【硅NPN开关晶体管q高电流增益：0.1 mA至100毫安q低集电极 - 发射极饱和电压SXT 390】,IC型号Q68000-A8396,Q68000-A8396 PDF资料,Q68000-A8396经销商,ic,电子元器件-51电子网

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硅NPN开关晶体管

q

高电流增益：0.1 mA至100毫安

q

低集电极 - 发射极饱和电压

SXT 3904

TYPE

SXT 3904

记号

1A

订购代码

（磁带和卷轴）

Q68000-A8396

引脚配置

1

2

3

B

C

E

包

1)

SOT-89

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗，

T

S

= 95 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

125

≤

55

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

值

40

60

6

200

1

150

– 65 … + 150

单位

V

mA

W

C

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

SXT 3904

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 30 V

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 30 V,

V

BE

= 3 V

直流电流增益

I

C

= 100

A,

V

CE

= 1 V

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 1 V

I

C

= 100毫安，

V

CE

= 1 V

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 5毫安

基射极饱和电压

1)

I

C

= 10毫安，

I

B

= 1毫安

I

C

= 50毫安，

I

B

= 5毫安

V

(BR)CE0

V

(BR)CB0

V

(BR)EB0

I

CB0

I

CEV

h

FE

40

70

100

60

30

V

CESAT

–

–

V

BESAT

0.65

–

–

–

0.85

0.95

–

–

0.2

0.3

–

–

–

–

–

–

–

300

–

–

V

40

60

6

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

50

50

–

nA

V

值

典型值。

马克斯。

单位

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

≤

2 %.

半导体集团

2

SXT 3904

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 20 V,

f

= 100兆赫

输出电容

V

CB

= 5 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

输入阻抗

I

CE

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

电压反馈比例

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

小信号电流增益

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

输出导纳

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

噪声系数

I

C

= 0.1毫安，

V

CE

= 5 V,

f

= 10赫兹到15千赫兹

R

S

= 1 k

开关时间

V

CC

= 3 V,

V

BE

= 0.5 V,

I

C

= 10毫安，

I

B1

= 1毫安

V

CC

= 3 V,

I

C

= 10毫安，

I

B1

=

I

B2

= 1毫安

f

T

C

敖包

C

IBO

h

ie

h

re

h

fe

h

oe

NF

300

–

–

1

0.5

100

1

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

4

8

10

8

400

40

5

k

10

– 4

–

S

值

典型值。

马克斯。

单位

兆赫

pF

dB

t

d

t

r

t

s

t

f

–

–

–

–

–

–

–

–

35

35

200

50

ns

ns

ns

ns

半导体集团

3

SXT 3904

测试电路

延迟和上升时间

存储和下降时间

半导体集团

4

SXT 3904

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

饱和电压

I

C

=

f

(V

BE坐

,

V

CE坐

)

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

开路反向电压传输比

h

12e

=

f

(I

C

)

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

半导体集团

5

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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