2M ×32位动态RAM模块
HYM 322160S / GS -60 / -70
先进的信息
2 097 152字×32位的组织
（另4 194 304字×16位）
快速访问和周期时间
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
70 ns访问时间
130 ns的周期时间（ -70版）
快速页面模式功能
40 ns的周期时间（ -60版）
45 ns的周期时间（ -70版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 4840毫瓦活跃（ -60版）
最大。 4400毫瓦活跃（ -70版）
CMOS - 88 mW的待机
TTL - 176 mW的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
8去耦电容安装在
基板
所有输入，输出及钟表充分TTL
兼容
72针双面单列直插式内存
模块有25.4毫米（ 1000万）的高度
利用16 1M
×
4的DRAM在300万
SOJ包装
1024刷新周期/ 16毫秒
锡铅接触垫（S - 版）
金触点垫（ GS - 版）
订购信息
TYPE
HYM 322160S -60
HYM 322160S -70
HYM 322160GS -60
HYM 322160GS -70
订购代码
Q67100-Q2014
Q67100-Q2015
Q67100-Q2016
Q67100-Q2017
包
L-SIM-72-11
L-SIM-72-11
L-SIM-72-11
L-SIM-72-11
描述
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
DRAM模块
（访问时间70 ns ）
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
DRAM模块
（访问时间70 ns ）
半导体集团
551
09.94
HYM 322160S / GS -60 / -70
2M ×32位
该HYM322160S / GS - 60 / -70是组织为2 097 152字由一个8兆字节的DRAM模块
32位在72引脚单列直插式封装，包括16 HYB514400BJ 1M
×
4的DRAM 300
万宽SOJ -包安装有8 0.2在一起
F
在PC机上的陶瓷去耦电容
板。
该HYM322160S / GS -60 / -70还可以通过16位动态RAM用作一个4 194 304字
通过连接DQ0和DQ16 ， DQ1与DQ17 ， DQ2和DQ18的装置模块，...， DQ15和
DQ31 ，分别。
每个HYB514400BJ是在数据表中所描述的，完全的电气测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板，另一组的电气测试执行。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 322160S / GS - 60 / -70的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
引脚定义和功能
PIN号
A0-A9
DQ0-DQ31
CAS0 - CAS3
RAS0 - RAS3
WE
功能
地址输入
数据输入/输出
列地址选通
行地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
地
存在检测引脚
无连接
V
CC
V
SS
PD
北卡罗来纳州
存在检测引脚
-60
PD0
PD1
PD2
PD3
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
-70
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
552
HYM 322160S / GS -60 / -70
2M ×32位
引脚配置
（ TOP VIEW ）
半导体集团
553
HYM 322160S / GS -60 / -70
2M ×32位
框图
半导体集团
554
HYM 322160S / GS -60 / -70
2M ×32位
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
焊接温度............................................................................................................ 260℃
焊接时间............................................................................................................................. 10秒
输入/输出电压........................................................................................................ - 1 + 7 V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation..................................................................................................................... 6.2 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
1)
T
A
= 0至70℃ ，
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
符号
限值
分钟。
马克斯。
5.5
0.8
–
0.4
20
20
V
V
V
V
A
A
2.4
– 1.0
2.4
–
– 20
– 20
单位
TEST
条件
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
平均
V
CC
电源电流
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
-60版
-70版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
–
–
–
880
800
32
mA
mA
mA
2)
3)
,
I
CC2
平均
V
CC
电源电流
I
CC3
在RAS只刷新周期
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
-60版
-70版
–
–
880
800
mA
mA
2)
半导体集团
555
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