超级SIDELED
大电流LED
LS A672 ， LO A672 ， A672 LY
LG A672 ， A672 LP
Besondere Merkmale
q
Gehusefarbe ：韦斯
q
ALS optischer Indikator einsetzbar
q
besonders geeignet贝hohem Umgebungslicht而达
q
q
q
q
特点
q
包的颜色：白色
q
用作光学指示器
q
适合的，因为更高的高环境光
q
q
q
q
工作电流（ ≤ 50毫安DC）
背光，光耦合到光管和镜头
适合于所有的SMT装配和回流焊接方法
可在录音盘（12毫米磁带）
负载突降耐ACC 。根据DIN 40839
半导体集团
1
1998-11-12
VPL06880
erhhten Betriebsstrom （ ≤ 50毫安DC）
楚Hinterleuchtung ， Lichtleiter- UND Linseneinkopplung
献给ALLE SMT- Bestück- UND回流， Lttechniken geeignet
gegurtet （ 12毫米Filmgurt ）
Strimpulsfest NACH DIN 40839
LS A672 ， LO A672 ， A672 LY
LG A672 ， A672 LP
典型值
Emissions-
FARBE
颜色
发射
TYPE
FARBE德
Lichtaustritts-
flche
颜色
发光
区域
无色透明
Lichtstrke
Lichtstrom
Bestellnummer
发光的
强度
I
F
= 50毫安
I
V
（ MCD ）
10
25
40
25
10
25
40
25
10
25
40
16
10
25
40
16
... 80
... 50
... 80
... 200
... 80
... 50
... 80
... 200
... 50
... 50
... 80
... 125
... 80
... 50
... 80
... 125
50
20
32
50
80
发光的
助焊剂
I
F
= 50毫安
Φ
V
（ MLM）
-
100 （典型值）。
180 （典型值）。
-
-
100 （典型值）。
180 （典型值）。
-
-
100 （典型值）。
180 （典型值）。
-
-
100 （典型值）。
180 （典型值）。
-
-
45 （典型值）。
75 （典型值）。
100 （典型值）。
-
订购代码
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
LS A672 -LP
LS A672 -N
LS A672 -P
LS A672 -NR
LO A672 -LP
LO A672 -N
LO A672 -P
LO A672 -NR
LY A672 -LN
LY A672 -N
LY A672 -P
LY A672 - MQ
LG A672 -LP
LG A672 -N
LG A672 -P
LG A672 - MQ
LP A672 - KN
LP A672 -L
LP A672 -M
LP A672 -N
LP A672 -LP
超红
Q62703-Q2761
Q62703-Q2849
Q62703-Q3226
Q62703-Q2850
Q62703-Q2548
Q62703-Q2851
Q62703-Q2852
Q62703-Q2853
Q62703-Q2553
Q62703-Q2854
Q62703-Q2855
Q62703-Q2856
Q62703-Q2544
Q62703-Q2857
Q62703-Q2858
Q62703-Q2859
Q62703-Q2860
Q62703-Q3838
Q62703-Q3839
Q62703-Q3148
Q62703-Q2863
橙
无色透明
黄
无色透明
绿色
无色透明
纯绿
无色透明
6.3 ...
10 ...
16 ...
25 ...
10 ...
s
- 编者献给Neuentwicklungen /不适用于新设计
Streuung德Lichtstrke在einer Verpackungseinheit
I
V最大
/
I
V分钟
≤
2.0.
在一个包装单元的发光强度比
I
V最大
/
I
V分钟
≤
2.0.
