【BF 772NPN硅晶体管RF对于电视总局调谐器的应用防静电：静电放电敏感的设备，观察处理防范！TY】,IC型号Q62702-F1222,Q62702-F1222 PDF资料,Q62702-F1222经销商,ic,电子元器件-51电子网

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BF 772

NPN硅晶体管RF

对于电视总局调谐器的应用

防静电：静电放电

敏感的设备，观察处理防范！

TYPE

订购代码标识

引脚配置

BF 772

RAS

Q62702-F1222

1=C

2=E

3=B

4=E

包

SOT-143

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

集电极 - 发射极电压

集电极 - 基极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

基极电流

总功耗

符号

值

12

20

20

2

80

10

mW

580

150

- 65 ... + 150

- 65 ... + 150

≤

135

°C

mA

单位

V

V

首席执行官

V

CES

V

CBO

V

EBO

I

C

I

B

P

合计

T

j

T

A

T

英镑

1)

T

S

≤

72 °C

结温

环境温度

储存温度

热阻

结 - 焊接点

R

thjs

K / W

1)

T

S

是在焊接点上的印刷电路板测量的集电极引线。

半导体集团

1

Dec-13-1996

BF 772

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

DC特性

集电极 - 发射极击穿电压

值

典型值。

马克斯。

单位

V

（ BR ） CEO

12

-

-

-

-

100

-

V

A

-

100

nA

-

100

A

-

1

-

50

200

I

C

= 1毫安，

I

B

= 0

集电极 - 发射极截止电流

I

CES

I

CBO

I

EBO

h

FE

V

CE

= 20 V,

V

BE

= 0

集电极 - 基极截止电流

V

CB

= 10 V,

I

E

= 0

发射基截止电流

V

EB

= 1 V,

I

C

= 0

直流电流增益

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 8 V

半导体集团

2

Dec-13-1996

BF 772

电气特性

at

T

A

= 25 ° C，除非另有规定ED 。

参数

符号

分钟。

AC特性

跃迁频率

值

典型值。

马克斯。

单位

f

T

6

8

0.6

0.3

1.8

-

GHz的

pF

-

0.9

-

-

dB

-

-

1.3

2.1

-

-

I

C

= 50毫安，

V

CE

= 8 V,

f

= 500 MHz的

集电极 - 基极电容

C

cb

C

ce

-

V

CB

= 10 V,

f

= 1兆赫

集电极 - 发射极电容

V

CE

= 10 V,

f

= 1兆赫

发射极 - 基极电容

C

eb

-

V

EB

= 0.5 V,

f

= 1兆赫

噪声系数

F

I

C

= 10毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

功率增益

2)

G

ma

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=

Z

SOPT

Z

L

=

Z

LOPT

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

传感器增益

|S

21e

|

2

-

-

14.5

8.5

-

-

-

-

17.5

11.5

-

-

I

C

= 30毫安，

V

CE

= 8 V,

Z

S

=Z

L

= 50

f

= 900兆赫

f

= 1.8 GHz的

2)

G

ma

= |S

21

/S

12

| (k-(k

2

-1)

1/2

)

半导体集团

3

Dec-13-1996

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联系人：刘先生

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