BSP 171 P
初步数据
SIPMOS
功率晶体管
P沟道
增强型
额定雪崩
逻辑电平
dv / dt的额定
销1
G
TYPE
BSP 171 P
V
DS
-60 V
I
D
R
DS （ ON）
Pin2/4
D
3脚
S
-1.8 A 0.3
包
订购代码
@ V
GS
V
GS
= -10 V P- SOT223-4-1 Q67041 - S4019
-
-
最大额定值，
at
T
J = 25℃，除非另有说明
参数
符号
连续漏电流
T
A
= 25 °C
T
A
= 100 °C
漏电流脉冲
T
A
= 25 °C
雪崩能量，单脉冲
I
D
= -1.8 A,
V
DD
= -25 V,
R
GS
= 25
雪崩电流，通过定期的限制
T
JMAX
雪崩能量，通过定期的限制
T
J（下最大）
反向二极管的dv / dt
I
S
= -1.8 A,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
，的di / dt = 100 A / μs的，
T
JMAX
= 150 °C
门源电压
功耗，
T
A
= 25 °C
工作温度
储存温度
IEC气候类型; DIN IEC 68-1
V
GS
P
合计
T
j
T
英镑
I
AR
E
AR
dv / dt的
E
AS
I
PULS
I
D
价值
-1.8
-1.15
-7.2
70
-1.8
0.18
6
单位
A
mJ
A
mJ
KV / μs的
±
14
1.8
-55 ...+150
-55 ...+150
55/150/56
V
W
°C
半导体集团
1
04 / 1998
BSP 171 P
初步数据
版7.97
发布时间由西门子公司，
Bereich Halbleiter Vetrieb ，
WERBUNG ， Balanstrae 73 ，
81541慕尼黑
西门子股份公司1997
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在生命支持设备或系统使用的组件必须明确授权这样的目的！
关键组件
1
西门子半导体集团的，只能用于生命支持设备一起使用，或
系统
2
与西门子公司的半导体集团的明确书面批准。
1 ）关键部件是在生命支持设备或系统，其故障可以合理使用的组件
预期造成生命支持设备或系统的故障，或影响其安全性或有效性
该设备或系统。
2）寿命支持设备或系统的目的是（a）至被植入人体，或（b） ，以支持和/或
保持和维持和/或protecf人的生命。如果他们失败了，这是合理的假设的健康
半导体集团
5
04 / 1998
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