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在TO-包三元PIN光电二极管
与集成光学
SRD 00212Z
砷化铟镓/磷化铟 - PIN光电二极管
设计用于光纤通信中的应用
系统
敏感的接收器2
nd
和3
rd
光学窗口
( 1300纳米和1500纳米)
适用于比特率高达1.2 Gbit / s的
低结低封装电容
快速开关时间
低暗电流
低噪音
高反向电流的稳定性由平面结构
通过内置的光学光谱高灵敏度
密封3芯的金属外壳
没有必要Z-调整(帽最佳耦合
面)
订购代码
Q62702-P3010
连接器/法兰
TO ,用光学
TYPE
SRD 00212Z
组件与其它引脚配置或根据客户要求提供包装纲要( CAP) 。
最大额定值
参数
正向电流
反向电压
工作和存储温度
马克斯。辐射功率成选择。端口
(
V
R
= 5 V)
焊接时间(波/浸焊) ,距离
焊点和基板之间
2 mm,
260 °C
符号
10
20
40
+ 85
1
10
单位
mA
V
°C
mW
s
I
F
V
R
T
A
T
英镑
Φ
PORT
t
s
半导体集团
1
02.95
SRD 00212Z
特征
所有的光学数据指向一个最佳结合一百二十五分之十
m
单模光纤。
参数
光谱灵敏度
λ
= 1300纳米,
V
R
= 5 V
改变经营光谱灵敏度
温度范围
上升和下降时间
R
L
= 50
,
V
R
= 5 V,
λ
= 1310纳米,
Φ
PORT
= 100
W
总电容
V
R
= 5 V,
Φ
PORT
= 0,
f
= 1兆赫
暗电流
V
R
= 5 V,
T
A
= 85 °C,
Φ
PORT
= 0
符号
0.9 (≥ 0.8)
< 0.2
0.3 (≤ 0.5)
1.0 (≤ 1.5)
1 (≤ 50)
单位
/ W
%/K
ns
pF
nA
S
λ
S
λ
t
r
;
t
f
C
5
I
D
电容
C
=
f
(
V
R
)
Φ
PORT
= 0,
f
= 1兆赫
相对光谱灵敏度
V
R
= 5 V
10
1
0,9
0,8
电容的单位为pF
灵敏度/ W
0,7
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
1
0.1
0.1
1
10
100
在V反向偏压
0
800
1200
1600
2000
在纳米W avelength
半导体集团
2
SRD 00212Z
暗电流
I
R
=
f
(
V
R
)
I
F
=
f
(
V
F
)
暗电流
I
R
=
f
(
T
A
)
Φ
PORT
= 0,
V
R
= 5 V
10
100
10
在nA的暗电流
在nA的暗电流
1
1
0.1
0.1
0.01
0.01
0.001
0
5
10
15
20
在V反向偏压
0.001
-50
0
50
100
环境温度(℃)
封装图(单位:mm )
SRD 00212Z
半导体集团
3
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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