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NPN硅达林顿晶体管
PZTA 13
PZTA 14
q
对于一般自动对焦的应用
q
高集电极电流
q
高电流增益
q
互补类型: PZTA 63
PZTA 64 ( PNP )
TYPE
PZTA 13
PZTA 14
记号
PZTA 13
PZTA 14
订购代码
(磁带和卷轴)
Q62702-Z2033
Q62702-Z2034
引脚配置
1
2
3
4
B
C
E
C
1)
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗,
T
S
= 124 C
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
2)
结 - 焊接点
R
日JA
R
日JS
72
17
符号
V
CES
V
CB0
V
EB0
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
30
30
10
300
500
100
200
1.5
150
– 65 … + 150
单位
V
mA
W
C
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装在环氧树脂PCB 40毫米套餐
×
40 mm
×
1.5毫米/ 6厘米
2
铜。
半导体集团
1
5.91
PZTA 13
PZTA 14
电气特性
at
T
A
= 25℃,除非另有规定。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 100
A
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CE
= 30 V,
I
E
= 0
V
CE
= 30 V,
I
E
= 0,
T
A
= 150 C
发射基截止电流
V
EB
= 10 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 100毫安,
V
CE
= 5 V
PZTA 13
PZTA 14
PZTA 13
PZTA 14
V
CESAT
V
BESAT
V
( BR ) CES
V
(BR)CB0
V
(BR)EB0
I
CB0
I
EB0
h
FE
5000
10000
10000
20000
1.5
2.0
V
100
10
100
nA
A
nA
30
30
10
V
典型值。
马克斯。
单位
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
- 0.1毫安
基射极饱和电压
1)
I
C
= 100毫安,
I
B
- 0.1毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 50毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
f
T
125
兆赫
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
= 2 %.
半导体集团
2
PZTA 13
PZTA 14
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;
T
S
)
*包装安装在环氧
跃迁频率
f
T
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V,
f
= 100兆赫
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(T
A
)
V
CE
= 30 V
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 5 V
半导体集团
3
PZTA 13
PZTA 14
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
=
f
(V
CE坐
)
h
FE
= 1000
基射极饱和电压
I
C
=
f
(V
BE坐
)
h
FE
= 1000
允许的脉冲负载
P
TOT最大
/
P
TOT DC
=
f
(t
p
)
半导体集团
4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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联系人:刘先生
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