HITFET
II.Generation BTS 134
智能低压侧电源开关
特点
·
逻辑电平输入
·
输入保护（ ESD ）
·
带有热关断
自动重启
·
过载保护
·
短路保护
·
过压保护
·
电流限制
·
模拟驾驶可能
P-TO252-3-11
产品概述
漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流
钳位能源
V
DS
R
DS （ ON）
I
D（ NOM ）
E
AS
42
50
3.5
3
V
mW
A
J
应用
·
各类阻性，感性和容性负载开关
或线性应用
·
12 V DC应用μC兼容的电源开关
·
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式充分保护
保护功能。
V
bb
M
HITFET
当前
局限性
In
销1
漏
Overvoltage-
保护
引脚2和4（ TAB ）
栅极驱动
单位
OVER-
温度
保护
ESD
超载
保护
短路
保护
3脚
来源
完整的产品系列和其他信息http://www.infineon.com/hitfet
第1页
2004-03-05
BTS 134
最大额定值AT＆T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏源电压
电源电压为充分短路保护
连续输入电压
1)
连续输入电流
2)
-0.2V
V
IN
10V
V
IN
< -0.2V或
V
IN
> 10V
工作温度
储存温度
功耗
5)
T
C
= 85 °C
6cm
2
散热面积，
T
A
= 85 °C
松开单脉冲电感能量
2)
负载突降保护
V
LoadDump2)3)
=
V
A
+
V
S
V
IN
= 0和10 V吨
d
= 400毫秒，
R
I
= 2
W,
R
L
= 4.5
W,
V
A
= 13.5 V
静电放电
电压
2)
（人体模型）
V
ESD
根据
JEDEC规范
EIA / JESD22 - A114 -B ，第4节
JEDEC湿度
category,J-STD-20-B
IEC气候类型; DIN
EN 60068-1
热阻
结 - 案例：
SMD ：结 - 环境
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
4)
1对于输入电压超过这些限制我不得不受到限制。
IN
2not产品出厂测试，设计规定
3
V
Loaddump是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
4设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB安装不垂直吹出的空气。
5not产品出厂测试，由R计算
thJA和RDS（ON）
第2页
符号
V
DS
V
BB （ SC ）
V
IN
I
IN
价值
42
42
-0.2
2)
... +10
单位
V
mA
自我限制
|
I
IN
|
2
T
j
T
英镑
P
合计
-40 ...+150
-55 ... +150
°C
W
43
1.1
E
AS
V
LD
3
65
J
V
2
kV
MSL1
40/150/56
R
thJC
R
thJA
1.5
115
55
K / W
2004-03-05
BTS 134
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
特征
漏源电压钳
T
j
= - 40 ...+ 150,
I
D
= 10毫安
断态漏电流
T
j
= -40...+85 °C,
V
DS
= 32 V ,
V
IN
= 0 V
T
j
= 150 °C
输入阈值电压
I
D
=
1.4
毫安，
T
j
= 25 °C
I
D
=
1.4
毫安，
T
j
= 150 °C
在状态输入电流
导通状态电阻
V
IN
= 5 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 5 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
V
IN
= 10 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 10 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 150 °C
额定负载电流
5)
T
j
< 150℃，
V
IN
= 10 V,
T
A
= 85°C ， SMD
1)
额定负载电流
5)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C,
T
j
< 150℃
电流限制（如果活跃
V
DS
>2.5 V）
2)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 200 s
I
D（ LIM ）
18
24
30
I
D（ ISO ）
7.1
10
-
I
D（ NOM ）
R
DS （ ON）
-
-
3.5
35
65
4.6
50
90
-
A
I
IN（上）
R
DS （ ON）
-
-
45
75
60
100
V
IN（日）
1.3
0.8
-
1.7
-
10
2.2
-
30
A
mW
I
DSS
-
-
1.5
5
8
15
V
A
V
DS （ AZ ）
42
-
55
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
1 @ 6平方厘米散热面积
2Device开机到现有的短路（见图确定我
D（ LIM ） ） 。如果该设备是在具体条件
和发生短路时，这些值可能会被超过的最大值。 50微秒。
5not产品出厂测试，由R计算
thJA和RDS（ON）
第3页
2004-03-05
BTS 134
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
动态特性
开启时间
V
IN
到90％
I
D
:
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
-
-
-
-
60
60
0.3
0.7
100
100
1.5
1.5
V / μs的
s
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏，
V
bb
= 12 V
打开-O FF时间
V
IN
至10％
I
D
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V，
V
bb
= 12 V
上压摆率
70至50％
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏，
V
bb
= 12 V
压摆率关闭
50 ％至70％
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V，
V
bb
= 12 V
保护功能
1)
热过载跳闸温度
热滞
2)
输入电流保护模式
T
j
= 150 °C
松开单脉冲电感能量
2)
I
D
= 3 A,
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12 V
E
AS
3
-
-
J
T
jt
DT
jt
I
IN（普罗特）
150
-
-
175
10
130
-
-
300
°C
K
A
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管
逆二极管正向电压
I
F
= 15 A,
t
m
= 250 s,
V
IN
= 0 V,
t
P
= 300 s
V
SD
-
1.0
1.5
V
1Integrated保护功能，旨在防止在故障情况下破坏IC
在数据手册中描述。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。
保护功能不被设计为连续的重复操作。
2not产品出厂测试，设计规定
