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首字符Q的型号第90页
> Q68000-A6501
PNP硅开关晶体管
SMBT 2907
SMBT 2907一
q
高直流电流增益:0.1 mA至500毫安
q
低集电极 - 发射极饱和电压
q
互补类型: SMBT 2222 ,
SMBT 2222 A( NPN )
TYPE
SMBT 2907
SMBT 2907一
记号
s2B
s2F
订购代码
(磁带和卷轴)
Q68000-A6501
Q68000-A6474
引脚配置
1
2
3
B
E
C
包
1)
SOT-23
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗,
T
S
=
77 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
≤
290
≤
220
符号
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
P
合计
T
j
T
英镑
值
单位
SMBT 2907
SMBT 2907一
40
60
60
5
600
330
150
– 65 … + 150
mA
mW
C
V
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
SMBT 2907
SMBT 2907一
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10毫安
SMBT 2907
SMBT 2907一
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 10
A
SMBT 2907
SMBT 2907一
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A
收藏家Cuto FF电流
V
CB
= 50 V
V
CB
= 50 V
V
CB
= 50 V,
T
A
= 150 C
V
CB
= 50 V,
T
A
= 150 C
发射Cuto FF电流
V
EB
= 3 V
直流电流增益
1)
I
C
= 100
A,
V
CE
= 10 V
I
C
=
1毫安,
V
CE
= 10 V
SMBT 2907
SMBT 2907一
SMBT 2907
SMBT 2907一
SMBT 2907
SMBT 2907一
SMBT 2907
SMBT 2907一
SMBT 2907
SMBT 2907一
V
CESAT
–
–
V
BESAT
–
–
–
–
1.3
2.6
–
–
0.4
1.6
SMBT 2907
SMBT 2907一
SMBT 2907
SMBT 2907一
I
EB0
h
FE
35
75
50
100
75
100
100
100
30
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
300
300
–
–
V
V
(BR)CE0
40
60
V
(BR)CB0
60
60
V
(BR)EB0
I
CB0
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
20
10
20
10
10
nA
nA
A
A
nA
–
5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
V
值
典型值。
马克斯。
单位
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 150毫安,
V
CE
= 10 V
1)
I
C
= 500毫安,
V
CE
= 10 V
1)
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安,
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 150毫安,
I
B
= 15毫安
I
C
= 500毫安,
I
B
= 50毫安
1)
脉冲测试条件:
t
≤
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
SMBT 2907
SMBT 2907一
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 20 V,
f
= 100兆赫
输出电容
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
V
CC
= 30 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
= 15毫安
延迟时间
上升时间
V
CC
= 6 V,
I
C
= 150毫安,
I
B1
=
I
B2
= 15毫安
贮存时间
下降时间
f
T
C
敖包
C
IBO
200
–
–
–
–
–
–
8
30
兆赫
pF
值
典型值。
马克斯。
单位
t
d
t
r
t
英镑
t
f
–
–
–
–
–
–
–
–
10
40
80
30
ns
ns
ns
ns
测试电路
延迟和上升时间
存储和下降时间
半导体集团
3
SMBT 2907
SMBT 2907一
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
集电极 - 基极电容
C
CB
=
f
(V
CB
)
f
= 1兆赫
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/P
TOT DC
=
f
(t
p
)
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 20 V
半导体集团
4
SMBT 2907
SMBT 2907
SMBT 2907一
SMBT 2907一
饱和电压
I
C
=
f
(V
BESAT
,
V
CESAT
)
h
FE
= 10
延迟时间
t
d
=
f
(I
C
)
上升时间
t
r
=
f
(I
C
)
h
FE
= 10
贮存时间
t
英镑
=
f
(I
C
)
下降时间
t
f
=
f
(I
C
)
半导体集团
5
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Q68000-A6501
PDF信息
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Q62702-C149
Q48DR2R533NRFA
Q67060-S7216-A001
QTLP610C
QR1001-40VUL
QEUM5710LT1016
QEUM5350DQ1016
Q6006N5
QBH237-3
Q62703-Q1568
QS54FCT534CTHB
QEUM5750LQ5016
QEHC49H3510DM1016
QS74FCT2251ATQ
QS74FCT2245CTQ
QT140-AS
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型号
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数量
封装
单价/备注
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柒号芯城电子商务(深圳)有限公司
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电话:0755-83209937
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地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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-
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终端采购配单精选
HECC GROUP CO,LIMITED
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电话:755-83241160(高端器件渠道商)/83950019/83950895/83950890
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NA
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NA
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北京元坤国际科技有限公司
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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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