【SPD 09N05SIPMOS功率晶体管特点N沟道产品概述漏源电压漏源导通电阻连续漏电流VDSRDS】,IC型号Q67040-S4136,Q67040-S4136 PDF资料,Q67040-S4136经销商,ic,电子元器件-51电子网

SPD 09N05

SIPMOS功率晶体管

特点

N沟道

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

55

0.1

9.2

V

A

增强型

额定雪崩

dv / dt的额定

175 ° C工作温度

TYPE

SPD09N05

SPU09N05

包

P-TO252

P-TO251

订购代码

Q67040-S4136

包装

磁带和卷轴

销1

G

销2

D

3脚

S

Q67040 - S4130 -A2管

MaximumRatings

在

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

价值

9.2

6.5

37

35

2.4

6

±20

24

-55... +175

55/175/56

单位

A

I

D

T

C

= 25 C

T

C

= 100 C

漏电流脉冲

I

Dpulse

E

AS

E

AR

dv / dt的

T

C

= 25 C

雪崩能量，单脉冲

mJ

I

D

= 9.2 A,

V

DD

= 25 V,

R

GS

= 25

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

KV / μs的

V

W

C

I

S

= 9.2 A,

V

DS

= 40 V ，的di / dt = 200 A / μs的

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

T

C

= 25 C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

数据表

1

06.99

SPD 09N05

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境， leded

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

-

马克斯。

6.25

100

75

50

K / W

单位

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

3

马克斯。

-

4

A

-

0.1

-

10

1

100

nA

-

0.093

0.1

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

55

2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= 10 A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

V

DS

= 50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 6.5 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

数据表

2

06.99

SPD 09N05

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

符号

值

参数

分钟。

动态特性

跨

典型值。

4.5

215

75

45

15

马克斯。

-

270

95

60

25

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

3

-

S

pF

V

DS

≥2*

I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= 6.5 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

上升时间

t

r

-

20

30

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

30

45

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

下降时间

t

f

-

25

40

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

数据表

3

06.99

SPD 09N05

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

门源费

符号

分钟。

值

典型值。

1.3

3.5

7

5.9

马克斯。

2

5.25

11

-

V

nC

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A

栅漏电荷

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A

栅极电荷总量

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A,

V

GS

= 0到10伏

栅极电压平台

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

1.05

50

0.085

9.2

37

1.8

75

0.13

A

T

C

= 25 C

逆二极管直流，脉冲

T

C

= 25 C

逆二极管正向电压

V

ns

C

V

GS

= 0 V,

I

F

= 18.5 A

反向恢复时间

V

R

= 30 V,

I

F

=I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= 30 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

数据表

4

06.99

SPD 09N05

功耗

漏电流

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD09N05

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

SPD09N05

26

W

11

A

22

9

20

18

8

7

6

5

4

3

6

4

2

0

20

40

60

80

100 120 140 160

C

190

2

1

0

20

40

60

80

100 120 140 160

C

190

P

合计

14

12

10

8

T

C

I

D

16

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 C

10

2

SPD09N05

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

tp

= 2.5s

SPD09N05

K / W

A

10

0

D

DS

(o

n)

