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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符Q型号页 > 首字符Q的型号第71页 > Q62702-D1344
BDP 952
PNP硅自动对焦功率晶体管
对于自动对焦驱动器和输出级
高集电极电流
高电流增益
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型： BDP951 ... BDP955 （ NPN ）
TYPE
BDP 952
BDP 954
BDP 956
订购代码标识
BDP 952 Q62702 - D1340
BDP 954 Q62702 - D1342
BDP 956 Q62702 - D1344
引脚配置
1=B
1=B
1=B
2=C
2=C
2=C
3=E
3=E
3=E
4=C
4=C
4=C
包
SOT-223
SOT-223
SOT-223
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
BDP 952
BDP 954
BDP 956
集电极 - 基极电压
BDP 952
BDP 954
BDP 956
发射极 - 基极电压
DC集电极电流
峰值集电极电流
基极电流
峰值电流基地
总功耗，
T
S
= 99°C
结温
储存温度
热阻
交界处的环境
1)
符号
值
80
100
120
单位
V
V
首席执行官
V
CBO
100
120
140
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
合计
T
j
T
英镑
R
thJA
R
thjs
1
5
3
5
200
500
W
150
- 65 ... + 150
≤
42
≤
17
°C
mA
A
K / W
结 - 焊接点
1 ）包装安装在印刷电路板40× 40× 1.5毫米/ 6厘米
2
Cu
半导体集团
Nov-28-1996
BDP 952
电气特性
at
T
A
= 25℃ ，除非另有说明
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
值
典型值。
马克斯。
单位
V
（ BR ） CEO
V
80
100
120
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
100
20
100
-
25
40
15
-
475
-
V
-
0.8
1.5
nA
A
nA
-
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BDP 952
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BDP 954
I
C
= 10毫安，
I
B
= 0 mA时， BDP 956
集电极 - 基极击穿电压
V
（ BR ） CBO
I
C
= 100 A,
I
B
= 0 ， BDP 952
I
C
= 100 A,
I
B
= 0 ， BDP 954
I
C
= 100 A,
I
B
= 0 ， BDP 956
基极 - 发射极击穿电压
100
120
140
V
（ BR ） EBO
5
I
E
= 10 A,
I
C
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
-
-
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 25 °C
V
CB
= 100 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
发射Cuto FF电流
I
EBO
h
FE
V
EB
= 4 V,
I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 10毫安，
V
CE
= 5 V
I
C
= 500毫安，
V
CE
= 1 V
I
C
= 2 A,
V
CE
= 2 V
集电极 - 发射极饱和电压1 ）
V
CESAT
V
BESAT
-
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
基极 - 发射极饱和电压1）
I
C
= 2 A,
I
B
= 0.2 A
AC特性
跃迁频率
f
T
-
100
40
-
兆赫
pF
-
-
I
C
= 50毫安，
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
C
cb
V
CB
= 10 V,
f
= 1兆赫
1 ）脉冲测试：吨< 300μS ; < 2 ％
半导体集团
2
Nov-28-1996
BDP 952
总功耗
P
合计
=
f
(T
A
*;T
S
)
*包装安装在环氧
允许的脉冲负载
R
thjs
=
F（T
p
)
3.2
10
3
K / W
W
T
S
T
A
R
thjs
10
2
P
合计
2.4
2.0
10
1
1.6
10
0
1.2
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.005
D=0
0.8
10
-1
0.4
0.0
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
,T
S
10
-2
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
允许的脉冲负载
P
totmax
/
P
totDC
=
F（T
p
)
直流电流增益
h
FE
=
f
(I
C
)
V
CE
= 2V
10
3
10
3
-
P
totmax
/P
totDC
10
2
D=0
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
h
FE
-
100°C
25°C
10
2
-50°C
10
1
10
0
-6
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
s 10
t
p
-1
0
10
1
0
10
10
1
10
2
10
3
mA
I
C
半导体集团
3
Nov-28-1996
BDP 952
收藏家Cuto FF电流
I
CBO
=
f
(T
A
)
V
CB
= 45V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= F（V
CESAT
),
h
FE
= 10
10
5
nA
10
4
mA
10
4
I
CBO
10
3
最大
10
2
I
C
10
3
100°C
25°C
-50°C
10
2
10
1
典型值
10
1
10
0
10
-1
0
20
40
60
80
100
120 °C 150
T
A
10
0
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
V
0.8
V
CESAT
基射极饱和电压
I
C
= F（V
BESAT
),
h
FE
= 10
集电极电流
I
C
=
f
(V
BE
)
V
CE
= 2V
10
4
10
4
mA
mA
I
C
10
3
-50°C
25°C
100°C
10
2
I
C
10
3
10
2
-50°C
25°C
100°C
10
1
10
1
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
V
BESAT
10
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
V
1.3
V
BE
半导体集团
4
Nov-28-1996
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QEHC49H3310DT3016
QS74FCT2374CTSOX
QS532807ASO
QRW025A0G1-HZ
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