1 M
×
1位动态RAM
低功耗的1M
×
1位动态RAM
HYB 511000BJ -50 / -60 / -70
HYB 511000BJL -50 / -60 / -70
先进的信息
1 048 576字1位组织
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
95 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
130 ns的周期时间（ -60版）
70 ns访问时间
130 ns的周期时间（ -70版）
快速页模式周期时间
35纳秒（ -50版）
40纳秒（ -60版）
45纳秒（ -70版）
低功耗
最大。 495毫瓦活跃（ -50版）
最大。 440毫瓦活跃（ -60版）
最大。 385毫瓦活跃（ -70版）
最大。 5.5 mW的待机
最大。 1.1 mW的待机对L-版本
单+ 5 V （ ± 10 ％）电源用内置
V
BB
发电机
输出虚掩在周期结束时允许两
维片选
常见的I / O功能使用“早期写”
手术
读 - 修改 - 写， CAS先于RAS
刷新， RAS只刷新，隐藏刷新，
快速页模式能力和测试模式
能力
所有的输入，输出和时钟
TTL兼容
512刷新周期/ 8毫秒
512刷新周期/ 64毫秒
只有L-版
塑料包装：
P-SOJ-26/20-1
订购信息
TYPE
HYB 511000BJ -50
HYB 511000BJ -60
HYB 511000BJ -70
HYB 511000BJL -50
HYB 511000BJL -60
HYB 511000BJL -70
订购代码
Q67100-Q1056
Q67100-Q518
Q67100-Q519
根据要求
Q67100-Q526
Q67100-Q527
包
P-SOJ-26/20-1
P-SOJ-26/20-1
P-SOJ-26/20-1
P-SOJ-26/20-1
P-SOJ-26/20-1
P-SOJ-26/20-1
描述
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
半导体集团
33
01.95
HYB 511000BJ / BJL - 50 / -60 / -70
1 M
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1-DRAM
该HYB 511000BJ / BJL是新一代动态RAM组织为1 048 576字了
1位。该HYB 511000BJ / BJL采用CMOS硅栅工艺技术，以及先进的
电路技术提供广泛的经营利润，在内部和系统用户。
复用地址输入允许HYB 511000BJ / BJL在一个标准的塑料包装
P- SOJ -26/ 20该封装尺寸提供高系统位密度，并兼容
常用的自动检测和插入设备。体系化的特征包括单
+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源，直接连接与高性能逻辑器件系列，如
肖特基TTL 。 “测试模式”的功能被实现。该HYB 511000BJL专门选择
低功耗电池备份应用程序。
引脚定义和功能
PIN号
A0-A9
RAS
DI
DO
CAS
WE
功能
地址输入
行地址选通
DATA IN
数据输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
接地（ 0 V ）
测试功能
无连接
V
CC
V
SS
TF
北卡罗来纳州
半导体集团
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HYB 511000BJ / BJL - 50 / -60 / -70
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1-DRAM
引脚配置
（ TOP VIEW ）
SOJ-26/20-1
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1-DRAM
框图
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1-DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................- 55 + 150℃
焊接温度............................................................................................................260 C
焊接时间.............................................................................................................................10 s
输入/输出电压........................................................................................................ - 1 + 7 V
测试功能输入电压.............................................. ......................................... - 1 + 10.5 V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation..................................................................................................................... 0.6W，
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0 70 ×C ;
V
SS
= 0 V;
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
测试使能输入高电压
测试禁止输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流，除了TF任何输入
(0 V
≤
V
IN
≤
6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V
≤
V
OUT
≤
5.5 V)
平均
V
CC
电源电流：
-50版
-60版
-70版
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车：
t
RC
=
t
RC
分）
符号
限值
分钟。
马克斯。
6.5
0.8
2.4
– 1.0
– 1.0
2.4
–
– 10
– 10
单元测试
条件
V
V
V
V
V
A
A
1)
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
IH（ TF）的
V
白细胞介素（ TF ）
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
V
CC
+ 4.5 10.5
–
0.4
10
10
V
CC
+ 1.0 V
1)
–
–
–
–
90
80
70
2
mA
mA
mA
mA
2) 3)
2) 3)
2) 3)
待机
V
CC
电源电流（ RAS CAS = =
V
IH
)
I
CC2
–
半导体集团
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