R

100 s

Z

thJC

10

-1

D = 0.50

0.20

I

D

10

0

=

V

DS

10

1

/I

10 s

1毫秒

0.10

10

-2

单脉冲

0.05

0.02

0.01

10毫秒

DC

10

-1 -1

10

0

10

1

V

10

2

10

-3 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

t

p

数据表

5

06.99

SPD 09N05

SIPMOS功率晶体管

特点

N沟道

产品概述

漏源电压

漏源导通电阻

连续漏电流

V

DS

R

DS （ ON）

I

D

55

0.1

9.2

V

A

增强型

额定雪崩

dv / dt的额定

175 ° C工作温度

TYPE

SPD09N05

SPU09N05

包

P-TO252

P-TO251

订购代码

Q67040-S4136

包装

磁带和卷轴

销1

G

销2

D

3脚

S

Q67040 - S4130 -A2管

MaximumRatings

在

Tj

= 25℃，除非另有说明

参数

符号

连续漏电流

价值

9.2

6.5

37

35

2.4

6

±20

24

-55... +175

55/175/56

单位

A

I

D

T

C

= 25 C

T

C

= 100 C

漏电流脉冲

I

Dpulse

E

AS

E

AR

dv / dt的

T

C

= 25 C

雪崩能量，单脉冲

mJ

I

D

= 9.2 A,

V

DD

= 25 V,

R

GS

= 25

雪崩能量，通过定期的限制

T

JMAX

反向二极管的dv / dt

KV / μs的

V

W

C

I

S

= 9.2 A,

V

DS

= 40 V ，的di / dt = 200 A / μs的

门源电压

功耗

V

GS

P

合计

T

j ,

T

英镑

T

C

= 25 C

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

数据表

1

06.99

SPD 09N05

热特性

参数

特征

热阻，结 - 案

热阻，结 - 环境， leded

SMD版本， PCB上的元件：

@分钟。脚印

@ 6厘米

2

散热面积

1)

符号

分钟。

值

典型值。

-

马克斯。

6.25

100

75

50

K / W

单位

R

thJC

R

thJA

R

thJA

-

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

静态特性

漏源击穿电压

符号

分钟。

值

典型值。

-

3

马克斯。

-

4

A

-

0.1

-

10

1

100

nA

-

0.093

0.1

V

单位

V

（ BR ） DSS

V

GS （ TH）

I

DSS

55

2.1

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压，

V

GS

=

V

DS

I

D

= 10 A

零栅极电压漏极电流

V

DS

= 50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 C

V

DS

= 50 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 150 C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 6.5 A

1设备上40毫米* 40毫米* 1.5毫米环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（ 1层， 70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的不吹气。

数据表

2

06.99

SPD 09N05

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

符号

值

参数

分钟。

动态特性

跨

典型值。

4.5

215

75

45

15

马克斯。

-

270

95

60

25

单位

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

3

-

S

pF

V

DS

≥2*

I

D

*R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= 6.5 A

输入电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

ns

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

上升时间

t

r

-

20

30

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

30

45

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

下降时间

t

f

-

25

40

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 9.2 A,

R

G

= 50

数据表

3

06.99

SPD 09N05

电气特性，

at

T

J = 25℃，除非另有说明

参数

动态特性

门源费

符号

分钟。

值

典型值。

1.3

3.5

7

5.9

马克斯。

2

5.25

11

-

V

nC

单位

Q

gs

Q

gd

Q

g

V

（高原）

-

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A

栅漏电荷

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A

栅极电荷总量

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A,

V

GS

= 0到10伏

栅极电压平台

V

DD

= 40 V,

I

D

= 9.2 A

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

-

1.05

50

0.085

9.2

37

1.8

75

0.13

A

T

C

= 25 C

逆二极管直流，脉冲

T

C

= 25 C

逆二极管正向电压

V

ns

C

V

GS

= 0 V,

I

F

= 18.5 A

反向恢复时间

V

R

= 30 V,

I

F

=I

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

反向恢复电荷

V

R

= 30 V,

I

F=

l

S

，二

F

/ DT = 100 A / μs的

数据表

4

06.99

SPD 09N05

功耗

漏电流

P

合计

=

f

(T

C

)

SPD09N05

I

D

=

f

(T

C

)

参数：

V

GS

≥

10 V

SPD09N05

26

W

11

A

22

9

20

18

8

7

6

5

4

3

6

4

2

0

20

40

60

80

100 120 140 160

C

190

2

1

0

20

40

60

80

100 120 140 160

C

190

P

合计

14

12

10

8

T

C

I

D

16

T

C

安全工作区

瞬态热阻抗

I

D

=

f

(V

DS

)

参数：

D

= 0 ,

T

C

= 25 C

10

2

SPD09N05

Z

thJC

=

f

(t

p

)

参数：

D

=

t

p

/T

10

1

tp

= 2.5s

SPD09N05

K / W

A

10

0

D

DS

(o

n)

R

100 s

Z

thJC

10

-1

D = 0.50

0.20

I

D

10

0

=

V

DS

10

1

/I

10 s

1毫秒

0.10

10

-2

单脉冲

0.05

0.02

0.01

10毫秒

DC

10

-1 -1

10

0

10

1

V

10

2

10

-3 -7

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

V

DS

t

p

数据表

5

06.99