BPX 80
BPX 82 ... 89
NPN - Silizium - Fototransistor Zeilen
硅NPN晶体管阵列
BPX 80
BPX 82 ... 89
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯440nm的双波长1070
q
霍厄Linearitt
q
Mehrstellige Zeilenbauform澳大利亚klarem
环氧树脂
q
Gruppiert lieferbar
Anwendungen
q
Miniaturlichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
Lochstreifenleser
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
440纳米至1070纳米
q
高linearitt
q
透明多位数阵列封装
环氧树脂
q
可在组
应用
q
微型光断续器
q
穿孔带阅读
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
半导体集团
1
03.96
feo06367
fez06365
BPX 80
BPX 82 ... 89
典型值
TYPE
Transistoren
亲Zeile
晶体管数量
每个阵列
民
2
3
4
5
6
7
8
9
10
4.5
7.0
9.6
12.1
14.6
17.2
19.7
22.3
24.8
集体“A”
尺寸“A”
最大
4.9
7.4
10
12.5
15
17.6
20.1
22.7
25.2
Bestellnummer
订购代码
BPX 82
BPX 83
BPX 84
BPX 85
BPX 86
BPX 87
BPX 88
BPX 89
BPX 80
Q62702-P21
Q62702-P25
Q62702-P30
Q62702-P31
Q62702-P22
Q62702-P32
Q62702-P33
Q62702-P26
Q62702-P28
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur贝Tauchltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
3 s
浸焊温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
3 s
Lttemperatur贝Kolbenltung
Ltstelle
≥
2毫米VOM Gehuse ，
Ltzeit
t
≤
5 s
烙铁焊接温度
≥
2毫米距离
从底部的情况下，焊接时间
t
≤
5 s
Kollektor - Emitterspannung
集电极 - 发射极电压
Kollektorstrom
集电极电流
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 80
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
T
S
300
°C
V
CE
I
C
32
50
V
mA
半导体集团
2
BPX 80
BPX 82 ... 89
Grenzwerte
最大额定值
（续）
bezeichnung
描述
Kollektorspitzenstrom ，
φ <
10
s
集电极电流浪涌
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
Wrmewiderstand
热阻
符号
符号
邂逅相遇，
价值
200
90
750
统一性
单位
mA
mW
K / W
I
CS
P
合计
R
thJA
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C, λ
= 950纳米）
特征
bezeichnung
描述
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德Chipflche
芯片区域的尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Kapazitt
电容
V
CE
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
Dunkelstrom
暗电流
V
CE
= 25 V,
E
= 0
符号
符号
λ
s最大
λ
邂逅相遇，
价值
850
440 ... 1070
统一性
单位
nm
nm
A
L
×
B
L
×
W
H
0.17
0.6
×
0.6
1.3 ... 1.9
mm
2
mm
×
mm
mm
±
18
6
毕业生
度。
pF
C
CE
I
首席执行官
25 (≤ 200)
nA
半导体集团
3
BPX 80
BPX 82 ... 89
死Fototransistoren werden NACH ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert UND麻省理工学院arabischen
Ziffern gekennzeichnet
光电晶体管根据它们的光谱灵敏度和分辨的分组
由阿拉伯人物
bezeichnung
描述
符号
符号
-A
Fotostrom ，
λ =
950纳米
光
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
,
V
CE
= 5 V
I
PCE
E
v
= 1000九， Normlicht /标准光源A，
I
PCE
V
CE
= 5 V
Anstiegszeit / Abfallzeit
上升和下降时间
I
C
= 1毫安，
V
CC
= 5 V,
R
L
= 1 k
Kollektor - 发射极
Sttigungsspannung
集电极 - 发射极
饱和电压
I
C
=
I
PCEmin
1)
×
0.3,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
-B
Werte
价值
