屏蔽
检测器芯片,它也可以拒绝,并尽量减少高投入
输出共模瞬变电压。没有
基连接,从而进一步降低了电势的电
噪音进入包。
该SFH6315 /四十三分之一十六包装行业标准
SOIC-8封装,并适用于表面安装。
绝对最大额定值
发射器( GaAlAs的)
反向电压................................................ ........... 3 V
直流正向电流............................................... 0.25毫安
正向电流浪涌............................................... .1
tp
1
S, 300脉冲/秒。
总功率耗散(T
A
70
°
C) ......................... 45毫瓦
绝对最大额定值
(续)
检测器(硅光电二极管+晶体管)
电源电压................................................ ............- 0.5到30伏
输出电压................................................ ..........- 0.5
20 V
输出电流................................................ ....................... 8毫安
总功率耗散(T
A
70
°
C) ................................... 100毫瓦
绝缘测试电压
发射器与检测器之间.............................. 2500 VAC
RMS
(参照气候DIN 40046 ,第2部分11月74)
污染度( DIN VDE0110 ) ............................................ 2 .....
爬电................................................. ...........................
4 mm
通关................................................. ...........................
4 mm
漏电起痕指数
符合DIN IEC 112 / VDE 0303 ,第1部分....................................... 175
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ,T
A
=25
°
C,R
ISOL
(注2 ) ..............................
10
12
V
IO
= 500 V ,T
A
=100
°
C,R
ISOL
(注2 ) .............................
10
11
存储温度范围-55 ..............................
°
C至+150
°
C
环境温度范围-55 .............................
°
C至+100
°
C
结温................................................ ........... 100
°
C
焊接温度(T = 10秒最大) .............................. 260
°
C
浸焊:距离飞机座位
1.5 mm
特定网络阳离子随时可能更改。
1
电气特性
在推荐的温度(T
A
=0
°
C至70
°
C)除非另有规定ED 。见注6
. *
在T所有典型值
A
=25
°
C.
参数
输入正向
电压
输入反向
当前
输入电容
温度
对COEF网络cient
正向电压
逻辑低电平电源
当前
逻辑高电源
当前
逻辑低输出
电压
对称
BOL
V
F
1.6
1.9
I
R
C
IN
0.5
10
A
pF
毫伏/
°
C
V
R
=3 V
F = 1MHz时, V
F
=0 V
I
F
= 16毫安
设备
分钟。
TYP 。 *
马克斯。
1.8
V
单位
测试条件
T
A
=25
°
C
I
F
= 16毫安
75
–1.7
VF
----------
TA
I
CCL
I
CCH
100
A
1
2
A
I
F
= 16 mA时, V
O
=打开,V
CC
=15 V
T
A
=25
°
C
I
F
= 0 mA时,V
O
=打开,V
CC
=15 V
T
A
=25
°
C
I
O
= 1.1毫安
I
O
-0.8毫安
T
A
=25
°
C
I
O
= 3.0毫安
I
O
= 2.4毫安
T
A
=25
°
C
V
O
=V
CC
=5.5 V
V
O
=V
CC
=15.0 V
V
O
=V
CC
=15.0 V
I
F
= 0毫安
I
F
= 16毫安,
V
CC
=4.5 V
0.001
V
OL
SFH6315
0.15
0.4
V
0.5
SFH6316
SFH6343
逻辑高电平输出。
当前
I
OH
0.4
0.15
0.5
0.003
0.01
0.5
1
50
A
V
T
A
=25
°
C
T
A
=0–70
°
C
晶体管直流
电流增益
电容
(输入输出)
电流传输镭
TIO
h
FE
C
我-O
CTR
SFH6315
7
5
SFH6316
SFH6343
19
15
150
V
O
= 5 V,I
O
-3毫安
pF
F = 1 MHz的
T
A
=25
°
C
%
6
0.4
16
17
35
36
50
V
O
=0.4 V
V
O
=0.5 V
I
F
= 16毫安,
V
CC
=4.5 V
1, 6
50
%
T
A
=25
°
C
V
O
