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首字符Q的型号第66页
> Q62703-F106
砷化镓场效应管
q
q
q
q
q
CFY 25
低噪音
高增益
对于前端放大器
LON -植入平面结构
全部镀金
防静电:静电放电
敏感的设备,观察处理注意事项!
TYPE
CFY 25-17
CFY 25-20
CFY 25-23
记号
C5
C6
C7
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62703-F106
Q62703-F107
Q62703-F108
引脚配置
1
2
3
4
D
S
G
S
包
1)
微-X
最大额定值
参数
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流
总功耗,
T
S
≤
56 C
2)
通道温度
存储温度范围
热阻
道 - 焊接点
2)
R
日CHS
375
K / W
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
D
P
合计
T
ch
T
英镑
值
5
7
–5…+0
80
250
150
– 65 … + 150
mA
mW
C
单位
V
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的源极引线。
半导体集团
1
07.94
CFY 25
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
漏源饱和电流
V
DS
= 3 V,
V
GS
= 0
捏-O FF电压
I
D
= 1毫安,
V
DS
= 3 V
栅极漏电流
I
D
= 15毫安,
V
DS
= 3 V
跨
I
D
= 15毫安,
V
DS
= 3 V
噪声系数
I
DS
= 15毫安,
V
DS
= 3 V,
f
= 12 GHz的CFY 25-17
CFY 25-20
CFY 25-23
相关的增益
I
DS
= 15毫安,
V
DS
= 3 V,
f
= 12 GHz的CFY 25-17
CFY 25-20
CFY 25-23
符号
分钟。
I
DSS
V
p
I
G
g
m
F
–
–
–
G
a
9
8.5
8.5
9.5
9
9
–
–
–
1.6
1.9
2.2
1.7
2.0
2.3
15
– 0.3
–
30
值
典型值。
30
– 1.0
0.1
40
马克斯。
60
– 3.0
2
–
mA
V
A
单位
mS
dB
半导体集团
2
CFY 25
总功耗
P
合计
=
f
(T
S
;
T
A
*)
*包安装在氧化铝
输出特性
I
D
=
f
(V
DS
)
传输特性
I
D
=
f
(V
G
)
V
DS
= 3 V
半导体集团
3
CFY 25
共源噪声参数
f
GHz的
F
民
dB
G
a
dB
Γ
选择
MAG
昂
R
N
r
N
–
N
–
F
50
dB
对g(f
50
)
dB
I
D
= 15毫安,
V
DS
= 3.0 V,
Z
0
= 50
2
4
6
8
10
12
14
0.60
0.77
1.00
1.25
1.55
1.77
2.15
18.5
14.6
12.4
11.0
9.8
9.0
8.1
0.70
0.59
0.50
0.47
0.45
0.43
0.41
31
63
103
140
174
– 156
– 130
29
21
13
7.3
5.6
7.1
18
0.580
0.420
0.260
0.146
0.112
0.142
0.360
0.10
0.14
0.19
0.23
0.28
0.29
0.46
2.0
1.8
1.8
2.0
2.4
2.5
3.0
11.4
10.5
9.3
8.2
7.3
6.4
5.8
源阻抗分钟。噪声系数
I
D
= 15毫安,
V
DS
= 3 V
不断的噪声系数圆
I
D
= 15毫安,
V
DS
= 3 V,
f
= 12 GHz的
半导体集团
4
CFY 25
最小噪声科幻gure
F
民
=
f
(f)
相关的增益
G
a
=
f
(f)
I
D
= 15毫安,
V
DS
= 3 V,
Z
SOPT
最小噪声科幻gure
F
民
=
f
(I
D
)
相关的增益
G
a
=
f
(I
D
)
V
DS
= 3 V,
f
= 12千兆赫,
Z
SOPT
半导体集团
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Q62703-F106
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QS29FCT520ATP
QEUM5330FQ5016
QEN05DMA
QM20-8RL-CF
QS74FCT2191TQ
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联系人:连
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