【SPD 28N03SIPMOS功率晶体管特点N沟道产品概述漏源电压漏源导通电阻连续漏电流VDSID3】,IC型号Q67040-S4138,Q67040-S4138 PDF资料,Q67040-S4138经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPD 28N03

SIPMOS功率晶体管

特点

N沟道

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

DS

I

D

30

28

V

A

增强型

R

DS （ ON）

0.023

额定雪崩

dv / dt的额定

175 ° C工作温度

TYPE

SPD28N03

SPU28N03

包

P-TO252

订购代码

Q67040-S4138

包装

磁带和卷轴

销1

G

引脚2引脚3

D

S

P- TO251-3-1 Q67040 - S4140 -A2管

最大额定值，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号

价值

28

112

145

7.5

6

KV / μs的

mJ

单位

A

I

D

T

C

= 25 C,

1)

T

C

= 100 C

漏电流脉冲

I

Dpulse

E

AS

E

AR

dv / dt的

T

C

= 25 C

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 28 A,

V

DD

= 25 V,

R

GS

= 25

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S

= 28 A,

V

DS

= 24 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 175 C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±20

75

-55... +175

55/175/56

V

W

C

T

C

= 25 C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

数据表

1

06.99

SPD 28N03

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境， leded

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

2

-

100

75

50

K / W

单位

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

电气特性，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

3

马克斯。

-

4

A

0.1

-

10

-

1

100

nA

-

0.014

0.023

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

30

2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= 50 A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 30 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

V

DS

= 30 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A

1当前通过键合线的限制

2设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

数据表

2

06.99

SPD 28N03

电气特性，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

符号

分钟。

值

典型值。

23

860

450

195

16

马克斯。

-

1075

565

245

24

ns

S

pF

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

10

-

V

DS

≥2*

I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= 28 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

上升时间

t

r

-

38

57

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

35

53

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

下降时间

t

f

-

36

54

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

数据表

3

06.99

SPD 28N03

电气特性，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

门源费

符号

分钟。

值

典型值。

4

13.6

25

5.6

马克斯。

6

20

38

-

V

nC

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A

栅漏电荷

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A

栅极电荷总量

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A,

V

GS

= 0到10伏

栅极电压平台

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

1.1

38

0.032

28

112

1.7

57

A

T

C

= 25 C

逆二极管直流，脉冲

T

C

= 25 C

逆二极管正向电压

V

ns

V

GS

= 0 V,

I

F

= 56 A

反向恢复时间

V

R

= 15 V,

I

F

=I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

0.048 C

V

R

= 15 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

数据表

4

06.99

SPD 28N03

功耗

漏电流

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD28N03

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

SPD28N03

80

W

30

A

24

60

22

20

P

合计

I

D

100 120 140 160

C

190

50

18

16

14

40

30

12

10

20

8

6

10

4

2

0

20

40

60

80

0

20

40

60

80

100 120 140 160

C

190

T

C

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 C

10

3

SPD28N03

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD28N03

K / W

A

10

0

tp

= 28.0s

Z

thJC

100 s

10

DS

/I

2

D

I

D

R

DS

(

on

)

=

10

-1

V

D = 0.50

10

-2

0.20

0.10

0.05

10毫秒

10

1

1毫秒

10

-3

单脉冲

0.02

0.01

DC

10

0 -1

10

-4 -7

10

0

10

1

V

10

2

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

t

p

数据表

5

06.99

SPD 28N03

SIPMOS功率晶体管

特点

N沟道

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

DS

I

D

30

28

V

A

增强型

R

DS （ ON）

0.023

额定雪崩

dv / dt的额定

175 ° C工作温度

TYPE

SPD28N03

SPU28N03

包

P-TO252

订购代码

Q67040-S4138

包装

磁带和卷轴

销1

G

引脚2引脚3

D

S

P- TO251-3-1 Q67040 - S4140 -A2管

最大额定值，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号

价值

28

112

145

7.5

6

KV / μs的

mJ

单位

A

I

D

T

C

= 25 C,

1)

T

C

= 100 C

漏电流脉冲

I

Dpulse

E

AS

E

AR

dv / dt的

T

C

= 25 C

雪崩能量，单脉冲

I

D

= 28 A,

V

DD

= 25 V,

R

GS

= 25

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

I

S

= 28 A,

V

DS

= 24 V ，的di / dt = 200 A / μs的，

T

JMAX

= 175 C

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

±20

75

-55... +175

55/175/56

V

W

C

T

C

= 25 C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

数据表

1

06.99

SPD 28N03

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境， leded

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

2)

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

2

-

100

75

50

K / W

单位

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

电气特性，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

3

马克斯。

-

4

A

0.1

-

10

-

1

100

nA

-

0.014

0.023

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

30

2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= 50 A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 30 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

V

DS

= 30 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A

1当前通过键合线的限制

2设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

数据表

2

06.99

SPD 28N03

电气特性，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

跨

符号

分钟。

值

典型值。

23

860

450

195

16

马克斯。

-

1075

565

245

24

ns

S

pF

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

10

-

V

DS

≥2*

I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= 28 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

上升时间

t

r

-

38

57

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

35

53

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

下降时间

t

f

-

36

54

V

DD

= 15 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 28 A,

R

G

= 12

数据表

3

06.99

SPD 28N03

电气特性，

at

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

门源费

符号

分钟。

值

典型值。

4

13.6

25

5.6

马克斯。

6

20

38

-

V

nC

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A

栅漏电荷

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A

栅极电荷总量

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A,

V

GS

= 0到10伏

栅极电压平台

V

DD

= 24 V,

I

D

= 28 A

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

1.1

38

0.032

28

112

1.7

57

A

T

C

= 25 C

逆二极管直流，脉冲

T

C

= 25 C

逆二极管正向电压

V

ns

V

GS

= 0 V,

I

F

= 56 A

反向恢复时间

V

R

= 15 V,

I

F

=I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

0.048 C

V

R

= 15 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

数据表

4

06.99

SPD 28N03

功耗

漏电流

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD28N03

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

SPD28N03

80

W

30

A

24

60

22

20

P

合计

I

D

100 120 140 160

C

190

50

18

16

14

40

30

12

10

20

8

6

10

4

2

0

20

40

60

80

0

20

40

60

80

100 120 140 160

C

190

T

C

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 C

10

3

SPD28N03

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

SPD28N03

K / W

A

10

0

tp

= 28.0s

Z

thJC

100 s

10

DS

/I

2

D

I

D

R

DS

(

on

)

=

10

-1

V

D = 0.50

10

-2

0.20

0.10

0.05

10毫秒

10

1

1毫秒

10

-3

单脉冲

0.02

0.01

DC

10

0 -1

10

-4 -7

10

0

10

1

V

10

2

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

t

p

数据表

5

06.99