BP 103
NPN - Silizium - Fototransistor
硅NPN光电晶体管
BP 103
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯420nm的双波长1130
q
霍厄Linearitt
q
的TO- 18 ， Bodenplatte ， klares环氧
Gieβharz ，麻省理工学院Basisanschluβ
Anwendungen
q
电脑Blitzlichtgerte
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
典型值
TYPE
BP 103
BP 103-2
BP 103-3
BP 103-4
BP 103-5
1)
1)
1)
特点
q
特别适合于从应用程序
420纳米至1130纳米
q
高线性度
q
的TO- 18 ，底板，透明环氧树脂
镜头与底座的连接
应用
q
电脑控制的闪烁
q
光中断
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P75
Q62702-P79-S1
Q62702-P79-S2
Q62702-P79-S4
Q 62702 - P781
Lieferung在dieser的Gruppe卡恩Wegen酒店Ausbeuteschwankungen - 编者音麦sichergestellt werden 。
在diesem秋季世界投资报告behalten UNS死Lieferung einer Ersatzgruppe VOR 。
用品出这组不能总是由于产量的不可预见的传播保证。
在这种情况下，我们将保留我们提供的替代品组的右边。
半导体集团
211
10.95
fet06017
BP 103
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
浸焊温度，
≥
2毫米距离
从外壳底部
t
≤
5 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
烙铁焊接温度，
≥
2毫米距离
从外壳底部
t
≤
3 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
发射器 - Basisspannung
发射极基极电压连续
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 80
260
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
I
CS
V
EB
P
合计
R
thJA
50
100
200
7
150
500
V
mA
mA
V
mW
K / W
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BP 103
Kennwerte
(T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessungen德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Fotostrom DER Kollektor个基本Fotodiode
集电极 - 基极二极管的光电流
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CB
= 5 V
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光
V
CB
= 5 V
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
CB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
V
EB
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 35 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
850
420 ... 1130
统一性
单位
nm
nm
A
长×宽
L
×
W
H
0.12
0.5
×
0.5
0.2 ... 0.8
mm
2
mm
×
mm
mm
±
55
毕业生
度。
I
PCB
I
PCB
0.9
2.7
A
A
C
CE
C
CB
C
EB
I
首席执行官
8
11
19
5 (≤ 100)
pF
pF
pF
nA
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BP 103
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet 。
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯的数字。
bezeichnung
描述
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
E
v
= 1000九。
Normlicht /标准光A
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor - 发射极
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极饱和
电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
Stromverstrkung
电流增益
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
1)
1)
符号
符号
-2
-3
邂逅相遇，
价值
-4
-5
统一性
单位
I
PCE
80 ... 160 125 ... 250 200 ... 400
≥
320
A
I
PCE
t
r
,
t
f
0.38
5
0.6
7
0.95
9
1.4
12
mA
s
V
CESAT
150
150
150
150
mV
I
PCE
I
PCB
140
210
340
530
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
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