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II.Generation BTS 134
智能低压侧电源开关
特点
·
逻辑电平输入
·
输入保护（ ESD ）
·
带有热关断
自动重启
·
过载保护
·
短路保护
·
过压保护
·
电流限制
·
模拟驾驶可能
P-TO252-3-11
产品概述
漏源电压
导通状态电阻
额定负载电流
钳位能源
V
DS
R
DS （ ON）
I
D（ NOM ）
E
AS
42
50
3.5
3
V
mW
A
J
应用
·
各类阻性，感性和容性负载开关
或线性应用
·
12 V DC应用μC兼容的电源开关
·
替代机电继电器和分立电路
概述
N沟道垂直功率FET在智能SIPMOS
技术。通过嵌入式充分保护
保护功能。
V
bb
M
HITFET
当前
局限性
In
销1
漏
Overvoltage-
保护
引脚2和4（ TAB ）
栅极驱动
单位
OVER-
温度
保护
ESD
超载
保护
短路
保护
3脚
来源
完整的产品系列和其他信息http://www.infineon.com/hitfet
第1页
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BTS 134
最大额定值AT＆T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
漏源电压
电源电压为充分短路保护
连续输入电压
1)
连续输入电流
2)
-0.2V
V
IN
10V
V
IN
< -0.2V或
V
IN
> 10V
工作温度
储存温度
功耗
5)
T
C
= 85 °C
6cm
2
散热面积，
T
A
= 85 °C
松开单脉冲电感能量
2)
负载突降保护
V
LoadDump2)3)
=
V
A
+
V
S
V
IN
= 0和10 V吨
d
= 400毫秒，
R
I
= 2
W,
R
L
= 4.5
W,
V
A
= 13.5 V
静电放电
电压
2)
（人体模型）
V
ESD
根据
JEDEC规范
EIA / JESD22 - A114 -B ，第4节
JEDEC湿度
category,J-STD-20-B
IEC气候类型; DIN
EN 60068-1
热阻
结 - 案例：
SMD ：结 - 环境
@分钟。脚印
@ 6厘米
2
散热面积
4)
1对于输入电压超过这些限制我不得不受到限制。
IN
2not产品出厂测试，设计规定
3
V
Loaddump是没有设置连接到发电机根据ISO 7637-1和DIN 40839的DUT
4设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水
连接。 PCB安装不垂直吹出的空气。
5not产品出厂测试，由R计算
thJA和RDS（ON）
第2页
符号
V
DS
V
BB （ SC ）
V
IN
I
IN
价值
42
42
-0.2
2)
... +10
单位
V
mA
自我限制
|
I
IN
|
2
T
j
T
英镑
P
合计
-40 ...+150
-55 ... +150
°C
W
43
1.1
E
AS
V
LD
3
65
J
V
2
kV
MSL1
40/150/56
R
thJC
R
thJA
1.5
115
55
K / W
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BTS 134
电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
特征
漏源电压钳
T
j
= - 40 ...+ 150,
I
D
= 10毫安
断态漏电流
T
j
= -40...+85 °C,
V
DS
= 32 V ,
V
IN
= 0 V
T
j
= 150 °C
输入阈值电压
I
D
=
1.4
毫安，
T
j
= 25 °C
I
D
=
1.4
毫安，
T
j
= 150 °C
在状态输入电流
导通状态电阻
V
IN
= 5 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 5 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 150 °C
导通状态电阻
V
IN
= 10 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 25 °C
V
IN
= 10 V,
I
D
= 3 A,
T
j
= 150 °C
额定负载电流
5)
T
j
< 150℃，
V
IN
= 10 V,
T
A
= 85°C ， SMD
1)
额定负载电流
5)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 0.5 V,
T
C
= 85 °C,
T
j
< 150℃
电流限制（如果活跃
V
DS
>2.5 V）
2)
V
IN
= 10 V,
V
DS
= 12 V,
t
m
= 200 s
I
D（ LIM ）
18
24
30
I
D（ ISO ）
7.1
10
-
I
D（ NOM ）
R
DS （ ON）
-
-
3.5
35
65
4.6
50
90
-
A
I
IN（上）
R
DS （ ON）
-
-
45
75
60
100
V
IN（日）
1.3
0.8
-
1.7
-
10
2.2
-
30
A
mW
I
DSS
-
-
1.5
5
8
15
V
A
V
DS （ AZ ）
42
-
55
V
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
1 @ 6平方厘米散热面积
2Device开机到现有的短路（见图确定我
D（ LIM ） ） 。如果该设备是在具体条件
和发生短路时，这些值可能会被超过的最大值。 50微秒。
5not产品出厂测试，由R计算
thJA和RDS（ON）
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电气特性
参数
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
动态特性
开启时间
V
IN
到90％
I
D
:
t
on
t
关闭
-dV
DS
/ DT
on
dV
DS
/ DT
关闭
-
-
-
-
60
60
0.3
0.7
100
100
1.5
1.5
V / μs的
s
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏，
V
bb
= 12 V
打开-O FF时间
V
IN
至10％
I
D
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V，
V
bb
= 12 V
上压摆率
70至50％
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 0至10伏，
V
bb
= 12 V
压摆率关闭
50 ％至70％
V
bb
:
R
L
= 4.7
W,
V
IN
= 10到0V，
V
bb
= 12 V
保护功能
1)
热过载跳闸温度
热滞
2)
输入电流保护模式
T
j
= 150 °C
松开单脉冲电感能量
2)
I
D
= 3 A,
T
j
= 25 °C,
V
bb
= 12 V
E
AS
3
-
-
J
T
jt
DT
jt
I
IN（普罗特）
150
-
-
175
10
130
-
-
300
°C
K
A
符号
分钟。
值
典型值。
马克斯。
单位
逆二极管
逆二极管正向电压
I
F
= 15 A,
t
m
= 250 s,
V
IN
= 0 V,
t
P
= 300 s
V
SD
-
1.0
1.5
V
1Integrated保护功能，旨在防止在故障情况下破坏IC
在数据手册中描述。故障条件被认为是"outside"正常工作范围。
保护功能不被设计为连续的重复操作。
2not产品出厂测试，设计规定
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