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Schnelle的GaAlAs -IR- Lumineszenzdiode
高速的GaAlAs红外发射器
SFH 4591
SFH 4592
面积不平坦
0.6
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
2.54 mm
间距
0.8
0.4
5.9
5.5
5.1
4.8
阳极
1.8
1.2
29.5
27.5
芯片位置
GEX06626
SFH 4591
面积不平坦
0.6
0.4
9.0
8.2
7.8
7.5
2.54 mm
间距
0.8
0.4
5.9
5.5
阳极
SFH 4592
约。重量0.2克
GEX06984
Maβe在毫米,德恩非职权安德斯angegeben /尺寸(mm) ,除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
霍厄Pulsleistung sowie达赫
Gesamtstrahlungsfluβ
Φ
e
q
雅适kurze Schaltzeiten ( 10纳秒)
q
Geringe Vorwrtsspannung UND
Leistungsaufnahme
q
雅适霍厄Langzeitstabilitt
q
gegurtet lieferbar
Anwendungen
q
Schnelle Datenübertragung MIT
bertragungsraten双100波特
(IR Tastatur ,摇杆,多媒体)
q
类比UND数显的Hi-Fi音频 - 视频 - UND
signalübertragung
q
Batteriebetriebene GERTE ( geringe Strom-
aufnahme )
q
Anwendungen MIT霍恩Zuverlssigkeits-
ansprüchen bzw. erhhten Anforderungen
q
报警的UND Sicherungssysteme
q
IR Freiraumübertragung
半导体集团
1
特点
q
高脉冲功率和高辐射通量
Φ
e
q
很短的转换时间( 10纳秒)
q
低正向电压和功耗
q
极高的长期稳定性
q
可在磁带和卷轴
应用
q
高数据传输速率高达100兆波特
(红外键盘,摇杆,多媒体)
q
模拟和数字高保真音频和视频
信号传输
q
低功耗(电池)设备
q
适合专业和高可靠性
应用
q
报警及安全设备
q
红外自由的空气传播
1998-09-08
fex06626
1.8
1.2
29
27
5.1
4.8
4.8
4.2
芯片位置
0.6
0.4
fex06260
5.7
5.1
0.6
0.4
SFH 4591
SFH 4592
典型值
TYPE
SFH 4591
SFH 4592
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P5059
Q62702-P5060
Gehuse
5毫米- LED - Gehuse ( T1
3
/
4
) , KLAR , Anschlüsse IM 2,54毫米
光栅, Anodenkennzeichnung : kurzer并吞
5毫米LED封装(T1
3
/
4
) ,清晰,焊片2.54毫米(
1
/
10
”),
阳极标记:短脚
Grenzwerte
(T
A
= 25
°C)
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Durchlastrom
正向电流
Stostrom ,
t
p
=
10
s,
D
= 0
浪涌电流
Verlustleistung
功耗
Wrmewiderstand Sperrschicht - 地区信息,
柏林自由Beinchenlnge最大。 10毫米
热阻结 - 环境,
包底之间的引线长度
PCB最大。 10毫米
符号
符号
T
op
;
T
英镑
V
R
I
F
(DC)的
I
FSM
P
合计
R
thJA
邂逅相遇,
价值
– 40 ... + 100
3
100
2
200
375
统一性
单位
°
C
V
mA
A
mW
K / W
半导体集团
2
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C)
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge明镜Strahlung
峰值发射波长
I
F
= 100毫安,
t
P
= 20毫秒
Spektrale Bandbreite贝50 %冯
I
最大
光谱带宽在50%的
I
最大
I
F
= 100毫安,
t
P
= 20毫秒
Abstrahlwinkel
半角
SFH 4591
SFH 4592
Aktive Chipflche
有源芯片面积
Abmessungen德aktiven Chipflche
有源芯片面积的尺寸
符号
符号
λ
PEAK
邂逅相遇,
价值
880
统一性
单位
nm
λ
25
nm
±
7
±
18
A
L
×
B
L
×
W
0.09
0.3
×
0.3
10
毕业生
度。
mm
2
mm
ns
Schaltzeiten ,
I
e
冯10 %奥夫90 % UND冯
t
r
,
t
f
90 %奥夫10 % ,贝
I
F
= 100毫安,
t
P
= 20毫秒,
R
L
= 50
开关时间,
I
e
从10%到90%,从
90 %到10 % ,
I
F
= 100毫安,
t
P
= 20毫秒,
R
L
= 50
Kapazitt
电容
V
R
= 0 V,
f
= 1兆赫
Durchlaspannung
正向电压
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Sperrstrom
反向电流
V
R
= 3 V
Gesamtstrahlungsfluβ
总辐射通量
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Temperaturkoeffizient冯
I
e
bzw.
