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BUP 213
IGBT
初步数据
低正向压降
高开关速度
低尾电流
闭锁免费
额定雪崩
销1
G
TYPE
BUP 213
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 栅极电压
符号
值
1200
1200
单位
V
销2
C
订购代码
Q67040-A4407-A2
3脚
E
V
CE
I
C
包
的TO-220 AB
1200V 32A
V
CE
V
CGR
V
GE
I
C
R
GE
= 20 k
栅极 - 发射极电压
DC集电极电流
± 20
A
32
20
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
集电极电流脉冲，
t
p
= 1毫秒
I
Cpuls
64
40
T
C
= 25 °C
T
C
= 90 °C
雪崩能量，单脉冲
E
AS
22
mJ
I
C
= 15 A,
V
CC
= 50 V,
R
GE
= 25
L
= 200 H,
T
j
= 25 °C
功耗
P
合计
200
W
-55 ... + 150
-55 ... + 150
°C
T
C
= 25 °C
芯片或工作温度
储存温度
T
j
T
英镑
半导体集团
1
Nov-30-1995
BUP 213
最大额定值
参数
DIN湿度类别， DIN 40 040
IEC气候类型， DIN IEC 68-1
热阻
IGBT热电阻，片式案例
符号
-
-
值
E
55 / 150 / 56
单位
-
R
thJC
≤
0.63
K / W
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
静态特性
栅极阈值电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
GE （日）
4.5
5.5
2.7
3.3
3.4
4.3
-
-
6.5
3.2
3.9
-
-
V
V
GE
=
V
CE，
I
C
= 0.35毫安
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
-
-
-
-
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A,
T
j
= 125 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 30 A,
T
j
= 25 °C
V
GE
= 15 V,
I
C
= 30 A,
T
j
= 125 °C
零栅极电压集电极电流
I
CES
-
0.8
mA
nA
-
100
V
CE
= 1200 V,
V
GE
= 0 V,
T
j
= 25 °C
栅极 - 发射极漏电流
I
GES
V
GE
= 25 V,
V
CE
= 0 V
AC特性
跨
g
fs
-
12
1000
150
70
-
S
pF
-
1350
225
100
V
CE
= 20 V,
I
C
= 15 A
输入电容
C
国际空间站
C
OSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
输出电容
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
反向传输电容
C
RSS
-
V
CE
= 25 V,
V
GE
= 0 V,
f
= 1兆赫
半导体集团
2
Nov-30-1995
BUP 213
电气特性，
在T
j
= 25℃，除非另有说明
参数
符号
分钟。
开关特性，感性负载时
T
j
= 125 °C
导通延迟时间
值
典型值。
马克斯。
单位
t
D（上）
-
70
100
ns
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A
R
坤
= 82
上升时间
t
r
-
45
70
V
CC
= 600 V,
V
GE
= 15 V,
I
C
= 15 A
R
坤
= 82
打开-O FF延迟时间
t
D（关闭）
-
400
530
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 15 A
R
高夫
= 82
下降时间
t
f
-
70
95
V
CC
= 600 V,
V
GE
= -15 V,
I
C
= 15 A
R
高夫
= 82
半导体集团
3
Nov-30-1995
BUP 213
功耗
P
合计
=
(T
C
)
参数：
T
j
≤
150 °C
220
W
集电极电流
I
C
=
(T
C
)
参数：
V
GE
≥
15 V ,
T
j
≤
150 °C
32
A
P
合计
180
160
140
120
I
C
24
20
16
100
80
60
40
4
20
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
0
0
20
40
60
80
100
120
°C
160
12
8
T
C
T
C
安全工作区
I
C
=
(V
CE
)
参数：
D
= 0,
T
C
= 25°C ,
T
j
≤
150 °C
10
2
t
= 9.0s
p
10 s
瞬态热阻抗
Z
日JC
=
(t
p
)
参数：
D =吨
p
/
T
10
0
IGBT
A
K / W
I
C
10
1
100 s
Z
thJC
10
-1
D = 0.50
0.20
10
0
1毫秒
10
-2
0.10
0.05
10毫秒
单脉冲
0.02
0.01
DC
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
V
10
-3
-5
10
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
s 10
0
V
CE
t
p
半导体集团
4
Nov-30-1995
BUP 213
典型值。输出特性
典型值。输出特性
I
C
=
f
(V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 25 °C
30
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
=
f
(V
CE
)
参数：
t
p
= 80 s,
T
j
= 125 °C
30
A
17V
15V
13V
11V
9V
7V
I
C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
I
C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
1
2
3
V
5
0
1
2
3
V
5
V
CE
V
CE
典型值。传输特性
I
C
=
f
(V
GE
)
参数：
t
p
= 80 s,
V
CE
= 20 V
30
A
I
C
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
V
14
V
GE
半导体集团
5
Nov-30-1995
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