-C
统一性
单位
0.32 ... 0.63 0.40 ... 0.80
≥
0.5
1.7
2.2
2.7
5.5
6
8
mA
mA
s
t
r
,
t
f
V
CESAT
150
150
150
mV
模具gelieferten BAUELEMENTE信德MIT -A，-B ，-C gekennzeichnet 。 Wegen酒店Ausbeuteschwankungen北京时间jedoch死
Bestellung einer definierten的Gruppe -A ， -B，-C - 编者mglich 。
用于递送部件都标-A，-B ，-C 。由于不同的产率，它是无法订购一个明确的
组。
1)
1)
I
PCEmin
北京时间德minimale Fotostrom德jeweiligen的Gruppe
I
PCEmin
是分钟。指定的组的光电流
半导体集团
4
BPX 61
Silizium - PIN- Fotodiode
硅PIN光电二极管
BPX 61
Maβe在毫米，德恩非职权安德斯angegeben /尺寸（mm） ，除非另有规定。
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet献给Anwendungen IM
Bereich冯为400nm双波长1100
q
Kurze Schaltzeit （典型值20 ns的）
q
Hermetisch dichte Metallbauform
（ hnlich TO- 5）
Anwendungen
q
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
q
IR- Fernsteuerungen
q
Industrieelektronik
q
“梅森/ Steuern / Regeln ”
特点
q
特别适合于从应用程序
400纳米至1100纳米
q
短的切换时间（典型值20 ns的）
q
密封金属封装
（类似TO- 5 ）
应用
q
光中断
q
红外遥控器
q
工业电子产品
q
控制和驱动电路
典型值
TYPE
BPX 61
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P25
半导体集团
357
10.95
fmo06011
BPX 61
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
描述
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Lttemperatur （ Ltstelle 2毫米VOM
Gehuse entfernt贝Ltzeit
t
≤
3 s)
焊接温度2毫米的距离
从外壳底部（
t
≤
3 s)
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ，
T
A
= 25
°C
总功耗
符号
符号
邂逅相遇，
价值
– 40 ... + 125
230
统一性
单位
°C
°C
T
op
;
T
英镑
T
S
V
R
P
合计
32
250
V
mW
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Fotoempfindlichkeit ，
V
R
= 5 V
光谱灵敏度
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10％冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 ％
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen
flche
辐射敏感区尺寸
Abstand Chipoberflche祖Gehuseober-
flche
距离前面的芯片到外壳表面
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ，
V
R
= 10 V
暗电流
符号
符号
邂逅相遇，
价值
70 (≥ 50)
850
400 ... 1100
统一性
单位
NA /九
nm
nm
S
λ
s最大
λ
A
L
×
B
L
×
W
H
7.00
2.65
×
2.65
mm
2
mm
1.9 ... 2.3
mm
±
55
2 (≤ 30)
毕业生
度。
nA
I
R
半导体集团
358
BPX 61
Kennwerte
(
T
A
= 25
°C,
Normlicht A，
T
= 2856 K)
特征
(
T
A
= 25
°C,
标准光源A，
T
= 2856 K)
bezeichnung
描述
Spektrale Fotoempfindlichkeit ，
λ
= 850 nm的
光谱灵敏度
Quantenausbeute ，
λ
= 850 nm的
量子产率
Leerlaufspannung ，
E
v
= 1000九
开路电压
Kurzschluβstrom ，
E
v
= 1000九
短路电流
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ，
I
F
= 100毫安，
E
= 0
正向电压
Kapazitt ，
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时，
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
Nachweisgrenze ，
V
R
= 10 V,
λ
= 850 nm的
检出限
符号
符号
邂逅相遇，
价值
0.62
0.90
375 (≥ 320)
70
20
统一性
单位
/ W
电子
光子
mV
A
ns
S
λ
η
V
O
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
72
– 2.6
0.18
4.1
×
10
–14
V
pF
毫伏/ K
%/K
W
√Hz的
厘米“
√Hz的
W
D*
6.6
×
10
12
半导体集团
359
QQ：2880707522 复制
