【BF 1012硅N沟道MOSFET四极管对于低噪声，高增益控制输入级高达1GHz工作电压12V综合稳】,IC型号Q62702-F1487,Q62702-F1487 PDF资料,Q62702-F1487经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BF 1012

硅N沟道MOSFET四极管

对于低噪声，高增益控制

输入级高达1GHz

工作电压12V

综合稳定偏置网络

3

4

2

1

VPS05178

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

BF 1012

订购代码标识引脚配置

MYS

Q62702 - F1487 1 = S

2=D

包

3 = 4 G2 = G1 SOT- 143

最大额定值

参数

漏源电压

连续的漏电流

门1 /门2的峰值电流源

1号门（外部偏置）

总功耗，

T

S

≤

76 °C

储存温度

通道温度

符号

价值

16

25

10

3

200

-55 ...+150

150

V

mW

°C

单位

V

mA

V

DS

I

D

±

I

G1/2SM

+

V

G1SE

P

合计

T

英镑

T

ch

热阻

道 - 焊接点

R

thChS

≤370

K / W

注意：

我们不建议在主动模式下使用外部直流电压的1号门。

半导体集团

半导体集团

1

1

Sep-09-1998

1998-11-01

BF 1012

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

符号

值

参数

分钟。

DC特性

漏源击穿电压

典型值。

-

-

-

-

-

-

10

0.9

马克斯。

-

12

16

60

50

500

-

-

单位

V

（ BR ） DS

±

V

(BR)G1SS

±

V

(BR)G2SS

+I

G1SS

±

I

G2SS

16

8

10

-

-

-

8

-

V

I

D

= 300 μA ， -V

G1S

= 4 V, -

V

G2S

= 4 V

1号门源击穿电压

±

I

G1S

= 10毫安，

V

G2S

=

V

DS

= 0

2号门源击穿电压

±

I

G2S

= 10毫安，

V

G1S

= 0 V,

V

DS

= 0 V

1号门源电流

A

nA

A

mA

V

V

G1S

= 6 V,

V

G2S

= 0 V

2号门源漏电流

±

V

G2S

= 8 V,

V

G1S

= 0 V,

V

DS

= 0 V

漏电流

I

DSS

I

DSO

V

G2S(p)

V

DS

= 12 V,

V

G1S

= 0 ,

V

G2S

= 6 V

工作电流（ selfbiased ）

V

DS

= 12 V,

V

G2S

= 6 V

2号门源夹断电压

V

DS

= 12 V,

I

D

= 100 A

AC特性

正向跨导（自偏置）

g

fs

C

g1ss

C

DSS

G

ps

F

800

G

ps

-

-

-

-

-

40

24

2.1

0.9

22

1.4

50

-

2.5

-

-

-

-

mS

pF

V

DS

= 12 V,

V

G2S

= 6 V,

f

= 1千赫

门1输入电容（自偏置）

V

DS

= 12 V,

V

G2S

= 6 V,

f

= 1兆赫

输出电容（自偏置）

V

DS

= 12 V,

V

G2S

= 6 ,

f

= 1兆赫

功率增益（自偏置）

dB

V

DS

= 12 V,

V

G2S

= 6 ,

f

= 800兆赫

噪声系数（自偏置）

V

DS

= 12 V,

V

G2S

= 6 V,

f

= 800兆赫

增益控制范围（自偏置）

V

DS

= 12 V,

V

G2S

= 6 V,

f

= 800兆赫

半导体集团

半导体集团

2

2

Sep-09-1998

1998-11-01

BF 1012

总功耗

P

合计

=

f

(T

S

)

漏电流

I

D

=

f

(V

G2S

)

300

11

mA

mW

9

8

P

合计

200

I

D

150

100

50

0

0

120

°C

7

6

5

4

3

2

1

20

40

60

80

100

150

0

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

V

6.0

T

S

V

G2S

插入功率增益

|

S

21

|

2

=

f

(V

G2S

)

正向转移导纳

|

Y

21

| =

f

(V

G2S

)

24

mS

10

dB

0

-5

20

18

| S

21

|

2

-10

|Y

21

|

V

-15

-20

-25

-30

-35

-40

16

14

12

10

8

6

-45

-50

-55

-60

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

6.0

4

2

0

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

V

6.0

V

G2S

V

G2S

半导体集团

半导体集团

3

3

Sep-09-1998

1998-11-01

BF 1012

1号门的输入电容

C

g1ss

=

f

(V

g2s

)

f

= 200MHz的

输出电容

C

DSS

=

f

(V

G2

)

f

= 200MHz的

3.2

pF

3.2

pF

2.4

2.4

C

g1ss

2.0

C

DSS

V

2.0

1.6

1.6

1.2

1.2

0.8

0.8

0.4

0.4

0.0

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

6.0

0.0

0.0

1.0

2.0

3.0

4.0

V

6.0

V

G2S

V

G2S

半导体集团

半导体集团

4

4

Sep-09-1998

1998-11-01

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联系人：刘先生

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