【BSS 131SIPMOS小信号晶体管 N沟道增强型逻辑电平 VGS （ TH）= 0.8...2.】,IC型号Q62702-S565,Q62702-S565 PDF资料,Q62702-S565经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BSS 131

SIPMOS

小信号晶体管

N沟道

增强型

逻辑电平

V

GS （ TH）

= 0.8...2.0V

销1

G

TYPE

BSS 131

TYPE

BSS 131

BSS 131

销2

S

记号

SR的

3脚

D

V

DS

240 V

I

D

0.1 A

R

DS （ ON）

16

包

SOT-23

订购代码

Q62702-S565

Q67000-S229

磁带和卷轴信息

E6327

E6433

最大额定值

参数

漏源电压

漏极 - 栅极电压

符号

值

240

240

单位

V

V

DS

V

DGR

V

GS

V

gs

I

D

R

GS

= 20 k

门源电压

栅源电压峰值，非周期性

连续漏电流

±

14

±

20

A

0.1

T

A

= 26 °C

直流漏电流，脉冲

I

Dpuls

0.4

T

A

= 25 °C

功耗

P

合计

0.36

W

T

A

= 25 °C

半导体集团

1

Sep-13-1996

BSS 131

最大额定值

参数

芯片或工作温度

储存温度

热电阻，芯片到环境空气

DIN湿度类别， DIN 40 040

IEC气候类型， DIN IEC 68-1

1）包安装在铝

15毫米X 16.7毫米X 0.7毫米

符号

值

-55 ... + 150

-55 ... + 150

≤

350

≤

285

E

55 / 150 / 56

单位

°C

K / W

T

j

T

英镑

R

thJA

Therminal电阻，芯片底物反面

1)

R

thJSR

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

静态特性

漏源击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） DSS

240

-

1.4

0.1

2

-

1

12

15

-

2

1

60

30

10

V

V

GS

= 0 V,

I

D

= 0.25毫安，

T

j

= 25 °C

栅极阈值电压

V

GS （ TH）

0.8

V

GS =

V

DS ，

I

D

= 1毫安

零栅极电压漏极电流

I

DSS

-

-

-

A

nA

nA

-

-

-

16

26

V

DS

= 240 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

V

DS

= 240 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 125 °C

V

DS

= 130 V,

V

GS

= 0 V,

T

j

= 25 °C

栅极 - 源极漏电流

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

= 20 V,

V

DS

= 0 V

漏源导通电阻

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.1 A

V

GS

= 4.5 V,

I

D

= 0.1 A

半导体集团

2

Sep-13-1996

BSS 131

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

动态特性

跨

值

典型值。

马克斯。

单位

g

fs

0.06

0.14

60

8

3.5

-

S

pF

-

80

12

5

ns

-

5

8

V

DS

≥

2

*

I

D *

R

DS （ ON）最大值，

I

D

= 0.1 A

输入电容

C

国际空间站

C

OSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

输出电容

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

反向传输电容

C

RSS

-

V

GS

= 0 V,

V

DS

= 25 V,

f

= 1兆赫

导通延迟时间

t

D（上）

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.26 A

R

GS

= 50

上升时间

t

r

-

8

12

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.26 A

R

GS

= 50

打开-O FF延迟时间

t

D（关闭）

-

12

16

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.26 A

R

GS

= 50

下降时间

t

f

-

15

20

V

DD

= 30 V,

V

GS

= 10 V,

I

D

= 0.26 A

R

GS

= 50

半导体集团

3

Sep-13-1996

BSS 131

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

符号

分钟。

反向二极管

逆二极管连续正向电流

I

S

T

A

= 25 °C

逆二极管直流，脉冲

A

-

-

-

-

0.8

0.1

0.4

V

-

1.2

值

典型值。

马克斯。

单位

I

SM

V

SD

T

A

= 25 °C

逆二极管正向电压

V

GS

= 0 V,

I

F

= 0.2 A,

T

j

= 25 °C

半导体集团

4

Sep-13-1996

BSS 131

功耗

P

合计

=

(T

A

)

漏电流

I

D

=

(T

A

)

参数：

V

GS

≥

10 V

0.11

A

0.40

W

P

合计

0.32

0.28

0.24

I

D

0.09

0.08

0.07

0.06

0.20

0.05

0.16

0.04

0.12

0.08

0.04

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

0.03

0.02

0.01

0.00

0

20

40

60

80

100

120

°C

160

T

A

T

A

安全工作区

I

D

= F（V

DS

)

参数：

D

= 0.01,

T

C

=25°C

漏源击穿电压

V

（ BR ） DSS

=

(T

j

)

285

V

275

V

（ BR ） DSS

270

265

260

255

250

245

240

235

230

225

220

215

-60

-20

20

60

100

°C

160

T

j

半导体集团

5

Sep-13-1996

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联系人：连

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联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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