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BF 2030W
硅N沟道MOSFET四极管
初步数据
对于低噪声，高增益控制
输入级高达1GHz
工作电压5V
3
4
2
1
VPS05605
防静电：静电放电
敏感的设备，观察处理防范
TYPE
订购代码标识
Q62702-F1774
引脚配置
1=D
2=S
3 = G1
4 = G2
包
SOT-343
BF 2030W网元
最大额定值
参数
漏源电压
符号
价值
14
40
10
7
200
-55 ...+150
150
单位
V
mA
V
mW
°C
V
DS
I
D
±
I
G1/2SM
+
V
G1SE
连续的漏电流
门1 /门2的峰值电流源
1号门（外部偏置）
总功耗，
T
S
= 94 °C
储存温度
通道温度
P
合计
T
英镑
T
ch
热阻
道 - 焊接点
R
thChS
≤280
K / W
半导体集团
半导体集团
1
1
Jun-05-1998
1998-11-01
BF 2030W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C，除非另有规定ED 。
符号
值
参数
分钟。
DC特性
漏源击穿电压
典型值。
12
8.5
8.5
-
-
马克斯。
-
-
-
50
50
-
12
0.8
0.7
-
-
-
单位
V
（ BR ） DS
+V
(BR)G1SS
+V
(BR)G2SS
+
I
G1SS
+I
G2SS
-
-
-
-
-
-
-
0.3
0.3
V
I
D
= 650 μA ， -V
G1S
= 4 V, -
V
G2S
= 4 V
1号门 - 源极击穿电压
+I
G1S
= 10毫安，
V
G2S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
2号门 - 源极击穿电压
±
I
G2S
= 10毫安，
V
G1S
=
V
DS
= 0
1号门源电流
V
nA
V
G1S
= 5 V,
V
G2S
= 0 V
2号门源漏电流
V
G2S
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
DS
= 0 V
漏电流
I
DSS
I
DSX
V
G2S(p)
V
G1S(p)
A
mA
V
V
DS
= 5 V,
V
G1S
= 0 V,
V
G2S
= 4 V
漏 - 源电流
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
R
G1
= 20 k
2号门源夹断电压
V
DS
= 5 V,
I
D
= 20 A
1号门源夹断电压
V
DS
= 5 V,
V
G2S
= 4 V,
I
D
= 20 A
AC特性
正向跨导
g
fs
C
g1ss
-
-
31
2.5
-
-
mS
pF
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V
1号门的输入电容
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
输出电容
C
DSS
-
1.1
-
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
V
G2S
= 4 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
-
2
-
dB
V
DS
= 5 V,
I
D
= 10毫安，
f
= 800兆赫
半导体集团
半导体集团
2
2
Jun-05-1998
1998-11-01
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Q67060-S6187
Q62702-C2125
QS52805ATQ
QBW018A0B1-H
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    Q62702-F1774
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    电话：0755-23063133/23042311
    联系人：谭小姐
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    Q62702-F1774
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    -
    终端采购配单精选

    HECC GROUP CO，LIMITED
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    电话：755-83241160（高端器件渠道商）/83950019/83950895/83950890
    联系人：Sante Zhang/Mollie
    地址：總部地址：UNIT D18 3/FWONG KING INDUSTRIAL BUILDINGNO.2-4 TAI YAU STREETKL
    深圳地址：深圳市龍崗區坂田街道永香路創匯

    Q62702-F1774
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GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
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