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
I
e
or
Φ
e
,
I
F
= 100毫安
C
o
35
pF
V
F
V
F
I
R
1.5
(≤
2.0)
3.0
(≤
3.8)
0.01
(≤
10)
V
V
A
Φ
e
25
mW
TC
I
– 0.44
%/K
半导体集团
3
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C)
特征
(续)
bezeichnung
描述
Temperaturkoeffizient冯
V
F
, I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
V
F
, I
F
= 100毫安
Temperaturkoeffizient冯
λ,
I
F
= 100毫安
温度COEF网络cient
λ,
I
F
= 100毫安
Strahlstrke
I
e
在Achsrichtung
gemessen贝einem Raumwinkel
= 0.01 SR
辐射强度
I
e
在轴向方向上
在一个立体角
= 0.01 SR
bezeichnung
描述
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 100毫安,
t
p
= 20毫秒
Strahlstrke
辐射强度
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
s
Ltbedingungen
焊接条件
Tauch- , Schwall- UND Schleppltung
DIP, Wave和拖焊
Ltbad-
。温度
最大
Zulssige
Ltzeit
马克斯。烫发。
焊接
时间
10 s
Abstand
Ltstelle -
Gehuse
距离
焊点
与案例
Kolbenltung ( MIT 1,5 -MM- Kolbenspitze )
铁钎焊( 1.5毫米位)
。温度
德Kolbens
Maximale
Zulssige
Ltzeit
Abstand
Ltstelle -
Gehuse
距离
焊点
与案例
符号
SFH 4591
I
ê MIN
I
ê TYP
I
ê TYP
40
80
600
Werte
SFH 4592
25
40
300
毫瓦/ SR
统一性
单位
符号
符号
TC
V
TC
λ
邂逅相遇,
价值
–2
+ 0.13
统一性
单位
毫伏/ K
纳米/ K
毫瓦/ SR
温度
焊接
260
°
C
温度最高。 permissi-
的可焊BLE焊接
ING铁
时间
300
°
C
3s
1.5 mm
1.5 mm
半导体集团
4
1998-09-08
SFH 4591
SFH 4592
I
相对光谱发射
I
REL
=
f
(λ)
100
%
Ι
REL
90
80
OHF00366
辐射强度
e
---------------- =
f
(
I
F
)
-
单脉冲,
t
p
= 20
s
Ι
E( 100 mA时)
1
I
e
100mA
马克斯。容许正向电流
I
F
=
f
(T
A
)
120
OHF00359
Ι
e
10
2
OHF00363
Ι
F
mA
100
10
70
60
50
40
30
80
R
thJA
= 375 K / W
10
0
60
40
10
-1
20
10
0
700
750
800
850
900
nm
λ
1000
20
10
-2 -2
10
10
-1
10
0
Ι
F
A 10
1
0
0
20
40
60
80
100 C 120
T
A
正向电流
I
F
=
f
(V
F
)
单脉冲,
t
p
= 20
s
10
1
OHF00362
辐射特性
I
REL
=
f
(),
SFH 4591
40
30
20
10
0
1.0
OHF00365
Ι
F
A
50
0.8
10
0
60
0.6
70
10
-1
0.4
80
90
0.2
0
10
-2
0
0.5
1
1.5
2
2.5 V 3
V
F
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
允许的脉冲功率
占空比
D
=参数,
T
A
= 25
°C
10
1
OHF00361
辐射特性
I
REL
=
f
(),
SFH 4592
40
30
20
10
0
1.0
OHR00397
Ι
F
A
5
t
p
D=
t
p
T
T
D = 0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
Ι
F
50
0.8
60
0.6
10
0
70
0.4
5
80
90
0.2
0
10
-1
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
s 10
2
t
p
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
半导体集团
5
1998-09-08
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    Q62702-P5060
    -
    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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