=0.4 V
V
O
=0.5 V
切换时间图1.测试电路
I
F
0
V
O
1.5 V
t
PHL
t
PLH
5V
脉冲
发电机
Z
O
=50
TR = 5纳秒
I
F
10 %占空比
1/f<100
s
1
2
3
I
F
=监测
R
m
8
7
R
L
+5 V
1.5 V
V
OL
6
5
0.1
F
V
O
C
L
=15pF
4
SFH6315/6316/6343
2
交换特定网络阳离子
在推荐的温度(T
A
=0
°
C至70
°
C) ,V
CC
= 5 V,I
F
= 16毫安除非另有规定ED 。 *所有的典型值,T
A
=25
°
C
参数
传播延迟时间
为逻辑低电平时输出
对称
BOL
t
PHL
设备
SFH6315
分钟。
TYP 。 *
0.5
马克斯。
1.5
2.0
SFH6316
SFH6343
传播延迟时间
到输出逻辑高电平
t
PLH
SFH6315
0.25
0.8
1.0
0.5
1.5
2.0
SFH6316
SFH6343
共模瞬变
免疫力在逻辑高电平
产量
|厘米
H
|
SFH6315
SFH6316
SFH6343
15
0.5
0.8
1.0
1
1
30
KV / μs的
R
L
=4.1 K
R
L
=1.9 K
R
L
=1.9 K
I
F
= 0毫安
T
A
=25°C
V
CM
=10 V
P-P
2
I
F
= 0毫安
T
A
=25°C
V
CM
=1500 V
P-P
I
F
= 16毫安
T
A
=25°C
V
CM
=10 V
P-P
2
SFH6343
15
30
R
L
=1.9 K
I
F
= 16毫安
T
A
=25°C
V
CM
=1500 V
P-P
3, 4, 5
3, 4, 5
s
T
A
=25°C
T
A
=25°C
R
L
=4.1 K
R
L
=1.9 K
1
4, 5
s
T
A
=25°C
R
L
=1.9 K
单位
测试条件
T
A
=25°C
R
L
=4.1 K
1
4, 5
图。
共模瞬变
免疫力在逻辑低电平
产量
|厘米
L
|
SFH6315
SFH6316
1
1
KV / μs的
R
L
=4.1 K
R
L
=1.9 K
笔记
1.
以百分数表示的电流传输比等于输出集电极电流的比率(I
O
)向前行LED的输入电流(I
F
)乘以100 。
2.
设备认为是一个双端器件:引脚1 , 2 ,3和4短接在一起,并且销5 , 6 ,7和8短接在一起。
3.
在逻辑高电平共模瞬变抗扰度是最大容许(正)DV
cm
/ dt的上的COM的前缘
共模脉冲(V
CM
),以保证该输出将保持在逻辑高状态(也就是,V
O
>2.0 V) 。共模瞬态抗扰度
一个逻辑低电平的最大可容忍(负) dVcm / dt的对共模信号脉冲的后沿(Ⅴ
CM
保证
该输出将保持在逻辑低状态(即V
O
<0.8 V) 。
4.
1.9 kΩ的负载表示1.6毫安1 TTL单位负载和5.6 kΩ的上拉电阻。
5.
4.1 kΩ的负载表示0.36毫安1 LSTTL机组负荷和6.1 kΩ的上拉电阻。
6.
A 0.1
f
旁路电容器,连接销5和8之间,推荐。
瞬态抗扰度和典型波形图2.测试电路
V
CM
0 V 10%
90%
tr
90%
10%
tf
A
1
I
F
8
7
6
0.1
F
R
L
+5 V
2
3
4
V
FF
+
V
CM
V
O
V
O
在交换机答: IF = 0毫安
5V
B
5
V
O
在交换机B: IF = 16毫安
V
OL
脉冲发生器
SFH6315/6316/6343
3
图3. LED的正向电流与正向电压
20
在毫安IF- LED电流
15
75°C
10
0°C
5
0
1.3
25°C
图4.允许正向LED电流与温度
30
I
F
LED电流,单位为mA
1.7
20
10
1.4
1.5
1.6
0
0
20
40
60
80
100
环境温度
°C
VF- LED的正向电压
图5.允许耗散功率与温度。
120
总功率为mW
探测器
图6.输出电流与输出电压
8
IO输出电流,单位为mA
IF = 25毫安
6
4
2
0
0
5
10
VO-输出电压伏特
15
20毫安
15毫安
10毫安
5毫安
100
80
60
40
20
0
0
辐射源
20
40
60
80
环境温度
°C
100
图7.输出电流(高)与温度
10 -6
10 -7
IOH
10 -8
10 -9
10 -10
10 -11
-60
-40
-20
0
20
40
60
环境温度
°C
80
100
图8. NCTR与IF
1.4
1.2
NCTR
1.0
0.8
0.6
0.4
Vcc=5V
Tamb=25°C
SFH6316/43
SFH6315
0.2
.0001
.001
如果以mA
.01
.1
图9. NCTR与温度的关系( SFH6316 / 43 )
1.3
1.2
NCTR
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-40
-20
0
20
40
60
温度
°C
80
100
归@ 16毫安
Vcc=5v
V0=0.4V
T=25°C
IF = 10毫安
图10. NCTR与温度的关系( SFH6315 )
1.4
1.2
NCTR
归@ 16毫安
Vo=0.4V
VCC=5V
Tamb=25°C
IF = 10毫安
IF = 16毫安
IF = 16毫安
1.0
0.8
0.6
-40
-20
0
20
40
60
80
100
温度
°C
SFH6315/6316/6343
4
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    -
    -
    -
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