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Silizium -PIN- Fotodiode麻省理工学院Tageslichtsperrfilter ;在SMT
硅PIN光电二极管与日光过滤器;在SMT
铅(Pb )免费产品 - 符合RoHS
BP 104°F
BP 104 FS
BP 104°F
BP 104 FS
Wesentliche Merkmale
Speziell geeignet献给Anwendungen北950纳米
Kurze Schaltzeit (典型值20 ns的)
DIL - Plastikbauform MIT达赫Packungsdichte
BP 104 FS : geeignet献给气相洛滕
UND红外回流焊洛滕
特点
特别适用于对950 nm的应用
短的切换时间(典型值20 ns的)
DIL塑料封装,组装密度高
BP 104的FS :适于气相和
红外回流焊
Anwendungen
IR- Fernsteuerung冯Fernseh- UND
Rundfunkgerten , Videorecordern ,
Lichtdimmern , Gertefernsteuerungen
Lichtschranken献给Gleich- UND
Wechsellichtbetrieb
典型值
TYPE
BP 104°F
BP 104 FS
Bestellnummer
订购代码
Q62702-P0084
Q62702-P2627
应用
IR的高保真音响和电视机遥控器,视频
录音机,调光器,远程控制
各种设备
光断续器
2005-03-14
1
BP 104°F , BP 104 FS
Grenzwerte
最大额定值
bezeichnung
参数
Betriebs- UND Lagertemperatur
工作和存储温度范围
Sperrspannung
反向电压
Verlustleistung ,
T
A
= 25
°
C
总功耗
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C,
λ
= 950纳米)
特征
bezeichnung
参数
Fotostrom
V
R
= 5 V,
E
e
= 1毫瓦/厘米
2
Wellenlnge德最大。 Fotoempfindlichkeit
波长最大的。灵敏度
Spektraler Bereich德Fotoempfindlichkeit
S
= 10%冯
S
最大
灵敏度的光谱范围
S
= 10 %
S
最大
Bestrahlungsempfindliche Flche
RADIANT敏感区
符号
符号
邂逅相遇,
价值
34 (≥ 25)
统一性
单位
A
符号
符号
邂逅相遇,
价值
– 40 … + 100
20
150
统一性
单位
°
C
V
mW
T
op
;
T
英镑
V
R
P
合计
I
P
λ
s最大
λ
950
800 … 1100
nm
nm
A
4.84
2.20
×
2.20
±
60
2 (≤30)
0.70
0.90
330 (≥ 250)
mm
2
mm
×
mm
毕业生
度。
nA
/ W
电子
光子
mV
Abmessung德bestrahlungsempfindlichen Flche
L
×
B
辐射敏感区尺寸
L
×
W
Halbwinkel
半角
Dunkelstrom ,
V
R
= 10 V
暗电流
Spektrale Fotoempfindlichkeit
光谱灵敏度
Quantenausbeute
量子产率
Leerlaufspannung ,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
开路电压
I
R
S
λ
η
V
O
2005-03-14
2
BP 104°F , BP 104 FS
Kennwerte
(T
A
= 25
°
C,
λ
= 950纳米)
特征
(续)
bezeichnung
参数
Kurzschlussstrom ,
E
e
= 0.5毫瓦/平方厘米
2
短路电流
Anstiegs- UND Abfallzeit宫Fotostromes
上升和下降的光电流的时间
R
L
= 50
;
V
R
= 5 V;
λ
= 850纳米;
I
p
= 800
A
Durchlaspannung ,
I
F
= 100毫安,
E
= 0
正向电压
Kapazitt ,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz时,
E
= 0
电容
Temperaturkoeffizient冯
V
O
温度COEF网络cient
V
O
Temperaturkoeffizient冯
I
SC
温度COEF网络cient
I
SC
Rauschquivalente Strahlungsleistung
噪声等效功率
V
R
= 10 V
Nachweisgrenze ,
V
R
= 10 V
检出限
符号
符号
邂逅相遇,
价值
17
20
统一性
单位
A
ns
I
SC
t
r
,
t
f
V
F
C
0
TC
V
TC
I
NEP
1.3
48
– 2.6
0.18
3.6
×
10
–14
V
pF
毫伏/ K
%/K
W
-----------
-
Hz
cm
×
Hz
--------------------------
-
W
D*
6.1
×
10
12
2005-03-14
3
BP 104°F , BP 104 FS
相对光谱灵敏度
S
REL
=
f
(λ)
100
S
REL
%
80
OHF00368
I
P
=
f
(E
e
),
V
R
= 5 V
开路电压
V
O
=
f
(
E
e
)
Ι
P
10
3
A
OHF01056
总功耗
P
合计
=
f
(
T
A
)
160
mW
P
合计
140
120
100
OHF00958
10
4
mV
V
O
10
3
10
2
V
O
60
10
1
10
2
80
60
40
10
0
Ι
P
10
1
40
20
20
0
700
800
900
1000
nm
λ
1200
10
-1
10
0
10
0
10
1
10
2
瓦/平方厘米
2
10
4
0
0
20
40
60
E
e
80 C 100
T
A
暗电流
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
4000
pA
OHFD1781
电容
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz时,
E
= 0
60
C
pF
50
OHF01778
暗电流
I
R
=
f
(
T
A
),
V
R
= 10 V,
E
= 0
10
3
OHF00082
Ι
R
nA
10
2
Ι
R
3000
40
2000
30
10
1
20
1000
10
0
10
0
0
5
10
15
V
R
V 20
0
-2
10
10
-1
10
0
10
1
V 10
2
V
R
10
-1
0
20
40
60
80 C 100
T
A
方向特性
S
REL
=
f
()
40
30
20
10
0
1.0
OHF01402
50
0.8
60
0.6
70
0.4
80
0.2
0
90
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0
20
40
60
80
100
120
2005-03-14
4
BP 104°F , BP 104 FS
Mazeichnung
包装纲要
BP 104°F
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.8 (0.031)
0.6 (0.024)
4.0 (0.157)
3.7 (0.146)
4.5 (0.177)
4.3 (0.169)
1.2 (0.047)
0.7 (0.028)
0.3 (0.012)
0.8 (0.031)
0.6 (0.024)
0.35 (0.014)
0.2 (0.008)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0 ... 5
5.08 (0.200)
间距
1.8 (0.071)
1.4 (0.055)
感光面积
2.20 (0.087) x 2.20 (0.087)
GEOY6075
约。重量0.1克
BP 104 FS
1.2 (0.047)
1.1 (0.043)
0...0.1
(0...0.004)
0.3 (0.012)
芯片位置
1.1 (0.043)
0.9 (0.035)
6.7 (0.264)
6.2 (0.244)
4.5 (0.177)
4.3 (0.169)
0.9 (0.035)
0.7 (0.028)
1.6 (0.063)
±0.2 (0.008)
1.7 (0.067)
1.5 (0.059)
4.0 (0.157)
3.7 (0.146)
感光面积
阴极引线
2.20 (0.087) x 2.20 (0.087)
集体werden魏某folgt angegeben :毫米(英寸) /尺寸规定如下:毫米(英寸) 。
2005-03-14
5
0.2 (0.008)
0.1 (0.004)
0...5
GEOY6861
3.5 (0.138)
3.0 (0.118)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
0.5 (0.020)
0.6 (0.024)
0.4 (0.016)
2.2 (0.087)
1.9 (0.075)
正极标志
5.4 (0.213)
4.9 (0.193)
芯片位置
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
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