SIEGET
45
NPN硅晶体管RF
初步数据
对于高增益低噪声放大器
在1.8GHz和2毫安/ 2 V
优秀
G
a
= 20分贝
噪声系数
F
= 0.95分贝
对于振荡器高达15 GHz的
跃迁频率
f
T
= 45 GHz的
黄金金属化高可靠性
SIEGET
45 - 线
西门子接地发射极晶体管
45
GHz的
f
T
-
LINE
BFP 520
3
4
2
1
VPS05605
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范！
TYPE
BFP 520
订购代码标识
APS
Q62702-F1794
引脚配置
1=B
2=E
3=C
4=E
包
SOT-343
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗，
T
S
≤
105 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
1)
符号
价值
2.5
12
1
40
4
100
150
-65 ...+150
-65 ...+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
°C
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
R
thjs
≤
450
K / W
1） TS是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线
半导体集团
半导体集团
1
1
Sep-09-1998
1998-11-01
BFP 520
公共发射极S参数
f
GHz的
0.01
0.1
0.5
1
2
3
4
5
6
MAG
0.7244
0.7251
0.6368
0.4768
0.2816
0.225
0.2552
0.3207
0.3675
S
11
昂
MAG
32.273
31.637
27.293
19.6
11.02
7.48
5.636
4.488
3.683
S
21
昂
178.6
171.4
140.7
113.5
84.9
67.6
53
39.7
27.5
MAG
0.0007
0.0041
0.0194
0.0351
0.00574
0.0788
0.0994
0.1177
0.1343
S
12
昂
69.4
92.8
75.9
66.5
56.3
49.2
41.5
32.9
24.7
MAG
0.9052
0.9363
0.8523
0.6496
0.3818
0.2407
0.1544
0.095
0.0545
S
22
昂
1.2
-4.4
-26.7
-46
-64.6
-73.6
-95.3
-128.9
177.6
V
CE
= 2 V, /
C
= 20毫安
-0.7
-8.4
-40.7
-73.6
-123.8
-166
156.2
133.6
118.7
共发射噪声参数
f
GHz的
F
1分钟）
dB
G
a 1)
dB
Γ
选择
MAG
昂
R
N
r
n
-
F
50 2)
dB
|S
21
|
2 2)
dB
V
CE
= 2 V,
I
C
= 2毫安
0.9
1.8
2.4
3
4
5
6
0.72
0.95
1.07
1.3
1.35
1.7
1.95
21.5
20
16
14.5
11.6
9.5
8
0.64
0.49
0.45
0.4
0.26
0.14
0.12
14
30
41
54
82
128
151
21.5
19
18
16.5
12.5
9
8
0.43
0.38
0.36
0.33
0.25
0.18
0.16
1.75
1.55
1.6
1.7
1.6
1.85
1.95
16.1
15.14
14.07
13.13
11.49
9.87
8.28
V
CE
= 2 V,
I
C
= 5毫安
0.89
22
0.9
1.08
20.5
1.8
1.12
18
2.4
1.32
16.2
3
1.35
13.5
4
1.6
11.5
5
1.8
10.5
6
0.49
0.38
0.34
0.29
0.156
0.08
0.07
12
22
33
45
71
120
150
16
14
14
13.5
11
10
8
0.32
0.28
0.28
0.27
0.22
0.2
0.16
1.5
1.38
1.4
1.5
1.45
1.65
1.8
21.94
19.34
17.54
16.01
13.82
11.93
10.23
1）输入的最小噪声系数，输出最大增益匹配
2)
Z
S
=
Z
L
= 50
欲了解更多，详细的S-和噪声参数请联系您当地的西门子
分销商或销售办事处获得西门子应用笔记CD -ROM或参阅网址：
http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
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3
3
Sep-09-1998
1998-11-01
BFP 520
SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
晶体管芯片数据
IS =
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
aA
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
-
A
-
A
V
-
度
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
待定
-
fA
-
fA
mA
-
V
fF
-
V
eV
K
C' ， E'二极管数据（伯克利- SPICE 2G.6语法） ：
IS =
待定
fA
N=
待定
-
RS =
待定
所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的
包装等效电路：
C
CB
L
BI
=
L
BO
=
L
CI
C' ， E'-
二极管
0.47
0.53
0.23
0.05
0.56
0.58
136
6.9
134
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
L
BO
B
L
BI
B’
晶体管
芯片
E’
C’
L
CO
C
L
EI
=
L
EO
=
L
CI
=
L
CO
=
C
BE
=
C
CB
=
C
CE
=
EHA07389
C
BE
L
EI
C
CE
L
EO
E
有效高达6GHz
采用SOT -343封装有两个发射器的线索。为了避免高的封装的等效电路的复杂性，
两条引线被结合在一个电连接。
提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：
研究所献给美孚- UND Satellitentechnik （ IMST ）
1996年SIEMENS AG
有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
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Sep-09-1998
1998-11-01
BFP 520
对于非线性仿真：
使用晶体管芯片的参数在伯克利SPICE 2G.6语法的所有模拟器。
如果你需要模拟thereverse特点，加上与二极管
集电极和发射极之间的C'- E'-二极管的数据。
仿真包是没有必要的frequenties <为100MHz 。
对于较高的频率增加封装的等效电路的布线周围的
非线性的晶体管和二极管的模型。
注意：
这种晶体管的结构是一个共发射极结构。此功能的原因
发射极和集电极之间的一个额外的反向偏置二极管，其不
实现正常的操作。
C
B
E
E
EHA07307
晶体管示意图
共发射极结构示出了以下优点：
较高的增益，因为较低的发射极电感。
动力经由发射极接地引线消散，因为该芯片被安装
铜引线框架发射器。
请注意，最广泛的引线是发射极引线。
AC特性是通过随机抽样核实。
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Sep-09-1998
1998-11-01
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