【BFS 482NPN硅晶体管RF对于低噪声。高增益宽带放大器集电极电流为0.2 mA至20 mAfT】,IC型号Q62702F1573,Q62702F1573 PDF资料,Q62702F1573经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BFS 482

NPN硅晶体管RF

对于低噪声。高增益宽带放大器

集电极电流为0.2 mA至20 mA

f

T

= 8 GHz的

F

= 1.2分贝在900MHz

二（电流）的内部分离

在一个封装晶体管

C1

6

E2

5

B2

4

4

5

6

ESD

:

E

LECTRO

s

TATIC

d

ischarge敏感器件，观察处理防范！

结温

环境温度

储存温度

热阻

结 - 焊接点

R

thjs

1

T

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线

S

2

1

3

VPS05604

TR2

TR1

1

B1

2

E1

3

C2

EHA07196

TYPE

BFS 482

最大额定值

参数

记号

RGS

引脚配置

包

1 = B 2 = E 3 = C 4 = B 5 = E 6 = C SOT- 363

符号

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

价值

单位

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

,

T

S

12

20

20

2

35

4

250

150

-65 ... 150

-65 ... 150

V

mA

mW

°C

81 °C

1)

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

275

K / W

1

Oct-12-1999

BFS 482

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

V

CE

= 20 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 1 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V

h

FE

50

100

200

-

I

EBO

-

-

1

A

I

CBO

-

-

100

nA

I

CES

-

-

100

A

V

（ BR ） CEO

12

-

-

V

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

2

Oct-12-1999

BFS 482

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

AC特性

（通过随机抽样核实）

跃迁频率

I

C

= 15毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

功率增益，最大稳定

1)

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 900兆赫

功率增益，最大可用

2)

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

,

Z

L

=

Z

LOPT

,

f

= 1.8 GHz的

传感器增益

|S

21e

|

2

,

-

-

15.5

10

-

-

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

L

= 50

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

G

ma

-

13

-

G

ms

F

-

-

-

1.2

1.9

19.5

-

-

-

dB

C

eb

-

0.65

-

C

ce

-

0.12

-

C

cb

-

0.3

0.45

pF

f

T

6

8

-

GHz的

符号

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

1

G

ms

2

G

ma

= |S

21

/

S

12

|

= |S

21

/

S

12

| (k-(k

2

-1)

1/2

)

3

Oct-12-1999

BFS 482

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*,

T

S

)

*包装安装在环氧

300

mW

P

合计

200

T

S

150

T

A

100

50

0

0

20

40

60

80

100

120

°C

150

T

A

,T

S

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

10

2

K / W

P

totmax

/ P

totDC

-

10

2

10

1

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

R

thjs

10

1 -7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

10

0 -7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

s

10

0

t

p

4

Oct-12-1999

BFS 482

集电极 - 基极电容

C

cb

=

f

(V

CB

)

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

=参数

f

= 1MHz的

0.50

pF

8.0

8V

GHz的

0.40

6.0

0.35

5V

C

cb

f

T

0.30

0.25

0.20

0.15

5.0

3V

2V

1V

4.0

3.0

2.0

0.10

0.05

0.00

0

V

0.7V

1.0

4

8

12

16

24

0.0

0

5

10

15

20

25

30

35

mA

45

V

CB

I

C

功率增益

G

ma

,

G

ms

=

F（我

C

)

f

= 0.9GHz

V

CE

=参数

22

dB

10V

功率增益

G

ma

,

G

ms

=

F（我

C

)

f

= 1.8GHz的

V

CE

=参数

14

8V

5V

5V

dB

18

10

3V

G

3V

G

8

16

2V

14

2V

6

1V

12

4

1V

10

8

2

0.7V

0.7V

6

0

5

10

15

20

25

30

35

mA

45

0

0

5

10

15

20

25

30

35

mA

45

I

C

I

C

5

Oct-12-1999

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联系人：刘先生

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