2M

x

32位动态RAM模块

HYM 322030S / GS -60 / -70

先进的信息

2 097 152字×32位的组织

快速访问和周期时间

60 ns访问时间

110 ns的周期时间（ -60版）

70 ns访问时间

130 ns的周期时间（ -70版）

快页模式功能

40 ns的周期时间（ -60版）

45 ns的周期时间（ -70版）

单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源

低功耗

最大。 3300毫瓦活跃（ -60版）

最大。 3025毫瓦活跃（ -70版）

CMOS - 22 mW的待机

TTL

- 44 mW的待机

CAS先于RAS刷新

RAS -只刷新

隐藏刷新

4去耦电容安装在

基板

所有输入，输出及钟表充分TTL

兼容

72脚单列直插式内存模块

（L -SIM - 72-9 ）与20.32毫米（ 800万）的高度

利用四个2M

×

8 - 400万的DRAM

SOJ -包

2048刷新周期/ 32毫秒

锡铅接触垫（S - 版）

金触点垫（ GS - 版）

订购信息

TYPE

HYM 322030S -60

HYM 322030S -70

HYM 322030GS -60

HYM 322030GS -70

订购代码

Q67100-Q976

Q67100-Q977

Q67100-Q2018

Q67100-Q2019

包

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

描述

DRAM模块

（访问时间60 ns ）

DRAM模块

（访问时间70 ns ）

DRAM模块

（访问时间60 ns ）

DRAM模块

（访问时间70 ns ）

半导体集团

561

09.94

HYM 322030S / GS -60 / -70

2M

×

32-Bit

该HYM 322030S / GS - 60 / -70是组织为2 097 152字由一个8M的字节的DRAM模块

在一个72针单直插式封装包括四个HYB 5117800BSJ 2M的32位

×

8 DRAM的400

万宽SOJ -包安装四个0.2在一起

F

在PC机上的陶瓷去耦电容

板。

每个HYB 5117800BSJ是在数据表中所描述的，完全的电气测试和处理

根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到

板，另一组的电气测试执行。

可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。

对HYM 322030S / GS - 60 / -70的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。

引脚定义和功能

PIN号

A0R-A10R

A0C-A9C

DQ0-DQ31

CAS0 - CAS3

RAS0 ， RAS2

WE

功能

行地址输入

列地址输入

数据输入/输出

列地址选通

行地址选通

读/写输入

电源（ + 5V）

地

存在检测引脚

无连接

V

CC

V

SS

PD

北卡罗来纳州

存在检测引脚

-60

PD0

PD1

PD2

PD3

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

-70

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

V

SS

北卡罗来纳州

半导体集团

562

HYM 322030S / GS -60 / -70

2M

×

32-Bit

引脚配置

（ TOP VIEW ）

半导体集团

563

HYM 322030S / GS -60 / -70

2M

×

32-Bit

框图

半导体集团

564

HYM 322030S / GS -60 / -70

2M

×

32-Bit

绝对最大额定值

工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C

存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃

焊接温度............................................................................................................ 260℃

焊接时间............................................................................................................................. 10秒

输入/输出电压.............................................. .......................... - 0.5 V至MIN（

V

CC

+ 0.5, 7.0) V

电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V

动力dissipation..................................................................................................................... 4.2 W

数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安

注：如果运行条件

超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的

该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下工作会

影响器件的可靠性。

DC特性

1)

T

A

= 0至70℃ ，

V

CC

= 5 V

±

10 %

参数

输入高电压

输入低电压

输出高电压（

I

OUT

= - 5毫安）

输出低电压（

I

OUT

= 4.2 mA）的

输入漏电流

（ 0 V＆ LT ;

V

IN

< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）

输出漏电流

（ DO被禁用， 0 V <

V

OUT

< 5.5 V ）

平均

V

CC

电源电流

（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，

t

RC

=

t

RC

分）

-60版

-70版

待机

V

CC

电源电流

（ RAS CAS = =

V

IH

)

平均

V

CC

电源电流

在RAS只刷新周期

（ RAS骑自行车， CAS =

V

IH

,

t

RC

=

t

RC

分）

-60版

-70版

符号

限值

分钟。

马克斯。

2.4

– 0.5

2.4

–

– 10

– 10

单位

TEST

条件

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

I（L）

I

O（ L）

I

CC1

V

CC

+ 0.5 V

0.8

–

0.4

10

10

V

V

V

A

A

–

–

550

500

8

mA

mA

mA

2)

3)

I

CC2

I

CC3

–

–

–

550

500

mA

mA

2)

半导体集团

565

2M

x

32位动态RAM模块

HYM 322030S / GS -50 / -60 / -70

先进的信息

2 097 152字×32位的组织

1记忆库

快速访问和周期时间

50 ns访问时间

90 ns的周期时间（ -50版）

60 ns访问时间

110 ns的周期时间（ -60版）

70 ns访问时间

130 ns的周期时间（ -70版）

快页模式功能

35 ns的周期时间（ -50版）

40 ns的周期时间（ -60版）

45 ns的周期时间（ -70版）

单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源

低功耗

最大。 2640毫瓦活跃（ -50版）

最大。 2420毫瓦活跃（ -60版）

最大。 2200毫瓦活跃（ -70版）

CMOS - 22 mW的待机

TTL

-44 mW的待机

CAS先于RAS刷新

RAS -只刷新

隐藏刷新

4去耦电容安装在基板

所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL

72脚单列直插式内存模块（L -SIM - 72-9 ）与20.32毫米（ 800万）的高度

利用四个2M

×

8 -DRAMs在400万SOJ包装

2048刷新周期/ 32毫秒11/10解决

优化使用字节写非奇偶校验的应用

锡铅接触垫（S版）

金触点垫（ GS - 版）

半导体

Semicunductor集团

1

9.95

HYM 322030S / GS -50 / -60 / -70

2M

×

32-Bit

该HYM 322030S / GS - 50 / -60 / -70是组织为2 097 152字由一个8兆字节的DRAM模块

在一个72针单直插式封装包括四个HYB 5117800BSJ 2M的32位

×

8 DRAM的400

万宽SOJ -包安装四个0.2在一起

F

在PC机上的陶瓷去耦电容

板。

每个HYB 5117800BSJ是在数据表中所描述的，完全的电气测试和处理

根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到

板，另一组的电气测试执行。

可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。

对HYM 322030S / GS - 60 / -70的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。

