GaAIAs -IR- Lumineszenzdiode （ 880 nm）的
GaAIAs红外发射器（ 880纳米）
SFH 486
面积不平坦
0.6
0.4
2.54 mm
间距
0.8
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
5.1
4.8
5.9
5.5
阳极
1.8
1.2
29.5
27.5
5.7
5.1
芯片位置
0.6
0.4
约。重量0.5克
GEX06626
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Hergestellt IM Schmelzepitaxieverfahren
q
霍厄Zuverlssigkeit
q
固特spektrale Anpassung的
思Fotoempfnger
Anwendungen
q
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- UND
特点
q
制造的液相外延工艺
q
高可靠性
q
光谱匹配的硅光电探测器
应用
q
Hi-Fi和的电视机，视频的红外遥控器
Rundfunkgerten ， Videorecordern ，
Lichtdimmern
q
Gertefernsteuerungen献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
典型值
TYPE
SFH 486
Bestellnummer
订购代码
Q62703-Q1094
录音机，调光器
q
为稳定和不同的遥控器
强度
半导体集团
1
1997-11-01
fex06626
SFH 486
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrschichttemperatur
结温
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ，
t
p
= 10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand
热阻
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值波长
I
F
= 100毫安
Spektrale Bandbreite贝50 ％冯
I
REL
光谱带宽在50％的
I
REL
I
F
= 100毫安
Abstrahlwinkel
半角
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktive Chipflche
有源芯片面积的尺寸
Abstand Chipoberflche双Linsenscheitel
距离芯片前端镜头顶部
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇，
价值
880
统一性
单位
nm
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 55 ... + 100
100
5
100
2.5
200
375
统一性
单位
°C
°C
V
mA
A
mW
K / W
T
op
;
T
英镑
T
j
V
R
I
F
I
FSM
P
合计
R
thJA
λ
80
nm
±
11
0.16
0.4
×
0.4
毕业生
度。
mm
2
mm
A
L
×
B
L
×
W
H
5.1 ... 5.7
mm
半导体集团
2
1997-11-01
SFH 486
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C)
特征
bezeichnung
描述
Schaltzeiten ，
I
e
冯10 ％奥夫90 ％ UND冯
90 ％奥夫10 ％ ，贝
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
开关时间，
I
e
从10％到90％和
从90 ％到10％ ，
I
F
= 100毫安，
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 5 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
V
F
, I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
, I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
符号
符号
邂逅相遇，
价值
0.6/0.5
统一性
单位
s
t
r
,
t
f
C
o
25
pF
V
F
V
F
I
R
1.50
(≤
1.8)
3.00
(≤
3.8)
0.01
(≤
1)
V
V
A
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.5
%/K
TC
V
TC
λ
–2
0.25
毫伏/ K
纳米/ K
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.001 SR
辐射强度的分组
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.001 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安，
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
符号
邂逅相遇，
价值
40
（典型值） 。 60
统一性
单位
毫瓦/ SR
毫瓦/ SR
I
ê MIN
I
ê MAX
I
典型。
600
毫瓦/ SR
半导体集团
3
1997-11-01
QQ：2880707522 复制
