3.3V 4M ×4位EDO- RAM动态
HYB3116405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
HYB3117405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
先进的信息
4 194 304字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
性能
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
THPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
50
13
25
84
20
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）供电
低功耗
最大。 396主动毫瓦（ HYB3117405BJ / BT- 50 ）
最大。 363主动毫瓦（ HYB3117405BJ / BT- 60 ）
最大。 330主动毫瓦（ HYB3117405BJ / BT- 70 ）
最大。 360主动毫瓦（ HYB3116405BJ / BT- 50 ）
最大。 324主动毫瓦（ HYB3116405BJ / BT- 60 ）
最大。 288主动毫瓦（ HYB3116405BJ / BT- 70 ）
7.2 mW的待机（ LV- TTL ）
3.6 mW的待机（ LV- CMOS ）
720
W
待机对L-版本
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新和测试模式
超页模式（ EDO ）的能力
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
2048刷新周期/ 32毫秒HYB3117405
4096刷新周期/ 64毫秒HYB3116405
塑料包装：
P- SOJ - 26 / 24-1 （ 300万）
P- TSOPII - 26 / 24-1 （ 300MIL ）
半导体集团
1
3.96
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
该HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L）是组织为4194304字由4位的16Mbit的动态RAM 。
该HYB 3116 （7） 405BJ / BT （L）的利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及
先进的电路技术，提供广泛的经营利润，在内部和系统
用户。复用的地址输入允许HYB 3116 （7） 405BJ / BT （L）与在标准的包装
SOJ 26/24 300万或TSOPII -二十四分之二十六300万广塑包。这些软件包提供高
系统位的密度，并与通常使用的自动检测和插入兼容
设备。面向系统的功能包括单+ 3.3V（ ± 0.3 V ）供电，直
与高性能逻辑器件families.The HYB3116405BTL份接口具有非常低的
通过自刷新支持功率“睡眠模式” 。
订购信息
TYPE
HYB 3117405BJ -50
HYB 3117405BJ -60
HYB 3117405BJ -70
HYB 3117405BT -50
HYB 3117405BT -60
HYB 3117405BT -70
HYB 3116405BJ -50
HYB 3116405BJ -60
HYB 3116405BJ -70
HYB 3116405BT -50
HYB 3116405BT -60
HYB 3116405BT -70
HYB 3116405BTL -50
HYB 3116405BTL -60
HYB 3116405BTL -70
Q67100-Q1143
Q67100-Q1144
Q67100-Q1186
根据要求
根据要求
根据要求
Q67100-Q1135
Q67100-Q1136
Q67100-Q1184
Q67100-Q1127
Q67100-Q1128
订购代码
Q67100-Q1119
Q67100-Q1120
包
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- SOJ - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
P- TSOPII - 26 / 24-1 300万
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
LP- DRAM（存取时间为50ns ）
LP- DRAM（存取时间为60ns ）
LP- DRAM（访问时间70 ns ）
半导体集团
2
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
I/O1
I/O2
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
8
9
10
11
12
13
26
25
24
23
22
21
19
18
17
16
15
14
VSS
I/O4
I/O3
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
HYB3117405BJ/BT
HYB3116405BJ/BT
P-SOJ-26/24-1
(300mil)
P- TSOPII - 26 / 24-1 （ 300MIL ）
引脚配置
引脚名称
A0到A10
A0到A11
A0到A9
RAS
OE
I / O1 -I / O4
CAS
WE
行&地址栏输入的HYB3117405
行地址输入HYB3116405
列地址输入HYB3116405
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V）
接地（ 0 V ）
没有连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
3
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
11
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
Buffer(11)
11
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（11）的
11
ROW
2048
x4
地址
Buffers(11)
11
解码器
2048
ROW
存储阵列
2048x2048x4
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB3117405
半导体集团
4
HYB 3116 （ 7 ） 405BJ / BT （ L） -50 / -60 / -70
3.3V 4Mx4 -DRAM
I / O1 I / O2 I / O3 I / O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
数据输出
卜FF器
4
OE
4
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(10)
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
ROW
1024
x4
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
ROW
存储阵列
4096x1024x4
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB3116405
半导体集团
5
