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BSP 300
SIPMOS
小信号晶体管
N沟道
增强型
额定雪崩
V
GS （ TH）
= 2.0... 4.0 V
销1
G
销2
D
3脚
S
引脚4
D
TYPE
BSP 300
TYPE
BSP 300
BSP 300
V
DS
800 V
I
D
0.19 A
R
DS （ ON）
20
包
SOT-223
记号
BSP 300
订购代码
Q67050 -T0009
Q67050-T0017
磁带和卷轴信息
E6433
E6327
最大额定值
参数
连续漏电流
符号
值
0.19
单位
A
I
D
I
Dpuls
0.76
T
A
= 25 °C
直流漏电流，脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
36
mJ
I
D
= 0.8 A,
V
DD
= 50 V,
R
GS
= 25
L
= 105毫亨，
T
j
= 25 °C
门源电压
功耗
V
GS
P
合计
±
20
1.8
V
W
T
A
= 25 °C
半导体集团
1
02/12/1996
BSP 300
最大额定值
参数
芯片或工作温度
储存温度
热电阻，芯片到环境空气
1)
热阻，结焊接点
1)
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
符号
值
-55 ... + 150
-55 ... + 150
≤
70
≤
14
E
55 / 150 / 56
K / W
单位
°C
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米
2
铜区的漏极连接
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
漏源击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） DSS
800
-
3
0.1
10
10
15
-
4
V
V
GS
= 0 V,
I
D
= 0.25毫安，
T
j
= 25 °C
栅极阈值电压
V
GS （ TH）
2
V
GS =
V
DS ，
I
D
= 1毫安
零栅极电压漏极电流
I
DSS
-
-
1
100
A
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 800 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
栅极 - 源极漏电流
I
GSS
-
100
nA
-
20
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.19 A
半导体集团
2
02/12/1996
BSP 300
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
动态特性
跨
值
典型值。
马克斯。
单位
g
fs
0.06
0.27
170
20
10
-
S
pF
-
230
30
15
ns
-
7
11
V
DS
≥
2
*
I
D *
R
DS （ ON）最大值，
I
D
= 0.19 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
f
= 1兆赫
导通延迟时间
t
D（上）
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.25 A
R
GS
= 50
上升时间
t
r
-
16
24
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.25 A
R
GS
= 50
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
27
36
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.25 A
R
GS
= 50
下降时间
t
f
-
21
28
V
DD
= 30 V,
V
GS
= 10 V,
I
D
= 0.25 A
R
GS
= 50
半导体集团
3
02/12/1996
BSP 300
电气特性，
at
T
j
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
反向二极管
逆二极管连续正向电流
I
S
T
A
= 25 °C
逆二极管直流，脉冲
A
-
-
-
-
1
95
0.25
0.19
0.76
V
-
1.4
ns
-
-
C
-
-
值
典型值。
马克斯。
单位
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
T
A
= 25 °C
逆二极管正向电压
V
GS
= 0 V,
I
F
= 0.38 A,
T
j
= 25 °C
反向恢复时间
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S
= 0，二
F
/ DT = 100 A / μs的
反向恢复电荷
V
R
= 30 V,
I
F=
l
S
= 0，二
F
/ DT = 100 A / μs的
半导体集团
4
02/12/1996
BSP 300
功耗
P
合计
=
(T
A
)
漏电流
I
D
=
(T
A
)
参数：
V
GS
≥
10 V
0.20
A
2.0
W
P
合计
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
I
D
0.16
0.14
0.12
0.10
0.08
0.06
0.04
0.02
0.00
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
T
A
T
A
安全工作区
I
D
=
(V
DS
)
参数：
D
= 0.01,
T
C
= 25°C
10
0
D
瞬态热阻抗
Z
日JA
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
t
= 760.0s
p
1毫秒
10
2
K / W
10
1
DS
（上
)
I
D
10
-1
=V
DS
A
/I
10毫秒
Z
thJC
10
0
R
10
-1
D = 0.50
0.20
10
-2
10
-3
10
-2
0.10
0.05
单脉冲
10
-4
DC
0.02
0.01
10
-3
0
10
10
1
10
2
V 10
3
10
-5
-8
-7
-6
-5
-4
-3
-2
-1
0
10
10
10
10
10
10
10
10 s 10
V
DS
t
p
半导体集团
5
02/12/1996
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QM10-26PL-CF
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Q28000B
Q60103-X151-D
Q67100-Q1101
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