SGP02N60,
在NPT技术的快速IGBT
75 ％低
E
关闭
相比上一代
加上低传导损耗
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
NPT -技术600V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
SGB02N60
SGD02N60
C
G
E
P- TO- 252-3-1 （ D- PAK ）
(TO-252AA)
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）
(TO-263AB)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP02N60
SGB02N60
SGD02N60
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 2 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
,
开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
T
j
,
T
英镑
-55...+150
°C
1)
V
CE
600V
I
C
2A
V
CE （ SAT ）
2.2V
T
j
150°C
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-252AA(DPAK)
订购代码
Q67040-S4504
Q67040-S4505
Q67041-A4707
符号
V
CE
I
C
价值
600
6.0
2.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
12
12
±20
13
V
mJ
t
SC
P
合计
10
30
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
600V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
SGP02N60,
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
SGB02N60
SGD02N60
马克斯。值
单位
符号
条件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
TO-220AB
TO-252AA
TO-263AB
4.2
62
50
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 2 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 15 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,
V
摹ê
= 0 V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
600
1.7
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.9
2.2
4
-
-
-
1.6
142
18
10
14
7
20
马克斯。
-
2.4
2.7
5
单位
V
A
20
250
100
-
170
22
12
18
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 2 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=2 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 22 0A B
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
≤
6 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
Jul-02
1)
2
SGP02N60,
在NPT技术的快速IGBT
75 ％低
E
关闭
相比上一代
加上低传导损耗
短路承受时间 - 10
s
设计用于：
- 电机控制
- 逆变器
NPT -技术600V应用提供：
- 参数分布非常紧凑
- 高耐用性，温度稳定的行为
- 并行交换能力
SGB02N60
SGD02N60
C
G
E
P- TO- 252-3-1 （ D- PAK ）
(TO-252AA)
P-TO-220-3-1
(TO-220AB)
P- TO- 263-3-2 （ D -PAK ）
(TO-263AB)
完整的产品范围和PSpice的模型：
http://www.infineon.com/igbt/
TYPE
SGP02N60
SGB02N60
SGD02N60
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
DC集电极电流
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C
集电极电流脉冲，
t
p
受
T
JMAX
关闭安全工作区
V
CE
≤
600V,
T
j
≤
150°C
栅极 - 发射极电压
雪崩能量，单脉冲
I
C
= 2 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
,
开始
T
j
= 25°C
短路承受时间
功耗
T
C
= 25°C
工作结温和存储温度
T
j
,
T
英镑
-55...+150
°C
1)
V
CE
600V
I
C
2A
V
CE （ SAT ）
2.2V
T
j
150°C
包
TO-220AB
TO-263AB
TO-252AA(DPAK)
订购代码
Q67040-S4504
Q67040-S4505
Q67041-A4707
符号
V
CE
I
C
价值
600
6.0
2.9
单位
V
A
I
Cpul s
-
V
GE
E
AS
12
12
±20
13
V
mJ
t
SC
P
合计
10
30
s
W
V
GE
= 15V,
V
CC
≤
600V,
T
j
≤
150°C
1)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
1
Jul-02
SGP02N60,
热阻
参数
特征
IGBT的热电阻，
结 - 案
热阻，
结 - 环境
SMD版本， PCB上的元件
1)
SGB02N60
SGD02N60
马克斯。值
单位
符号
条件
R
thJC
R
thJA
R
thJA
TO-220AB
TO-252AA
TO-263AB
4.2
62
50
40
K / W
电气特性，
at
T
j
= 25
°C,
除非另有说明
参数
静态特性
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 发射极饱和电压
V
（ B R ）C （E S）
V
摹ê
= 0V ,
I
C
= 5 00
A
V
CE （ SAT ）
V
摹ê
= 15 V ,
I
C
= 2 A
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极阈值电压
零栅极电压集电极电流
V
GE （日）
I
CES
I
C
= 15 0
A
,
V
权证
=
V
摹ê
V
权证
= 60 0 V,
V
摹ê
= 0 V
T
j
=2 5
°C
T
j
=1 5 0° C
栅极 - 发射极漏电流
跨
动态特性
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电荷
内置发射器电感
（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米
短路集电极电流
2)
符号
条件
价值
分钟。
600
1.7
-
3
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
1.9
2.2
4
-
-
-
1.6
142
18
10
14
7
20
马克斯。
-
2.4
2.7
5
单位
V
A
20
250
100
-
170
22
12
18
-
-
nC
nH
A
nA
S
pF
I
GES
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
门
L
E
I
C（ SC ）
V
权证
= 0V ,
V
摹ê
=2 0 V
V
权证
= 20 V ,
I
C
= 2 A
V
权证
= 25 V ,
V
摹ê
= 0V ,
f=
1 MH
V
C C
= 48 0 V,
I
C
=2 A
V
摹ê
= 15 V
T O服务 - 22 0A B
V
摹ê
= 15 V ，T
S·C
≤
10
s
V
C C
≤
6 0 0 V,
T
j
≤
15 0° C
设备上50毫米* 50毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区
集电极连接。 PCB是垂直的不吹气。
2)
允许短路号： <1000 ;短路的时间： >1s 。
2
Jul-02
1)
2
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