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HITFET
BTS 949
智能低压侧电源开关
特点
逻辑电平输入
输入保护( ESD )
热关断
过载保护
短路保护
过压保护
当前
产品概述
漏源电压
导通状态电阻
电流限制
额定负载电流
钳位能源
V
DS
R
DS ( ON)
I
D( LIM )
I
D( ISO )
E
AS
60
18
9.5
19
V
m
A
A
6000兆焦耳
局限性
最大电流可调外部电阻
电流检测
外部输入电阻状态反馈
模拟驾驶可能
应用
各类阻性,感性和容性负载的开关或
线性应用
μC兼容的电源开关为12 V和24 V DC应用
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET在智能SIPMOS
片上芯片技
术。嵌入式保护功能,充分保障。
V BB
+
负载
NC
dv / dt的
局限性
当前
局限性
过压
保护
M
2
3
1
IN
4
CC
OVER-
温度
保护
ESD
R
CC
超载
保护
短路
短路
保护
保护
来源
5
HITFET
半导体集团
第1页
14.07.1998
BTS 949
在TJ最大额定值= 25° C除非另有说明
参数
漏源电压
漏源电压短路保护
R
CC
= 0
没有
R
CC
连续输入电流
-0.2V
V
IN
10V
1)
符号
价值
60
15
50
单位
V
V
DS
V
DS ( SC )
I
IN
无极限
|
I
IN
|
2
- 40 ... +150
- 55 ... +150
240
6000
3000
mA
V
IN
< -0.2V或
V
IN
> 10V
工作温度
储存温度
功耗
T
j
T
英镑
P
合计
E
AS
°C
W
mJ
V
T
C
= 25 °C
松开单脉冲电感能量
I
D( ISO )
= 19 A
静电放电
电压
(人体模型)
V
ESD
根据MIL STD 883D ,方法3015.7和
EOS / ESD ASSN 。 S5.1标准 - 1993年
负载突降保护
V
LoadDump2)
=
V
A
+
V
S
V
IN
=高或低;
V
A
=13.5 V
t
d
= 400毫秒,
R
I
= 2
,
I
D
=0,5*19A
t
d
= 400毫秒,
R
I
= 2
,
I
D
= 19A
DIN湿度类别, DIN 40 040
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
V
LD
110
92
E
40/150/56
V
热阻
结 - 案例:
结 - 环境:
SMD版本, PCB上的元件:
3)
R
thJC
R
thJA
R
thJA
0.7
75
45
K / W
1
500 μA的传感器保持当前具有热关断的情况下被guaranted (另见第3页)
2
V
Loaddump是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
3
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米(一层70微米厚)的铜区的漏极连接。 PCB是垂直的
2
不吹空调。
半导体集团
第2页
14.07.1998
BTS 949
电气特性
参数
在T
j
= 25℃ ,除非另有说明
特征
漏源电压钳
符号
分钟。
典型值。
-
-
1.7
-
400
3000
马克斯。
73
25
2.2
100
1000
6000
V
A
V
A
单位
V
DS ( AZ )
I
DSS
V
IN(日)
I
IN(1)
60
-
1.3
-
-
1500
T
j
= - 40 ...+ 150°C,
I
D
= 10毫安
关机状态下漏电流
V
DS
= 32 V,
T
j
= -40...+150 °C,
V
IN
= 0 V
输入阈值电压
I
D
= 3,9毫安
输入电流 - 正常运行,
I
D
& LT ;
I
D( LIM )
:
V
IN
= 10 V
输入电流 - 电流限制模式,
I
D
=I
D( LIM )
:
I
IN(2)
V
IN
= 10 V
输入电流 - 热关断之后,
I
D
=0 A:
I
IN(3)
I
在(H)的
V
IN
= 10 V
输入保持电流热关断之后
T
j
= 25 °C
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
500
300
-
-
18
30
14
25
-
-
-
m
22
44
18
36
-
A
R
DS ( ON)
-
-
I
D
= 19 A,
V
IN
= 5 V,
T
j
= 25 °C
I
D
= 19 A,
V
IN
= 5 V,
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
R
DS ( ON)
-
-
19
I
D
= 19 A,
V
IN
= 10 V,
T
j
= 25 °C
I
D
= 19 A,
V
IN
= 10 V,
T
j
= 150 °C
额定负载电流( ISO 10483 )
I
D( ISO )
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C
半导体集团
第3页
14.07.1998
BTS 949
电气特性
参数
在T
j
= 25℃ ,除非另有说明
特征
初步峰值短路电流限制
符号
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
I
D( SCP )
I
D( LIM )
-
175
-
A
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V
电流限制
1)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 350 s,
T
j
= -40 ... + 150 ° C,无
R
CC
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 350 s,
T
j
= -40...+150 °C,
R
CC
= 0
动态特性
开启时间
打开-O FF时间
上压摆率
压摆率关闭
150
220
270
9.5
19
40
V
IN
到90%
I
D
:
V
IN
至10%
I
D
:
70至50%
V
bb
:
50 %至70%
V
bb
:
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
-
-
-
-
40
70
1
1
100
170
3
3
s
R
L
= 1
,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
R
L
= 1
,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
V / μs的
R
L
= 1
,
V
IN
= 0至10伏,
V
bb
= 12 V
R
L
= 1
,
V
IN
= 10到0V,
V
bb
= 12 V
保护功能
热过载跳闸温度
松开单脉冲电感能量
T
jt
E
AS
150
6000
1800
165
-
-
-
-
-
°C
mJ
I
D
= 19 A,
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 32 V
I
D
= 19 A,
T
j
= 150 °C,
V
bb
= 32 V
逆二极管
逆二极管正向电压
V
SD
-
1,1
-
V
I
F
= 5*19A,
t
m
= 300
s,
V
IN
= 0 V
1
设备开机到现有的短路(见图确定我
D( LIM ) 。需要依赖应用程序,这些值
可能会超出最大。 50微秒短路的情况下发生,而该设备条件
半导体集团
第4页
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BTS 949
块Diagramm
条款
RL
1
RCC
V在
V
CC
4
IN
HITFET
CC
S
5
3
D
ID
VDS
VBB
电感和输出过压钳位
V
Z
D
S
HITFET
的地线阻抗
R
CC
应尽可能地低
输入电路( ESD保护)
短路行为
V在
I D ( SCP )
IN
ID
I D ( LIM)
ESD -ZD
I
来源
t0
tm
t1
t2
ESD齐纳二极管不被设计
直流电流> 2毫安@
V
IN
>10V.
t0 :
TM :
t1 :
打开成短路
Measurementpoint的
ID ( LIM )
快速温度传感器的激活和
漏极电流调节到一个电平wher
结温度保持恒定。
由于第二热关断
温度传感器,由所获得的
综合测量。
t2 :
半导体集团
第5页
14.07.1998
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    Q67060-S6703-A4
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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