迷你PROFET BSP 550
miniPROFET
高边开关
短路保护
输入保护
过温保护与滞后
过载保护
过压保护
开关电感式负载
负输出电压与电感性负载的夹具
欠压关断
最大电流内部限制
静电放电
（ ESD）保护
反向电池保护
1)
封装形式：SOT 223
TYPE
订购代码
Q67000-S311
引脚
1
OUT
2
GND
3
IN
4
V
bb
4
3
2
1
BSP 550
最大额定值
参数
电源电压范围
负载电流
自限
最大输入电压
2)
最大输入电流
感性负载关断能耗
单脉冲
I
L
= 1.0A ,
T
A
= 85°C
工作温度范围
存储温度范围
马克斯。功率耗散（DC）的
3)
T
A
= 25 °C
静电放电能力（ ESD ）
4)
热阻
芯片 - 焊接点：
芯片 - 环境
3)
符号
V
bb
I
L
V
IN
I
IN
E
AS
值
-0.3...48
I
L（ SC ）
-5.0...V
bb
±5
0.3
-40 ...+125
-55 ...+150
1.4
±1
7
70
单位
V
A
V
mA
J
°C
W
kV
K / W
T
j
T
英镑
P
合计
V
ESD
R
thjs
R
thJA
+ V BB
4
电压
来源
的ESD
二极管
过压
保护
当前
极限
门
保护
V
逻辑
电压
传感器
电荷泵
电平转换器
整流器器
对于限制
松开
IND 。负载
OUT
温度
传感器
1
3
R
IN
in
负载
ESD
逻辑
GND
MINI- PROFET
负载GND
2
信号地
GND
=150
在GND连接，串联电阻与反向连接的负载电流
受限于连接的负载。
2）在V > V时，输入电流不允许超过
±5
毫安。
IN
bb
3 ） BSP 550环氧树脂PCB 40毫米×40 x 1.5毫米与6平方厘米铜面积为V连接
bb
4）根据MIL -STD 883D ，梭3015.7 HBM
1 ）随着电阻R
半导体集团
1
06.96
BSP 550
电气特性
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
VBB
= 24V ，除非另有说明
符号
值
民
典型值
单位
最大
负载切换功能和特点
通态电阻（引脚4到1 ）
I
L
= 1.0 A,
V
in
=高
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
额定负载电流（引脚4到1 ）
5)
ISO标准：
V
ON
=
V
bb
-
V
OUT
= 0.5 V
T
S
= 85 °C
开启时间
到90％
V
OUT
打开-O FF时间
至10％
V
OUT
R
L
= 24
上压摆率
10至30％
V
OUT
,
R
L
= 24
压摆率关闭
70 ％至40％
V
OUT
,
R
L
= 24
R
ON
I
L（ ISO）的
--
--
1.7
0.16
--
--
0.2
0.38
--
A
t
on
t
关闭
的dV / dt
on
-dV / DT
关闭
--
--
--
--
60
90
2
2
100
150
4
4
s
V / μs的
V / μs的
输入
允许的输入电压范围， （引脚3 2）
输入端导通阈值电压
VBB
= 18...30V
T
j
= -25...+125°C
输入关断阈值电压
VBB
= 18...30V
T
j
= -25...+125°C
输入阈值迟滞
关机状态下的输入电流（引脚3 ）
V
中（关闭）
= 1.82 V
T
j
= -25...+125°C
在状态输入电流（引脚3 ）
V
IN（上）
= 3.0 V至
V
bb
T
j
= -25...+125°C
输入阻抗
T
j
= -25...+125°C
V
IN
V
IN（ T + ）
V
IN（ T-）
V
IN（ T）
I
中（关闭）
I
IN（上）
R
IN
-3.0
--
1.82
--
20
--
1.5
--
--
--
0.1
--
--
2.8
V
bb
3.0
--
--
--
110
3.5
V
V
V
V
A
A
k
5)
I
L（ ISO）的
表征装置的MOSFET的一部分，并且可以比短路更高
I
L（ SC ）
当前整个装置的
半导体集团
2
BSP 550
参数和条件
at
T
j
= 25 °C,
VBB
= 24V ，除非另有说明
符号
值
民
典型值
单位
最大
操作参数
工作电压
欠压关断
欠压重启
欠压滞后
T
j
=-25...+125°C
T
j
=-25...+125°C
T
j
=-25...+125°C:
V
bb的（上）
V
BB （下）
V
BB （U RST ）
V
BB （下
)
12
7
--
--
--
--
--
--
--
0.4
10
1
--
40
10.5
11
--
25
50
1.6
2
V
V
V
V
A
mA
A
待机电流（引脚4 ）
V
in
= LOW
T
j
=-25...+100°C
T
j
=125°C
6)
工作电流（引脚2 ）
V
in
=高
T
j
=-25...+125°C
漏电流（引脚1 ）
V
in
= LOW
T
j
=-25...+125°C
保护功能
电流限制（引脚4到1 ）
I
的bb （关闭）
I
GND
I
L（关闭）
T
j
= 25°C
T
j
= -25...+125°C
过压保护
I
bb
=4mA
T
j
=-25...+125°C
输出钳位（ IND 。负载开关关闭）
V
OUT
=
V
bb
-
V
开（ CL）
I
bb
= 4毫安
热过载跳闸温度
热滞
感性负载关断能耗
7)
T
开始
= 85°C ，单脉冲，
I
L
= 1.0 A,
V
bb
= 12 V
电池反接
反向电池电压
8
)
Continious反向漏电流
漏源电压二极管
I
F
= 1 A,
V
in
= LOW
I
L（ SC ）
V
BB （ AZ ）
V
开（ CL）的
T
jt
T
jt
E
AS
1.4
1.4
48
--
135
--
--
2.5
--
--
72
150
10
--
4.0
4.8
--
--
--
--
0.3
A
V
V
°C
K
J
T
A
= 25°C
V
OUT
＆ GT ; V
bb
-V
bb
-I
S
-V
ON
--
--
--
--
30
1
1.2
V
A
V
6 ）增加待机电流在T = 125 ℃，由于温度感测电流
j
7 ），而消磁负载电感，消耗能量
E
= (V
AS
∫
ON （ CL ） *伊利诺伊（ T） DT ，
2
VON （CL）的
约。
E
AS
= 1/2 * L * I * （
)
L
VON （CL）的-Vbb
8 ）需要150
电阻接地连接。反向负载电流（通过内在的漏极 - 源极二极管）
一般是由所连接的负载的限制。
半导体集团
3
BSP 550
典型值。过载电流
白细胞介素（廉） = F（T） ，
VBB = 24V ，无散热片，参数： Tjstart
白细胞介素（ LIM ） [A]
典型值。工作电流
IGND = F （ TJ ）
VBB = 30V ， VIN =高
IGND [马]
1
3
2.5
0.8
2
0.6
1.5
125°C
-25°C
0.4
1
0.2
0.5
0
-2
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18
T [毫秒]
0
-25
0
25
50
75
100
125
TJ [° C]
短路电流
白细胞介素（ SC ） = F （ TJ ） ; V
BB = 30 V ;
白细胞介素（SC） [ Α ]
3
典型值。待机电流
伊卜（关闭） = F （TJ） ;
VBB = 30 V ， VIN =低
伊布（关闭） [ μA ]
7
2,5
6
5
2
4
1,5
3
1
2
0,5
1
0
-25
0
0
25
50
75
100
125
-25
0
25
50
75
100
125
150
TJ [° C]
TJ [° C]
半导体集团
5
QQ：2880707522 复制
