【NPN硅晶体管RFqqBFQ 29P对于低噪声IF和宽带放大器最高1 GHz的在1 mA至20 mA】,IC型号Q62702-F659,Q62702-F659 PDF资料,Q62702-F659经销商,ic,电子元器件-51电子网

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NPN硅晶体管RF

q

q

BFQ 29P

对于低噪声IF和宽带放大器最高

1 GHz的在1 mA至20 mA集电极电流。

CECC型可供选择： CECC二百五十八分之五万零二。

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理注意事项！

TYPE

BFQ 29P

记号

KC

订购代码

（磁带和卷轴）

Q62702-F659

引脚配置

1

2

3

B

E

C

包

1)

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗，

T

S

≤

65 C

3)

结温

环境温度范围

存储温度范围

热阻

结 - 环境

2)

结 - 焊接点

3)

R

日JA

R

日JS

≤

≤

符号

V

CE0

V

CB0

V

EB0

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

值

15

20

3

30

4

280

150

– 65 … + 150

– 65 … + 150

单位

V

mA

mW

C

385

305

K / W

如需详细尺寸见包装纲要。

包安装在氧化铝15毫米

×

16.7 mm

×

0.7 mm.

3)

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

1)

2)

BFQ 29P

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

V

CB

= 20 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 3 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 6 V

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 6 V

集电极 - 发射极饱和电压

I

C

= 20毫安，

I

B

= 1毫安

V

(BR)CE0

I

CB0

–

–

I

EB0

h

FE

50

50

V

CESAT

–

–

140

0.1

250

–

0.4

V

–

–

–

–

0.05

10

100

A

值

典型值。

马克斯。

单位

15

–

–

V

A

–

BFQ 29P

电气特性

at

T

A

= 25℃，除非另有规定。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 6 V,

f

= 200兆赫

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 6 V,

f

= 200兆赫

集电极 - 基极电容

V

CB

= 10 V,

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

输入电容

V

EB

= 0.5 V,

I

C

=

i

c

= 0,

f

= 1兆赫

输出电容

V

CE

= 10 V,

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

噪声系数

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 6 V,

f

= 10兆赫，

Z

S

= 75

I

C

= 4毫安，

V

CE

= 6 V,

f

= 800 MHz时，

Z

S

= 50

功率增益

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 6 V,

f

= 800 MHz时，

Z

0

= 50

,

Z

L

=

Z

LOPT

传感器增益

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 6 V,

f

= 1 GHz的，

Z

0

= 50

线性输出电压

双音互调测试

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 6 V,

d

IM

= 60分贝，

f

1

= 806兆赫，

f

2

= 810兆赫，

Z

S

=

Z

L

= 50

三阶截点

I

C

= 20毫安，

V

CE

= 6 V,

f

= 800兆赫

f

T

–

3.6

C

cb

C

ce

C

IBO

C

OBS

F

–

–

G

pe

–

0.9

1.5

14

1.2

–

–

–

–

–

–

2.7

5

0.5

0.28

1.35

0.8

–

–

0.65

–

–

–

dB

pF

GHz的

值

典型值。

马克斯。

单位

I

S

21e

I

2

–

11

180

–

–

mV

V

o1

=

V

o2

–

IP

3

–

28

–

DBM

BFQ 29P

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*;

T

S

)

*包安装在氧化铝

跃迁频率

f

T

=

f

(I

C

)

V

CE

= 6 V,

f

= 200兆赫

集电极 - 基极电容

C

cb

=

f

(V

CB

)

V

BE

=

v

be

= 0,

f

= 1兆赫

BFQ 29P

共发射噪声参数

f

GHz的

F

民

dB

G

p

(F

民

)

dB

MAG

Γ

选择

昂

R

N

N

–

F

50

dB

G

p

(F

50

)

dB

I

C

= 3毫安，

V

CE

= 6 V,

Z

0

= 50

0.01

0.85

–

(Z

S

= 130

)

–

–

1.2

–

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 6 V,

Z

0

= 50

0.01

0.8

0.85

1.25

–

13

(Z

S

= 100

)

0.25

93.5

–

11.1

–

0.20

1.1

1.45

–

14

噪声系数

F

=

f

(Z

S

)

V

CE

= 6 V,

f

= 10 MHz的

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