【BSP 123SIPMOS小信号晶体管 N沟道增强型逻辑电平 VGS （ TH）= 0.8...2.】,IC型号Q67000-S306,Q67000-S306 PDF资料,Q67000-S306经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第49页 > Q67000-S306

BSP 123

SIPMOS

小信号晶体管

N沟道

增强型

逻辑电平

V

GS （ TH）

= 0.8...2.0V

销1

G

TYPE

BSP 123

TYPE

BSP 123

销2

D

3脚

S

引脚4

D

V

DS

100 V

I

D

0.38 A

R

DS （ ON）

6

包

SOT-223

记号

BSP 123

订购代码

Q67000-S306

磁带和卷轴信息

E6327

最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

符号

值

100

100

单位

V

V

DS

V

DGR

V

GS

V

gs

I

D

R

GS

= 20 k

门源电压

栅源电压峰值，非周期性

连续漏电流

±

14

±

20

A

0.38

T

A

= 29 °C

直流漏电流，脉冲

I

Dpuls

0.68

T

A

= 25 °C

功耗

P

合计

1.7

W

T

A

= 25 °C

半导体集团

1

Sep-12-1996

BSP 123

最大额定值

参数

芯片或工作温度

储存温度

热电阻，芯片到环境空气

Therminal性，结焊接点

1)

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

符号

值

-55 ... + 150

-55 ... + 150

≤

72

≤

12

E

55 / 150 / 56

K / W

单位

°C

T

j

T

英镑

R

thJA

R

thjs

1 ）晶体管环氧树脂PCB 40毫米×40毫米× 1.5毫米， 6厘米

2

铜区的漏极连接

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

100

-

1.5

0.1

10

-

10

4

6

-

2

1

100

10

50

V

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

0.8

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-

-

A

nA

nA

-

-

-

6

10

V

DS

= 100 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 100 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

V

DS

= 20 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.38 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 0.38 A

半导体集团

2

Sep-12-1996

BSP 123

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

0.08

0.28

65

10

4

-

S

pF

-

85

15

6

ns

-

5

8

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 0.38 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

上升时间

t

r

-

5

8

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

10

13

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

下降时间

t

f

-

12

16

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.28 A

R

GS

= 50

半导体集团

3

Sep-12-1996

BSP 123

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

A

-

-

-

-

1

0.38

1.5

V

-

1.3

值

典型值。

马克斯。

单位

I

SM

V

SD

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 0.76 A,

T

j

= 25 °C

半导体集团

4

Sep-12-1996

BSP 123

功耗

P

合计

=

(T

A

)

漏电流

I

D

=

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.40

A

2.0

W

P

合计

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

I

D

0.32

0.28

0.24

0.20

0.16

0.12

0.08

0.04

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

安全工作区

I

D

= F（V

DS

)

参数：

D

= 0,

T

C

=25°C

瞬态热阻抗

Z

日JA

=

(t

p

)

参数：

D =吨

p

/

T

10

2

K / W

10

1

Z

thJC

10

0

10

-1

D = 0.50

0.20

10

-2

0.10

0.05

10

-3

单脉冲

0.02

0.01

10

-4

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

0

10

10

10

10

10

10

10

10 s 10

t

p

半导体集团

5

Sep-12-1996

查看更多Q67000-S306PDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

Q67000-S306

-

-

-

-

终端采购配单精选

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

Q67000-S306

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：5645336 复制

电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

Q67000-S306

√ 欧美㊣品

▲10/11+

9359

贴◆插

【dz37.com】实时报价有图&PDF

查询更多Q67000-S306供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！