订购信息

TYPE

HYM 322030S -50

HYM 322030S -60

HYM 322030S -70

HYM 322030GS -50

HYM 322030GS -60

HYM 322030GS -70

订购代码

根据要求

Q67100-Q976

Q67100-Q977

根据要求

Q67100-Q2018

Q67100-Q2019

包

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

L-SIM-72-9

描述

DRAM模块

（存取时间为50ns ）

DRAM模块

（访问时间60 ns ）

DRAM模块

（访问时间70 ns ）

DRAM模块

（存取时间为50ns ）

DRAM模块

（访问时间60 ns ）

DRAM模块

（访问时间70 ns ）

半导体集团

2

HYM 322030S / GS -50 / -60 / -70

2M

×

32-Bit

引脚配置

引脚名称

VSS

DQ16

DQ17

DQ18

DQ19

北卡罗来纳州

A1

A3

A5

A10

DQ20

DQ21

DQ22

DQ23

北卡罗来纳州

A8

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

VSS

CAS2

CAS1

北卡罗来纳州

WE

DQ8

DQ9

DQ10

DQ11

DQ12

VCC

DQ13

DQ14

DQ15

PD0

PD2

北卡罗来纳州

1 DQ0 2

3 DQ1 4

5 DQ2 6

7 DQ3 8

9 VCC 10

11 A0

12

13 A2

14

15 A4 16

17 A6 18

19 DQ4 20

21 DQ5 22

23 DQ6 24

25 DQ7 26

27 A7

28

29 VCC 30

31 A9

32

33 RAS2 34

北卡罗来纳州35 36

北卡罗来纳州37 38

39 CAS0 40

41 CAS3 42

43 RAS0 44

北卡罗来纳州45 46

北卡罗来纳州47 48

49 DQ24 50

51 DQ25 52

53 DQ26 54

55 DQ27 56

57 DQ28 58

59 DQ29 60

61 DQ30 62

63 DQ31 64

北卡罗来纳州65 66

67 PD1 68

69 PD3 70

71 VSS 72

A0R-A10R

A0C-A9C

DQ0-DQ31

CAS0 - CAS3

RAS0 ， RAS2

WE

行地址输入

列地址输入

数据输入/输出

列地址选通

行地址选通

读/写输入

电源（ + 5V）

地

存在检测引脚

无连接

V

CC

V

SS

PD

北卡罗来纳州

存在检测引脚

-50

PD0

PD1

PD2

PD3

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

-60

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

-70

北卡罗来纳州

北卡罗来纳州

V

SS

V

SS

V

SS

北卡罗来纳州

半导体集团

3

HYM 322030S / GS -50 / -60 / -70

2M

×

32-Bit

RAS0

CAS0

CAS

DQ0-DQ7

I/O1-I/O8

OE

D1

RAS

CAS1

CAS

DQ8-DQ15

I/O1-I/O8

OE

D2

RAS

RAS2

CAS2

CAS

DQ16-DQ23

I/O1-I/O8

OE

D3

RAS

CAS3

CAS

DQ24-DQ31

I/O1-I/O8

OE

D4

RAS

A0R - A10R ，

A0C - A9C

WE

VCC

C1 - C 4

VSS

D1 - D4

D1 - D4

框图

半导体集团

4

HYM 322030S / GS -50 / -60 / -70

2M

×

32-Bit

绝对最大额定值

工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C

存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃

输入/输出电压.............................................. ..............................- 0.5V至MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V

电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V

动力dissipation..................................................................................................................... 4.2 W

数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安

注意：

超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的

该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间

可能会影响器件的可靠性。

DC特性

T

A

= 0至70℃ ，

V

CC

= 5 V

±

10 %

参数

符号

限值

分钟。

输入高电压

输入低电压

输出高电压（

I

OUT

= - 5毫安）

输出低电压（

I

OUT

= 4.2 mA）的

输入漏电流

（ 0 V＆ LT ;

V

IN

< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）

输出漏电流

（ DO被禁用， 0 V <

V

OUT

< 5.5 V ）

平均

V

CC

电源电流

（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，

t

RC

=

t

RC

分）

-50版

-60版

-70版

待机

V

CC

电源电流

（ RAS CAS = =

V

IH

)

平均

V

CC

电源电流

在RAS只刷新周期

（ RAS骑自行车， CAS =

V

IH

,

t

RC

=

t

RC

分）

-50版

-60版

-70版

马克斯。

Vcc+0.5

0.8

–

0.4

10

10

V

V

V

V

A

A

单位

TEST

条件

1)

1)

1)

1)

1)

V

IH

V

IL

V

OH

V

OL

I

I（L）

I

O（ L）

I

CC1

2.4

– 0.5

2.4

–

– 10

– 10

1)

–

–

–

480

440

400

8

mA

mA

mA

mA

2),3),4)

I

CC2

I

CC3

–

–

–

–

480

440

400

mA

mA

mA

2), 4)

半导体集团

5