【硅NPN开关晶体管SMBT 2222SMBT 2222一q高直流电流增益：0.1 mA至500毫安q】,IC型号Q68000-A6473,Q68000-A6473 PDF资料,Q68000-A6473经销商,ic,电子元器件-51电子网

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硅NPN开关晶体管

SMBT 2222

SMBT 2222一

q

高直流电流增益：0.1 mA至500毫安

q

低集电极 - 发射极饱和电压

q

互补类型： SMBT 2907 ，

SMBT 2907 A（ PNP ）

TYPE

SMBT 2222

SMBT 2222一

记号

s1B

s1P

订购代码

（磁带和卷轴）

Q68000-A6481

Q68000-A6473

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

总功耗，

T

S

=

77 C

结温

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

R

日JA

R

日JS

≤

290

≤

220

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

P

合计

T

j

T

英镑

值

单位

SMBT 2222

SMBT 2222一

30

60

5

40

75

6

600

330

150

– 65 … + 150

mA

mW

C

V

K / W

1)

2)

有关详细信息，请参阅本章包装纲要。

安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐

×

40 mm

×

1.5毫米/ 6厘米

2

铜。

半导体集团

1

5.91

SMBT 2222

SMBT 2222一

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 10毫安

SMBT 2222

SMBT 2222一

集电极 - 基极击穿电压

I

C

= 10

A

SMBT 2222

SMBT 2222一

发射极 - 基极击穿电压

I

E

= 10

A

SMBT 2222

SMBT 2222一

收藏家Cuto FF电流

V

CB

= 50 V

V

CB

= 60 V

V

CB

= 50 V,

T

A

= 150 C

V

CB

= 60 V,

T

A

= 150 C

发射Cuto FF电流

V

EB

= 3 V

直流电流增益

I

C

= 100

A,

V

CE

= 10 V

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V

1)

I

C

= 150毫安，

V

CE

= 1 V

1)

I

C

= 150毫安，

V

CE

= 10 V

1)

I

C

= 500毫安，

V

CE

= 10 V

1)

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V,

T

A

= 55 C

SMBT 2222

SMBT 2222一

SMBT 2222

SMBT 2222一

I

EB0

h

FE

35

50

75

50

100

30

40

35

V

CESAT

–

–

–

–

V

BESAT

–

0.6

–

–

–

–

–

–

1.3

1.2

2.6

2.0

–

–

–

–

0.4

0.3

1.6

1.0

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

300

–

–

–

V

V

(BR)CE0

30

40

V

(BR)CB0

60

75

V

(BR)EB0

5

6

I

CB0

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

10

10

10

10

10

nA

nA

A

A

nA

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

–

V

值

典型值。

马克斯。

单位

SMBT 2222

SMBT 2222一

SMBT 2222一

集电极 - 发射极饱和电压

1)

I

C

= 150毫安，

I

B

= 15毫安

SMBT 2222

SMBT 2222一

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

SMBT 2222

SMBT 2222一

基射极饱和电压

1)

I

C

= 150毫安，

I

B

= 15毫安

SMBT 2222

SMBT 2222一

I

C

= 500毫安，

I

B

= 50毫安

SMBT 2222

SMBT 2222一

1)

脉冲测试条件：

t

≤

300

s,

D

= 2 %.

半导体集团

2

SMBT 2222

SMBT 2222一

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 20 V,

f

= 100兆赫

SMBT 2222

SMBT 2222一

输出电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

SMBT 2222

SMBT 2222一

短路输入阻抗

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222一

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222一

开路反向电压传输比

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222一

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222一

短路正向电流传输比

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222一

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222一

开路输出导纳

I

C

= 1毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 10 V,

f

= 1千赫

SMBT 2222一

集电极 - 基极时间常数

I

E

= 20毫安，

V

CB

= 10 V,

f

= 31.8兆赫

SMBT 2222一

噪声系数

I

C

= 100

A,

V

CE

= 10 V,

R

S

= 1 k

f

= 1千赫

SMBT 2222一

r

b

'C

c

25

–

–

–

200

150

ps

h

12e

–

–

h

21e

50

75

h

22e

5

–

35

–

–

300

375

S

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

250

300

C

敖包

C

IBO

–

–

h

11e

2

0.25

–

–

8

1.25

–

–

30

25

–

–

–

–

–

–

8

兆赫

pF

k

10

–4

–

–

8.0

4.0

–

F

–

–

4.0

dB

半导体集团

3

SMBT 2222

SMBT 2222一

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

（续）

V

CC

= 30 V,

I

C

= 150毫安，

I

B1

= 15毫安

V

BE （OFF）的

= 0.5 V

延迟时间

上升时间

V

CC

= 30 V,

I

C

= 150毫安，

I

B1

=

I

B2

= 15毫安

贮存时间

下降时间

值

典型值。

马克斯。

单位

t

d

t

r

t

英镑

t

f

–

–

–

–

–

–

–

–

10

25

225

60

ns

ns

ns

ns

测试电路

延迟和上升时间

存储和下降时间

示波器：

R

＆ GT ; 100

C

< 12 pF的

t

r

＆ LT ;

5纳秒

半导体集团

4

SMBT 2222

SMBT 2222一

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包装安装在环氧

集电极 - 基极电容

C

cb

=

f

(V

CB

)

f

= 1兆赫

允许的脉冲负载

P

TOT最大

/P

TOT DC

=

f

(t

p

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 20 V

半导体集团

5

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联系人：连

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

Q68000-A6473

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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