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BFP 280W
NPN硅晶体管RF
对于低噪声,低功耗放大器在移动
通信系统(寻呼机,无绳
电话)集电极电流从0.2毫安到8毫安
f
T
= 7,5GHz
F
= 1.5分贝在900MHz
防静电:静电放电
敏感的设备,观察处理防范!
TYPE
订购代码标识
引脚配置
BFP 280W
水库
Q62702-F1504
1=E
2=C
3=E
4=B
SOT-343
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
符号
8
10
10
2
10
1.2
mW
80
150
- 65 ... + 150
- 65 ... + 150
430
°C
mA
单位
V
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
A
T
英镑
1)
T
S
116 °C
结温
环境温度
储存温度
热阻
结 - 焊接点
R
thjs
K / W
1)
T
S
是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。
半导体集团
1
Dec-12-1996
BFP 280W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
典型值。
马克斯。
单位
V
( BR ) CEO
8
-
-
-
-
100
-
V
A
-
100
nA
-
100
A
-
1
-
30
200
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
集电极 - 发射极截止电流
I
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
= 10 V,
V
BE
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 8 V,
I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 1 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 3毫安,
V
CE
= 5 V
半导体集团
2
Dec-12-1996
BFP 280W
电气特性
at
T
A
= 25 ° C,除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
AC特性
跃迁频率
典型值。
马克斯。
单位
f
T
5
7.5
0.24
0.27
0.27
-
GHz的
pF
-
0.4
-
-
dB
-
-
1.5
2
-
-
I
C
= 6毫安,
V
CE
= 5 V,
f
= 500 MHz的
集电极 - 基极电容
C
cb
C
ce
-
V
CB
= 5 V,
f
= 1兆赫
集电极 - 发射极电容
V
CE
= 5 V,
f
= 1兆赫
发射极 - 基极电容
C
eb
-
V
EB
= 0.5 V,
f
= 1兆赫
噪声系数
F
I
C
= 1.5毫安,
V
CE
= 5 V,
Z
S
=
Z
SOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
功率增益
1)
G
ms
I
C
= 3毫安,
V
CE
= 5 V,
Z
S
=
Z
SOPT
Z
L
=
Z
LOPT
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
传感器增益
|S
21e
|
2
-
-
15
11
-
-
-
-
18.5
15
-
-
I
C
= 3毫安,
V
CE
= 5 V,
Z
S
=Z
L
= 50
f
= 900兆赫
f
= 1.8 GHz的
1)
G
ms
= |S
21
/S
12
|
半导体集团
3
Dec-12-1996
BFP 280W
SPICE参数(的Gummel -潘型号,伯克利SPICE 2G.6语法) :
晶体管芯片数据
IS =
6.472
fA
VAF =
NE =
VAR =
NC =
RBM =
CJE =
TF =
ITF =
VJC =
TR =
MJS =
XTI =
25.609
1.6163
5.6909
1.0651
14.999
36.218
11.744
6.2179
1.1943
2.3693
0
3
V
-
V
-
fF
ps
mA
V
ns
-
-
BF =
IKF =
BR =
IKR =
RB =
RE =
VJE =
XTF =
PTF =
MJC =
CJS =
XTB =
FC =
89.888
20.238
15
2.4518
0.70035
0.21585
0
0.30017
0
0
0.96275
-
-
V
-
-
fF
-
-
NF =
ISE =
NR =
ISC =
IRB =
RC =
MJE =
VTF =
CJC =
XCJC =
VJS =
EG =
TNOM
1.0801
15.596
0.83403
1.409
6.989
0.69773
0.2035
252.99
0.19188
0.75
1.11
300
-
fA
-
fA
-
V
fF
-
V
eV
K
0.073457 A
0.012696 A
0.031958毫安
所有的参数都可以使用了,没有scalling是必要的。
提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式:
研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik ( IMST )
1996 SIEMENS AG
包装等效电路:
LBI =
LBO =
雷=
LEO =
LCI =
LCO =
CBE =
建行=
CCE =
0.43
0.47
0.26
0.12
0.06
0.36
68
46
232
nH
nH
nH
nH
nH
nH
fF
fF
fF
有效期至6 GHz
有关示例,并准备使用参数,请联系您当地的西门子分销商或销售办事处
获得西门子的CD -ROM或参阅网址: http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm
半导体集团
4
Dec-12-1996
BFP 280W
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*,
T
S
)
*包装安装在环氧
100
mW
P
合计
80
70
T
S
60
50
T
A
40
30
20
10
0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
允许的脉冲负载
R
thjs
=
f
(t
p
)
允许的脉冲负载
P
totmax
/P
totDC
=
f
(t
p
)
10
3
10
1
R
thjs
K / W
P
totmax
/P
totDC
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
10
2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
-
10
1
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
10
0
-7
10
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10 s 10
t
p
-1
0
半导体集团
5
Dec-12-1996
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    Q62702-F1504
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
Q62702-F1504
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