【SIPMOS小信号晶体管BSS 135qqqqqqqVDS600 VID0.080 ARDS （ O】,IC型号Q67000-S237,Q67000-S237 PDF资料,Q67000-S237经销商,ic,电子元器件-51电子网

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SIPMOS

小信号晶体管

BSS 135

q

q

q

q

q

q

q

V

DS

600 V

I

D

0.080 A

R

DS （ ON）

60

N沟道

耗尽型

高动态性

在现有分组

V

GS （ TH）

1

2

3

TYPE

订购

CODE

磁带和卷轴

信息

引脚配置标记

1

G

2

D

3

S

SS135

包

TO-92

BSS 135 Q67000 - S237 E6325 ：2000个/箱;

Ammopack

最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压，

R

GS

= 20 k

栅源电压

栅源电压峰值，非周期性

连续漏电流，

T

A

= 42 C

脉冲漏极电流，

马克斯。功耗，

符号

值

600

600

±

14

±

20

0.080

0.24

1.0

– 55 … + 150

≤

125

E

55/150/56

单位

V

V

DS

V

DGR

V

GS

V

gs

I

D

I

PULS

P

合计

T

j

,

T

英镑

R

thJA

–

–

A

W

C

K / W

–

T

A

= 25 C

T

A

= 25 C

工作和存储温度范围

热敏电阻，芯片周围的

（不带散热片）

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

半导体集团

1

04.97

BSS 135

电气特性

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

V

GS

=

3 V,

I

D

= 0.25毫安

栅极阈值电压

V

DS

= 3 V,

I

D

= 1毫安

漏源电流切断

V

DS

= 600 V,

V

GS

=

3 V

T

j

= 25 C

T

j

= 125 C

栅极 - 源极漏电流

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0

漏源导通电阻

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.01 A

动态特性

正向跨导

V

DS

≥

2

×

I

D

×

R

DS （ ON）最大值

,

I

D

= 0.01 A

输入电容

V

GS

=

3 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

=

3 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

V

GS

=

3 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

开启时间

t

on

, (

t

on

=

t

D（上）

+

t

r

)

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

600

–

1.5

–

0.7

V

V

GS （ TH）

I

DSS

1.8

–

–

–

–

10

40

100

200

100

nA

A

nA

I

GSS

–

R

DS （ ON）

–

60

g

fs

0.01

0.04

110

8

3

4

10

15

20

–

S

pF

–

150

12

5

6

15

20

30

ns

C

国际空间站

C

OSS

–

C

RSS

–

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

–

–

–

–

V

DD

= 30 V,

V

GS

=

3 V ... + 5 V,

R

GS

= 50

,

I

D

= 0.2 A

打开-O FF时间

t

关闭

, (

t

关闭

=

t

D（关闭）

+

t

f

)

V

DD

= 30 V,

V

GS

=

3 V ... + 5 V,

R

GS

= 50

,

I

D

= 0.2 A

半导体集团

2

BSS 135

电气特性

（续）

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

反向二极管

连续反向漏电流

T

A

= 25 C

脉冲反向漏电流

T

A

= 25 C

二极管正向导通电压

I

F

= 0.16 A,

V

GS

= 0

值

典型值。

马克斯。

单位

I

S

–

–

–

0.80

0.080

0.240

A

I

SM

–

V

SD

–

1.30

V

V

GS （ TH）

分组

范围

V

GS （ TH）

符号

V

GS （ TH）

限值

分钟。

–

– 0.95

– 1.08

– 1.21

– 1.34

– 1.47

– 1.60

– 1.73

马克斯。

0.15

– 0.80

– 0.93

– 1.06

– 1.19

– 1.32

– 1.45

– 1.58

单位

V

V

V

V

V

V

V

V

测试条件

–

在组选定的阈值电压

1)

:

V

GS （ TH）

P

R

S

T

U

V

W

1）特定群体不能单独订购。

每卷只包含从一组晶体管。

V

DS1

= 0.2 V;

V

DS2

= 3 V;

I

D

= 1毫安

半导体集团

3

BSS 135

特征

at

T

j

= 25℃，除非另有规定。

总功耗

P

合计

=

f

(

T

A

)

安全工作区

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

= 25 C

典型值。输出特性

I

D

=

f

(

V

DS

)

参数：

t

p

= 80

s

典型值。漏极 - 源极导通电阻

R

DS （ ON）

=

f

(

I

D

)

参数：

V

GS

半导体集团

4

BSS 135

典型值。传输特性

I

D

=

f

(

V

GS

)

参数：

t

p

= 80

s,

V

DS

≥

2

×

I

D

×

R

DS （ ON）最大值。

典型值。正向跨导

g

fs

=

f

(

I

D

)

参数：

V

DS

≥

2

×

I

D

×

R

DS （ ON）最大值。

,

t

p

= 80

s

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

=

f

(

T

j

)

参数：

I

D

= 0.01 A,

V

GS

= 0 V ，（扩散）

典型值。电容

C

=

f

(

V

DS

)

参数：

V

GS

= 0,

f

= 1兆赫

半导体集团

5

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