半导体集团
2
1998-11-12
LS A672 ， LO A672 ， A672 LY
LG A672 ， A672 LP
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebstemperatur
工作温度范围
Lagertemperatur
存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Durchlastrom
正向电流
Stostrom
浪涌电流
t
≤
10
s,
D
= 0.005
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Sperrschicht /地区信息
结/空气
蒙太奇奥夫PC板*
)
（ Padgre JE
≥
16 mm
2
)
安装在PC板*
)
（ padsize
≥
16 mm
2
每个）
*
)
PC板： FR4
符号
符号
Werte
值
– 55 ... + 100
– 55 ... + 100
+ 100
50
1
统一性
单位
C
C
C
mA
A
T
op
T
英镑
T
j
I
F
I
FM
V
R
P
合计
R
日JA
5
190
330
V
mW
K / W
半导体集团
3
1998-11-12
LS A672 ， LO A672 ， A672 LY
LG A672 ， A672 LP
Kennwerte
(
T
A
= 25 C)
特征
bezeichnung
参数
Wellenlnge德emittierten Lichtes
峰值波长
I
F
= 10毫安
Dominantwellenlnge
主波长
I
F
= 10毫安
Spektrale Bandbreite蓓50 ％
I
相对最大
光谱带宽在50 ％
I
相对最大
I
F
= 10毫安
Abstrahlwinkel贝50 ％
I
v
（ Vollwinkel ）
在50 ％的可视角度
I
v
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 50毫安
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Schaltzeiten ：
开关时间：
I
V
从10％到90％的
I
V
从90％到10％的
I
F
= 100mA时
t
p
= 10
s,
R
L
= 50
*
)
V
F
MAX = 3.2 V作为Febr的。 97
（典型值）。
（ MAX 。 ）
（典型值）。
（ MAX 。 ）
（典型值）。
（典型值）。
（典型值）。
（典型值）。
（典型值）。
（典型值）。
（典型值）。
符号
符号
LS
LO
610
Werte
值
LY
586
LG
565
LP
557
nm
635
统一性
单位
λ
PEAK
λ
DOM
628
605
590
570
560
nm
λ
45
40
45
25
22
nm
2
120
2.0
3.8
120
2.1
3.8
120
2.2
3.8
120
2.6
3.8
120
度。
V
F
V
F
I
R
I
R
C
0
2.6 V
3.8*
)
V
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01
A
10
10
10
10
10
A
40
35
35
60
80
pF
（典型值）。
（典型值）。
t
r
t
f
350
200
500
250
350
200
500
250
500
250
ns
ns
半导体集团
4
1998-11-12
LS A672 ， LO A672 ， A672 LY
LG A672 ， A672 LP
相对spektrale发射
I
REL
=
f
(λ),
T
A
= 25 C,
I
F
= 10毫安
相对光谱发射
V（ λ ） = spektrale Augenempfindlichkeit
标准眼响应曲线
100
%
Ι
REL
80
OHL01698
V
λ
60
红
纯绿
绿色
橙
20
0
400
蓝
450
500
550
黄
40
600
超红
650
超红
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik
I
REL
=
f
()
辐射特性
40
30
20
10
0
OHL01660
1.0
50
0.8
0.6
60
0.4
70
0.2
80
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
0
半导体集团
5
1998-11-12
GaAIAs -IR- Lumineszenzdiode （ 880 nm）的
GaAIAs红外发射器（ 880纳米）
SFH 485 P
面积不平坦
0.6
0.4
2.54 mm
间距
0.8
0.4
5.0
4.2
阴极
3.85
3.35
5.1
4.8
5.9
5.5
1.8
1.2
29
27
1.0
0.5
芯片位置
0.6
0.4
fex06306
GEX06306
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
GaAIAs -IR- Lumineszenzdiode ， hergestellt
IM Schmelzepitaxieverfahren
q
恩格Toleranz ： Chipoberflche /
Bauteiloberkante
q
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
q
雅适平面Oberflche
q
Gehusegleich麻省理工学院SFH 217
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb双500千赫
q
全方位学习
特点
q
GaAIAs红外发光二极管，在制造
液相外延工艺
q
小公差：芯片表面情况
表面
q
良好的光谱匹配的硅
光电探测器
q
平面
q
同一个包SFH 217
应用
q
光反射开关平稳
不同强度（最大为500 kHz ）
q
光纤传输
典型值
TYPE
SFH 485 P
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q516
Gehuse
包
5毫米的LED Gehuse ，计划， klares violettes环氧
Gieharz ， Ltspiee IM 2.54 - mm的光栅（
1
/
10
’’),
Anodenkennzeichnung ： kürzerer并吞
5毫米LED封装（T 1
3
/
4
） ，面紫色
透明环氧树脂，焊片引线间距
2.54 mm (
1
/
10
''） ，阳极标记：短脚。
半导体集团
1
1998-06-26
SFH 485 P
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
τ ≤
10
s
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand ，柏林自由Beinchenlnge
最大。 10毫米
热电阻，之间的引线长度
包装底部和PC板最大。 10毫米
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
最大
,
I
F
= 100米的
光谱带宽在50％的
I
最大
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche二
Gehusevorderseite
距离前面的芯片到外壳表面
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
880
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
200
375
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
λ
80
nm
±
40
0.16
0.4
×
0.4
0.5 ... 1
毕业生
度。
mm
2
mm
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
半导体集团
2
1998-06-26
SFH 485 P
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
（续）
bezeichnung
描述
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90％到10 ％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度系数或
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ
PEAK
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ
PEAK
,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
0.6/0.5
统一性
单位
s
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
I
R
1.5
（ <
1.8)
3.0
（ <
3.8)
0.01
(≤
1)
V
A
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
0.25
毫伏/ K
纳米/ K
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
在分组辐射强度
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
Werte
值
统一性
单位
I
e
> 3.15
毫瓦/ SR
I
典型。
48
毫瓦/ SR
半导体集团
3
1998-06-26
QQ：2881677436 复制
