【BFR 181NPN硅晶体管RF对于低噪声，高增益宽带放大器在集电极电流为0.5 mA至12毫安fT】,IC型号Q62702-F1314,Q62702-F1314 PDF资料,Q62702-F1314经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BFR 181

NPN硅晶体管RF

对于低噪声，高增益宽带放大器在

集电极电流为0.5 mA至12毫安

f

T

= 8GHz的

F

= 1.45分贝在900MHz

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

订购代码标识

引脚配置

BFR 181

RFS

Q62702-F1314

1=B

2=E

3=C

包

SOT-23

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

符号

值

12

20

20

2

20

2

mW

175

150

- 65 ... + 150

- 65 ... + 150

≤

335

°C

mA

单位

V

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

1)

T

S

≤

91 °C

结温

环境温度

储存温度

热阻

结 - 焊接点

R

thjs

K / W

1)

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

半导体集团

1

Dec-11-1996

BFR 181

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

12

-

-

-

-

100

-

V

A

-

100

nA

-

100

A

-

1

-

50

200

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

I

CES

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

= 20 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 1 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 8 V

半导体集团

2

Dec-11-1996

BFR 181

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

6

8

0.26

0.18

0.3

-

GHz的

pF

-

0.45

-

-

dB

-

-

1.45

1.8

-

-

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

C

cb

C

ce

-

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

C

eb

-

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

F

I

C

= 2毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

功率增益

1)

G

ms

-

18

-

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 900兆赫

Z

S

=

Z

SOPT ，

Z

L

=

Z

LOPT

功率增益

2)

G

ma

-

|S

21e

|

2

-

-

14

9

-

-

11.5

-

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 1.8 GHz的

Z

S

=

Z

SOPT ，

Z

L

=

Z

LOPT

传感器增益

I

C

= 5毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=Z

L

= 50

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

1)

G

ms

= |S

21

/S

12

|

2)

G

ma

= |S

21

/S

12

| (k-(k

2

-1)

1/2

)

半导体集团

3

Dec-11-1996

BFR 181

SPICE参数（的Gummel -潘型号，伯克利SPICE 2G.6语法）：

晶体管芯片数据

IS =

0.0010519为fA

VAF =

NE =

VAR =

NC =

RBM =

CJE =

TF =

ITF =

VJC =

TR =

MJS =

XTI =

22.403

1.7631

5.1127

1.6528

6.6315

1.8168

17.028

1.0549

1.1633

2.7449

0

3

V

-

V

-

fF

ps

mA

V

ns

-

-

BF =

IKF =

BR =

IKR =

RB =

RE =

VJE =

XTF =

PTF =

MJC =

CJS =

XTB =

FC =

96.461

0.12146

16.504

0.24951

9.9037

2.1372

0.73155

0.33814

0

0.30013

0

0

0.99768

-

A

-

A

V

-

度

-

fF

-

-

NF =

ISE =

NR =

ISC =

IRB =

RC =

MJE =

VTF =

CJC =

XCJC =

VJS =

EG =

TNOM

0.90617

12.603

0.87757

0.01195

0.69278

2.2171

0.43619

0.12571

319.69

0.75

1.11

300

-

fA

-

fA

mA

-

V

fF

V

eV

K

0.082903 -

所有的参数都可以使用了，没有scalling是必要的。

提取的代表SIEMENS小信号半导体的方式：

研究所献给美孚- UND Satellitenfunktechnik （ IMST ）

1996 SIEMENS AG

包装等效电路：

LBI =

LBO =

雷=

LEO =

LCI =

LCO =

CBE =

建行=

CCE =

0.85

0.51

0.69

0.61

0

0.49

73

84

165

nH

nH

nH

nH

nH

nH

fF

fF

fF

有效期至6 GHz

有关示例，并准备使用参数，请联系您当地的西门子分销商或销售办事处

获得西门子的CD -ROM或参阅网址： http://www.siemens.de/Semiconductor/products/35/35.htm

半导体集团

4

Dec-11-1996

BFR 181

总功耗

P

合计

=

f

(T

A

*,

T

S

)

*包装安装在环氧

200

mW

P

合计

160

T

S

140

120

100

80

60

40

20

0

0

20

40

60

80

100

120 °C 150

T

A

,T

S

T

A

允许的脉冲负载

R

thjs

=

f

(t

p

)

允许的脉冲负载

P

totmax

/P

totDC

=

f

(t

p

)

10

3

10

2

R

thjs

K / W

P

totmax

/P

totDC

-

D=0

0.005

0.01

0.02

0.05

0.1

0.2

0.5

10

2

0.5

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

0.005

D=0

10

1

10

1

-7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10 s 10

t

p

-1

0

10

0

-7

10

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10 s 10

t

p

-1

0

半导体集团

5

Dec-11-1996

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联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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电话：13910052844（微信同步）

联系人：刘先生

地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102

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