【初步数据SPP11N60C3 ， SPB11N60C3SPI11N60C3酷MOS =功率晶体管=】,IC型号Q67040-S4395,Q67040-S4395 PDF资料,Q67040-S4395经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步数据

SPP11N60C3 ， SPB11N60C3

SPI11N60C3

酷MOS =功率晶体管

=

特征

=新

革命性的高电压技术

世界范围内最好的

R

DS （ ON）

在220

超低栅极电荷

=定期

额定雪崩

至尊的dv / dt评分

=高

峰值电流能力

改进=

跨

=150

°C工作温度

P-TO262-3-1

OLMOS

O

功率半导体

产品概述

V

DS

@ T

JMAX

R

DS （ ON）

I

D

P-TO263-3-2

650

0.38

11

V

A

P-TO220-3-1

TYPE

SPP11N60C3

SPB11N60C3

SPI11N60C3

包

P-TO220-3-1

P-TO263-3-2

P-TO262-3-1

订购代码

Q67040-S4395

Q67040-S4396

Q67042-S4403

记号

11N60C3

最大额定值，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

T

C

= 25 °C

T

C

= 100 °C

符号

I

D

价值

11

7

单位

A

脉冲漏极电流，

t

p

受

T

JMAX

雪崩能量，单脉冲

I

D

=5.5A,

V

DD

=50V

I

PULS

E

AS

E

AR

I

AR

dv / dt的

V

GS

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

第1页

33

340

0.6

11

6

±20

±30

125

-55... +150

W

°C

A

V / ns的

V

mJ

雪崩能量，重复

t

AR

受

T

JMAX 1 ）

I

D

=11A,

V

DD

=50V

雪崩电流，重复性

t

AR

受

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S

=11A,

V

DS

< = V

DD

，的di / dt = 100A / μs的，

T

JMAX

=150°C

栅源电压静态

栅极 - 源极电压动态

功耗，

T

C

= 25°C

工作和存储温度

2001-07-05

初步数据

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境，含铅

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

线性降额因子

焊接温度，

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

T

出售

R

thJC

R

thJA

R

thJA

SPP11N60C3 ， SPB11N60C3

SPI11N60C3

符号

分钟。

-

值

典型值。

-

35

-

马克斯。

1

62

-

1

260

单位

K / W

W / K

°C

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=0V,

I

D

=0.25mA

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） DS

V

GS （ TH）

I

DSS

600

-

2.1

-

700

3

-

3.9

V

漏源雪崩击穿电压

V

GS

=0V,

I

D

=11A

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

- 0.5毫安

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 600 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 600 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 °C

A

-

25

250

100

nA

-

0.34

1.1

0.86

0.38

1.22

-

栅极 - 源极漏电流

V

GS

=20V,

V

DS

=0V

I

GSS

R

DS （ ON）

-

漏源导通电阻

V

GS

=10V,

I

D

=7A,

T

j

=25°C

V

GS

=10V,

I

D

=7A,

T

j

=150°C

门输入电阻

f

= 1 MHz时，漏极开路

R

G

-

1Repetitve雪崩使得可以计算为额外的功率损耗

P

= E * F。

AV

AR

2Device上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6cm （一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

第2页

2001-07-05

初步数据

SPP11N60C3 ， SPB11N60C3

SPI11N60C3

值

分钟。

典型值。

8.3

1460

610

21

45

85

10

5

44

5

马克斯。

-

70

9

ns

pF

S

pF

单位

电气特性

在

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

跨

输入电容

输出电容

反向传输电容

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

V

GS

=0V,

V

DS

= 0V至480V

V

DS

≥2*I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=7A

V

GS

=0V,

V

DS

=25V,

f=1MHz

符号

条件

-

有效输出电容，

1)

C

O（ ER ）

能源相关

有效输出电容，

2)

C

O（ TR ）

时间相关

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

门源费

栅漏电荷

栅极电荷总量

栅极电压平台

Q

gs

Q

gd

Q

g

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=380V,

V

GS

=0/10V,

I

D

=11A,

R

G

=6.8

-

V

DD

=480V,

I

D

=11A

-

5.5

22

45

5.5

-

60

-

nC

V

DD

=480V,

I

D

=11A,

V

GS

= 0至10V

V

（高原）

V

DD

=480V,

I

D

=11A

V

1

C

O（ ER ）

是一个固定的电容，给相同的存储的能量作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

2

C

O（ TR ）

是一个固定的电容，赋予相同的充电时间作为

C

OSS

而

V

DS

上升，从0至80％

V

DSS

.

第3页

2001-07-05

初步数据

SPP11N60C3 ， SPB11N60C3

SPI11N60C3

值

分钟。

典型值。

-

1

400

6

41

1200

马克斯。

11

33

1.2

600

-

V

ns

C

A

A / μs的

A

单位

电气特性，

at

T

j

= 25℃，除非另有说明

参数

特征

逆二极管连续

正向电流

逆二极管直流，

脉冲

逆二极管正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

峰值反向恢复电流

秋天反向峰值速率

恢复电流

V

SD

t

rr

Q

rr

I

RRM

di

rr

/ DT

V

GS

=0V,

I

F

=I

S

V

R

=480V,

I

F

=I

S

,

di

F

/dt=100A/s

符号

条件

I

S

I

SM

T

C

=25°C

-

瞬态热特性

符号

热阻

R

th1

R

th2

R

th3

R

th4

R

th5

R

th6

0.015

0.034

0.056

0.124

0.143

0.057

K / W

价值

典型值。

热容

C

th1

C

th2

C

th3

C

th4

C

th5

C

th6

0.0002121

0.0007091

0.001184

0.00254

0.011

0.092

WS / K

单位

符号

价值

典型值。

单位

T

j

P

合计

(t)

R

th1

R

日，正

T

例

xternal eatsink

C

th1

C

th2

C

日，正

T

上午B

第4页

2001-07-05

初步数据

1功耗

P

合计

=

f

(T

C

)

SPP11N60C3

SPP11N60C3 ， SPB11N60C3

SPI11N60C3

2漏极电流

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

12

SPP11N60C3

140

W

120

110

A

10

9

100

P

合计

I

D

7

6

5

4

3

2

1

20

40

60

80

100

120

90

80

70

60

50

40

30

20

10

0

8

°C

160

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

C

T

C

3安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

=25°C

10

2

SPP11N60C3

4瞬态热阻抗

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPP11N60C3

K / W

A

t

P = 13.0μs

10

0

/

I

D

I

D

on

)

=

V

10

1

DS

(

Z

thJC

100 s

10

-1

R

DS

10

-2

D = 0.50

0.20

10

0

1毫秒

10

-3

0.10

0.05

10毫秒

10

DC

10

-1 0

10

1

2

3

-4

单脉冲

0.02

0.01

10

V

10

-5 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

第5页

t

p

2001-07-05